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... INNOVACERA定制陶瓷基板作为功率电子、半导体封装和微电子的基础材料，为电子元件提供机械支撑、电气互连和热管理。
材料与应用
- 96%氧化铝 (Al₂O₃)： 低翘曲、高抗热震性、高耐高温和耐化学性，良好加工性。应用：厚/薄膜芯片电阻、低功率LED、储能及充电桩基板。
- 氮化铝 (AlN)： 高热导率、高击穿电压，热膨胀系数接近硅片。应用：散热片、高功率IGBT模块、高功率LED。
- 氧化锆增强氧化铝
... 氮化铝晶圆基板是半导体行业的重要组成部分，以其优异的热性能和电性能而闻名。氮化铝（AIN）材料因其与硅的兼容性而倍受青睐，是各种晶圆相关应用的理想材料。 氮化铝晶圆基底的重要性 氮化铝晶圆基板在半导体行业中发挥着至关重要的作用。氮化铝晶圆基板受欢迎的主要原因之一是其热特性与硅非常接近。这种相似性使 AIN 基底面成为热管理至关重要的半导体应用的绝佳选择。Innovacera 是这些基板的领先供应商，提供各种直径的氮化铝晶圆基板，从 2 英寸到 8 英寸不等，其中 6 英寸和 8 英寸是最常用的尺寸。 氮化铝（AIN）的主要特点 氮化铝（AIN）因其令人印象深刻的特性而脱颖而出，非常适合高级半导体应用。其中最显著的特征包括 高导热性：AIN ...
... 多层氮化铝(AlN) 基板与封装 — 170–180 W/m·K，最高15层内部布线
TDK的AlN多层基板与封装面向宽禁带功率电子，结合高热导率、与SiC/GaN/Si兼容的热膨胀、以及先进的多层布线与屏蔽选项，实现更高的功率密度、改进的散热、更小的占用面积和更高的可靠性。
AlN陶瓷
- 高效热扩散与优异绝缘特性
AlN相比许多陶瓷与基板材料具有更高的热导率（≈170–180 W/m·K）。 - 嵌入式屏蔽降低EMI
多层结构允许在基板内部放置EMI屏蔽层，直接在发射源处进行屏蔽。 - 多层设计实现更紧凑的封装与基板
支持客户定制基板与3D封装，内部布线最多可达15层。
主要优势详述
高效热扩散与优异绝缘特性
- 高热导率（约170–180