半导体工业坩埚

陶瓷高温应用铝框架

产品概述
INNOVACERA 的导电氮化硼坩埚用于半导体和薄膜制造中的电子束及热蒸发工艺。其导电且低润湿表面与高纯度组成可保护器件免受污染，同时实现金属及陶瓷材料的可控蒸发。适用于合金熔炼、稀土及陶瓷烧结，以及各类涂层和薄膜沉积工艺。

主要特性及用途
该类导电氮化硼坩埚具有优异的耐高温性和抗热循环性能。与多种金属和稀土陶瓷化学稳定，在快速加热和冷却条件下仍能保持完整。典型用途包括电子束蒸发、感应或电阻加热的热蒸发、铝和硅的镀覆以及其他薄膜沉积工艺。

优点

• 高纯度与良好表面光洁度，降低污染、提高薄膜质量。
• 提高蒸发速率，实现更快的沉积并缩短周期时间。
• 改善热稳定性，降低功率需求并提高工艺一致性。
• 使用寿命长，减少停机和更换频率。

优势 / 特性

• 优异的耐高温性和热循环抗性。
• 低热膨胀率，对大多数熔融金属具有抗润湿性。
• 耐热至2000℃；氮化硼不与铝反应且不挥发。
• 提高的蒸发速率：缩短工艺周期并提升整体产率。
• 快速材料更换能力：最小化炉腔停机时间，加快生产换线。
• 增强的热稳定性保证稳定且可控的蒸发行为。

技术规格

• 主要成分：BN + TiB2
• 密度：3.0 g/cm3
• 黏结剂组成：B2O3
• 颜色：灰色
• 室温电阻率：300-2000 Ω·cm
• 使用温度：低于 1800℃
• 热导率：> 40 W/m·K
• 热膨胀系数：(4-6) x 10⁻⁶ K⁻¹
• 抗弯强度：> 130 MPa
• 蒸发速率：0.35-0.5 g/min·cm²