陶瓷板 BN-AlN

氮化硼氮化铝绝缘

概述
AlN-BN 复合陶瓷零件由氮化硼（BN）和氮化铝（AlN）粉末烧结制成。该复合材料兼具电绝缘性、热导性、机械强度、耐热震性以及对卤素气体等离子体的耐受性，适用于半导体制造和真空设备中需要散热与真空兼容性的零部件。

在离子源中的作用
在离子源中，原子和分子离子在真空腔体内产生。AlN/BN 复合材料提供电绝缘、热传导、真空密封能力和低脱气特性，适合作为离子源中的散热片、热传导板以及真空结构件。

材料优势

• 机械强度与结构稳定性。
• 用于散热的高热导率。
• 低热膨胀系数。
• 低介电损耗与可靠的电绝缘性。
• 耐腐蚀且不被熔融金属润湿。
• 良好的可加工性，可加工成精密复杂形状。
• 真空密封性能好，低气体释放。
• 透过可见光与红外波长，适用于高频波环境。

材料属性

• 主要成分：BN + AlN
• 颜色：灰绿色
• 密度：2.8–2.9 g/cm3
• 三点弯曲强度：90 MPa
• 抗压强度：220 MPa
• 热导率：85 W/m·K
• 热膨胀系数（20–1000℃）：2.8 × 10^-6 /K
• 最高使用温度（在大气中）：900 ℃
• 最高使用温度（在惰性气体中）：1750 ℃
• 最高使用温度（在高真空中）：1750 ℃

应用

• 散热片及热传导部件
• 真空组件与穿隔件
• 需要低介电常数和低损耗因子的部件
• 需要低热膨胀系数的零件
• 兼具电绝缘与散热功能的电子元件
• 霍尔效应推进器的电推进放电通道

技术规格

• 成分：BN + AlN
• 颜色：灰绿色
• 密度：2.8 – 2.9 g/cm3
• 三点弯曲强度：90 MPa
• 抗压强度：220 MPa
• 热导率：85 W/m·K
• 热膨胀系数（20–1000℃）：2.8 × 10^-6 /K
• 最高使用温度：900 ℃（在大气中）；1750 ℃（在惰性气体中）；1750 ℃（在高真空中）