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... INNOVACERA定制陶瓷基板作为功率电子、半导体封装和微电子的基础材料，为电子元件提供机械支撑、电气互连和热管理。
材料与应用
- 96%氧化铝 (Al₂O₃)： 低翘曲、高抗热震性、高耐高温和耐化学性，良好加工性。应用：厚/薄膜芯片电阻、低功率LED、储能及充电桩基板。
- 氮化铝 (AlN)： 高热导率、高击穿电压，热膨胀系数接近硅片。应用：散热片、高功率IGBT模块、高功率LED。
- 氧化锆增强氧化铝
Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd
... 概述：
氮化铝（AlN）陶瓷基板兼具高热导率、电气绝缘性和低热膨胀系数，适用于集成电路和半导体芯片的散热。Innovacera 的热导型陶瓷界面垫片采用 AlN 或氧化铝制造，在提高元件与散热装置之间热传递的同时保持电气绝缘。
优点：
- 出色的热导率
- 低介电常数
- 低介电损耗
- 可靠的电气绝缘性能
- 高机械强度；无毒
- 耐高温和耐化学腐蚀
热导界面垫片：
陶瓷界面垫片填充部件与散热器之间的微小空气间隙，形成优先热传路径，将热量从发热元件传导至散热体或冷却板。以 ...
Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd
... 氧化铝是微电子应用中成本效益最高、使用最广泛的基底材料之一。虽然许多客户对其应用中的烧结表面感到满意，但陶瓷基底抛光有四大好处： 更精细的线条图案 经过精细研磨和抛光处理后，陶瓷基板可以获得更精细的图案线条，这有利于提高电路设计能力，有利于实现细间距、高密度互连电路。 在薄膜应用和厚膜应用中，烧结表面处理一般足以形成 1 密耳的细线和 5 密耳的细线。在烧结表面上形成比这些更细的线条会导致图案清晰度差，从而增加导体电阻，抑制电流流动并降低电路性能。图案清晰度差还会导致射频和微波电路的性能异常，因此我们要对其进行抛光。 更好的上下表面平行度 对基底进行研磨和抛光可改善上下表面之间的平行度。这样做的好处是，在对基底进行金属化和图案化处理时，可以更严格地控制基底的电容和电感。由于电容和电感是决定阻抗的主要因素，因此增加平行度可以提高射频和微波电路的可预测性和性能。 ...
Xiamen Innovacera Advanced Materials Co., Ltd
... 我们当前丰富的陶瓷解决方案产品组合可满足未来排放标准。Corning先进的陶瓷载体在性能、效率和灵活性方面进行了优化，可满足最苛刻的汽油和柴油系统中的所有需求。 来自 首创蜂窝陶瓷解决方案并设定全球催化转换器标准 的公司的一流技术专长 广泛的产品范围，以满足日益严格的全球标准 可实现各种后处理工程解决方案的 配置和属性 产品特色 创新的整体设计，更加耐用 促进快速点火：材料密度低，热 容量低，保温能力高 高抗热震性 灵活适用于相同 体积需要更多表面积或相同表面积需要更低压降的设计 ...
CORNING/康宁
... 概要
Cu-AlN-Cu三层结构的基座，作为高功率激光二极管（LD）模块的散热片使用。Cu/AlN/Cu复合结构在保持电气绝缘的同时提供高热导率。通过控制Cu镀层及各层厚度，可实现与LD芯片的热膨胀系数（CTE）匹配，从而提升输出功率并延长模块寿命。关键边缘区域无需预留pullback，为封装与光学设计提供更大自由度。
优点
- Cu + AlN复合材料，实现高热传导率与电气绝缘并存
- 通过调节Cu与AlN厚度实现与LD的CTE匹配
- 厚度控制可针对特定LD材料微调CTE
- 适用于多发射器（multi-emitter）LD配置
- 关键边缘区域无需pullback
- 利于P面向下（P-side-down）安装与紧凑布局
- 支持AuSn
... 陶瓷基底具有热导率高、绝缘性能好、机械强度高和化学稳定性好等优点。 氮化铝陶瓷基板：热导率大于 200 W/m-K，热膨胀系数与硅相当。它们广泛应用于光通信、大功率 LED、IGBT、半导体制冷器、加热器、航空航天和...电子元件。 氧化铝陶瓷基板：用于电力电子、汽车工业、化学工业和太阳能电池组件等。 ...
... 部分稳定氧化锆 PSZ 是用于薄膜应用的特定部分稳定氧化锆基材。 这种基材材料结合了良好的电气绝缘性能（室温下）、高弯曲强度和高断裂韧性。 由于 PSZ 的晶粒和均匀度非常好，因此可以实现非常精细的 PT 结构。 我们根据您的意愿激光切割材料！ 请发送您的 CAD 数据。 优点 非常细粒度均质晶粒结构 良好的室温电气绝缘性能 非常好的机械强度 可以通过激光切割或波锯切割 良好的平面性 应用 传感器基板 传感器保护板 ...
... 多层氮化铝(AlN) 基板与封装 — 170–180 W/m·K，最高15层内部布线
TDK的AlN多层基板与封装面向宽禁带功率电子，结合高热导率、与SiC/GaN/Si兼容的热膨胀、以及先进的多层布线与屏蔽选项，实现更高的功率密度、改进的散热、更小的占用面积和更高的可靠性。
AlN陶瓷
- 高效热扩散与优异绝缘特性
AlN相比许多陶瓷与基板材料具有更高的热导率（≈170–180 W/m·K）。 - 嵌入式屏蔽降低EMI
多层结构允许在基板内部放置EMI屏蔽层，直接在发射源处进行屏蔽。 - 多层设计实现更紧凑的封装与基板
支持客户定制基板与3D封装，内部布线最多可达15层。
主要优势详述
高效热扩散与优异绝缘特性
- 高热导率（约170–180