激光切割机 RM-LS-SiC-1200

用于单晶硅晶圆半导体工业

通过利用半透明带状激光器精确聚焦于晶锭内部，借助多光子效应形成均匀的改性层，从而诱导可控的微裂纹扩展。随后进行超声辅助剥离工艺，以实现整个基片的完全剥离。 该设备不仅能高效完成碳化硅（SiC）单晶棒的剥离和晶圆的精密减薄，还适用于氮化镓（GaN）和金刚石等硬脆晶体材料的剥离。 该设备具有剥离损耗极低、平整度高、无机械应力及量产效率高的特点，是宽禁带半导体功率器件的核心量产设备。* 适用于8/12英寸 自主研发的核心模块 聚焦跟踪、光场控制及引导式晶圆拾取的核心算法与结构。 低材料损耗 研磨后总损耗低至100um（8英寸导电型）。 高加工效率 加工效率高：15分钟/片。 一体化解决方案 集激光改性+超声辅助分离+自动晶圆拾取+AOI于一体的解决方案。