红外检测系统 TR7950Q SII

拍照式3DIA

介绍
TR7950Q SII 是面向先进半导体制造的模块化晶圆检测与微测量计量平台。其集成 AI 驱动算法与可选传感模块（SWIR、3D DFF、TSV/Thin-Film），用于检测不可见的次表面缺陷并执行高精度测量以优化良率。

特点

• 高分辨率晶圆检测
• 具备计量能力的精密微测量
• 超高速 TSV 与薄膜计量
• 可选 SWIR 模块用于内部缺陷检测
• 可通过可选 DFF（Depth From Focus）实现 0.5 µm / 1 µm 分辨率
• 洁净室兼容：ISO Class 5
• TSV 测量：TSV 深度、沟槽深度检测
• 薄膜测量：氧化物、氮化物、PR、PI 膜厚

光学系统
成像方式：Stop-and-Go Imaging
相机：25 Mpix
光学分辨率：2.5 µm
照明：多相真彩 LED；同轴照明
3D 技术：Quad Digital Fringe Projectors
最大 3D 高度：600 μm

晶圆与框架处理
支持晶圆尺寸：6", 8", 12"
支持框架尺寸：8", 12"

洁净室
洁净室等级：ISO Class 5 (ISO 14644-1)

运动台与控制
X 轴：带运动控制器的直线电机 + 气浮或直线导轨
Y 轴：带运动控制器的直线电机 + 气浮或直线导轨
Z 轴：滚珠丝杠 + 直线导轨 + 带运动控制器的交流伺服电机 或 直线导轨 + 带运动控制器的直线电机
X-Y 轴分辨率：0.1 µm

检测与计量功能
图形化晶圆：残留、裂纹、划痕、颗粒、焊盘异常、变色、污染、剥落、探针痕迹缺陷、CD 测量
凸点晶圆：二维凸点尺寸、三维凸点高度、凸点缺陷、异物、CD 测量
晶圆框架：崩边、裂纹、划痕、颗粒、污染、CD 测量、锯切 3D 计量
晶圆拓扑：晶圆厚度、顶面翘曲
TSV：TSV 深度检测、沟槽深度
薄膜：氧化物、氮化物、PR、PI 膜厚

可选功能
可选传感技术：3D DFF 模块（0.55 或 1 µm）、SWIR 模块（1、2 或 4 µm）、CSS 模块、TSV/Thin-Film 模块
TSV / Thin-Film 模块：光斑尺寸 50 µm / 25 µm；TSV 纵横比最高 30:1；通孔直径 3–20 µm；膜厚测量范围 100 nm – 30 µm

尺寸
WxDxH：1235 x 2590 x 2050 mm（随 EFEM 变化）
重量：2300 kg（不含 EFEM）

备注
* DFF 与 SWIR 为可选项，可安装；与 TSV/Thin-Film 及 CSS 模块兼容。

技术规格

• 型号：TR7950Q SII
• 品牌：Test Research, Inc. (TRI)
• 成像方式：Stop-and-Go Imaging
• 相机：25 Mpix
• 光学分辨率：2.5 µm
• 3D 技术：Quad Digital Fringe Projectors
• 最大 3D 高度：600 μm
• 照明：多相真彩 LED；同轴照明
• 支持晶圆尺寸：6", 8", 12"
• 支持框架尺寸：8", 12"
• 洁净室：ISO Class 5 (ISO 14644-1)
• X-Y 轴分辨率：0.1 µm
• 可选模块：SWIR (1/2/4 µm), 3D DFF (0.55 或 1 µm), CSS, TSV/Thin-Film 模块
• TSV 模块：光斑尺寸 50 µm / 25 µm；纵横比最高 30:1；通孔直径 3–20 µm
• 膜厚测量范围：100 nm – 30 µm
• 尺寸 (WxDxH)：1235 x 2590 x 2050 mm（随 EFEM 变化）
• 重量（不含 EFEM）：2300 kg