半导体工业坩埚

用于熔融金属转移高温应用氮化硼

概述

• INNOVACERA 生产多种 PBN 陶瓷部件，包括圆盘、片材、灯丝环、VGF 坩埚、LEC 坩埚、MBE 坩埚、锥形坩埚和定制加工零件。

材料与制造
热解氮化硼（PBN）由六方氮化硼（hBN）通过化学气相沉积（CVD）制备。CVD 工艺使 BN 晶粒平行于基板取向，产出超高纯度（≈99.99%）和层状微观结构。CVD PBN 的典型最大壁厚为 3 mm；该材料具有适用于高真空环境和熔融金属应用的高机械强度。

应用

• 真空炉部件
• 晶体生长坩埚（包括用于 GaAs 生产的 MBE 坩埚）
• 分子束外延（MBE）工艺
• 高真空与熔融金属环境

主要特性

• 各向异性的热导率
• 在宽温度范围内具有高电绝缘性和强介电强度
• 超高纯度（≈99.99%）
• 不润湿性和化学惰性
• 无毒
• 耐高温和热冲击

技术规格

• 材料：热解氮化硼（PBN），由六方氮化硼（hBN）衍生
• 制造：化学气相沉积（CVD）
• 纯度：≈99.99%
• CVD 结构：晶粒与基板平行排列
• 典型最大壁厚（CVD）：3 mm
• 机械性能：具有适用于真空环境的高机械强度
• 热性能：各向异性热导率；耐高温和热冲击
• 电性能：高绝缘阻抗和在宽温度范围内的强介电强度
• 化学性能：不润湿、化学惰性、无毒
• 典型产品形式：圆盘、片材、灯丝环、VGF 坩埚、LEC 坩埚、MBE 坩埚、锥形坩埚、定制加工部件