环形陶瓷

管状氮化硼绝缘

产品概述
六方氮化硼（h‑BN）陶瓷件，适用于霍尔效应推进器（HET）的等离子体/放电腔体。用于承受高温与等离子体轰击，同时保持电绝缘性和适宜的二次电子发射特性，支持推进器稳定运行。

应用与优点
等离子体腔是推进剂电离的核心区域，承受强烈的热负荷和离子冲击。h‑BN 等级可降低侵蚀与污染、提高电离效率与热稳定性，并在重复运行中保持腔体几何形状。不同等级在热导率、力学强度和电阻率之间提供不同权衡，以匹配推进器设计需求。

特性

• 高热稳定性及抗等离子体轰击能力
• 电绝缘性能良好，依据规格可控制二次电子发射
• 在常用推进剂环境（氙、氪）下化学惰性
• 表面平滑且可加工，适合精密腔体结构

制造与质量
材料由高纯度原料粉和先进烧结工艺制备，确保均匀微观结构与可重复性能。每批次进行热、电和等离子体适配性检测以满足航天等级可靠性。支持定制尺寸与形状，并提供推进器设计与性能优化的技术支持。

氮化硼材料性能（部分等级）

• UHB：主要成分 BN>99.7%；颜色：白色；密度：1.6 g/cm³；三点弯曲强度：18 MPa；抗压强度：45 MPa；热导率：35 W/(m·K)；热膨胀系数（20–1000°C）：1.5×10^-6/K；最高使用温度（大气 / 惰性气体 / 高真空长时间）：900 / 2100 / 1800 °C；室温电阻率：>10^14 Ω·cm；典型应用：氮化物烧结。
• HB：BN>99%；颜色：白色；密度：2.0 g/cm³；三点弯曲：35 MPa；抗压：85 MPa；热导率：40 W/(m·K)；CTE：1.8×10^-6/K；最高温度：900 / 2100 / 1800 °C；电阻率：>10^14 Ω·cm；应用：高温炉。
• BC：BN>97.5%；颜色：白色；密度：2.0–2.1 g/cm³；三点弯曲：35 MPa；抗压：70 MPa；热导率：32 W/(m·K)；CTE：1.6×10^-6/K；最高温度：900 / 2100 / 1900 °C；电阻率：>10^13 Ω·cm；应用：高温炉。
• BMS：BN+SiO2；颜色：白/石墨色；密度：2.2–2.3 g/cm³；三点弯曲：65 MPa；抗压：145 MPa；热导率：35 W/(m·K)；CTE：2.0×10^-6/K；最高温度：900 / 1750 / 1750 °C；电阻率：>10^3 Ω·cm；应用：粉末冶金。
• BMA：BN+A2O3；颜色：白/石墨色；密度：2.25–2.35 g/cm³；三点弯曲：65 MPa；抗压：145 MPa；热导率：35 W/(m·K)；CTE：2.0×10^-6/K；最高温度：900 / 1750 / 1750 °C；电阻率：>10^3 Ω·cm；应用：高温炉。
• BSC：BN+SiC；颜色：微灰绿色；密度：2.4–2.5 g/cm³；三点弯曲：80 MPa；抗压：175 MPa；热导率：45 W/(m·K)；CTE：2.8×10^-6/K；最高温度：900 / 1800 / 1800 °C；电阻率：>10^2 Ω·cm；应用：粉末冶金。
• BMZ：BN+ZrO2；颜色：白/石墨色；密度：2.8–2.9 g/cm³；三点弯曲：90 MPa；抗压：220 MPa；热导率：30 W/(m·K)；CTE：3.5×10^-6/K；最高温度：900 / 1800 / 1800 °C；电阻率：>10^12 Ω·cm；应用：金属铸造。
• BAN：BN+AlN；颜色：微灰绿色；密度：2.8–2.9 g/cm³；三点弯曲：90 MPa；抗压：220 MPa；热导率：85 W/(m·K)；CTE：2.8×10^-6/K；最高温度：900 / 1750 / 1750 °C；电阻率：>10^3 Ω·cm；应用：粉末冶金。
• BSN：BN+Si3N4；颜色：灰/黑；密度：2.2–2.3 g/cm³；三点弯曲：/；抗压：400–500 MPa；热导率：20–22 W/(m·K)；CTE：/；最高温度：900 / 1750 / 1700 °C；电阻率：/；应用：金属铸造。

特性 / 技术规格

• 材料：六方氮化硼（h‑BN），多种等级（UHB、HB、BC、BMS、BMA、BSC、BMZ、BAN、BSN）。
• 纯度：UHB可达 BN > 99.7%；其他等级为含有受控添加剂的 BN 体系。
• 密度：约 1.6–2.9 g/cm³，随等级不同。
• 力学强度：三点弯曲约 18–90 MPa；抗压强度约 45–500 MPa，视等级而定。
• 热导率：约 20–85 W/(m·K)；热膨胀系数：约 1.5–3.5×10^-6/K（20–1000°C），多等级适用。
• 连续使用最高温度：通常在大气中可达 900°C，根据等级在惰性气体或高真空中可显著提高（最高可达约 2100°C）。
• 电绝缘：高纯度等级具有非常高的电阻率（>10^12–10^14 Ω·cm）。
• 制造：高纯度粉体、先进烧结、批次测试以验证热、电及等离子体适配性；提供定制几何形状及技术整合支持。