INNOVACERA定制陶瓷基板作为功率电子、半导体封装和微电子的基础材料,为电子元件提供机械支撑、电气互连和热管理。
材料与应用- 96%氧化铝 (Al₂O₃): 低翘曲、高抗热震性、高耐高温和耐化学性,良好加工性。应用:厚/薄膜芯片电阻、低功率LED、储能及充电桩基板。
- 氮化铝 (AlN): 高热导率、高击穿电压,热膨胀系数接近硅片。应用:散热片、高功率IGBT模块、高功率LED。
- 氧化锆增强氧化铝 (ZTA): 高强度、高反射率、优异热冲击性能,良好加工性。应用:中功率电源模块、中功率LED、仪器设备。
- 氮化硅 (Si₃N₄): 高热导、高强度与韧性,热膨胀系数接近硅。应用:高功率IGBT模块、大型散热器、无线模块。
价值链的技术优势- 自主可控的高纯度粉体,确保批次一致性及热机械性能稳定。
- 多种成形工艺(带状铸造、干压、等静压)可满足精密件的形状、尺寸及性能要求。
- 精密加工能力:激光加工、磨削与抛光,实现微米级尺寸精度与超低表面粗糙度(Ra可达纳米级)。
- 强大的研发与定制能力,拥有40余项专利,可按要求定制厚度与性能参数。
- 完整的质量管理:IATF16949汽车质量认证,配备精密检测与分析仪器,全流程质量控制。
规格与尺寸- 单位: mm
- 有效尺寸 (A, B): Al₂O₃: 50.8–190;ZTA: 50.8–190;AlN: 50.8–190;Si₃N₄: 138 × 190
- 厚度 (T): Al₂O₃: 0.25–1.5;ZTA: 0.25–1.5;AlN: 0.25–1.0;Si₃N₄: 0.25, 0.32
- 厚度公差: ±5%(最小 ±0.03 mm)— 所有材料
- 翘曲 (C): ≤0.3% — 所有材料
- 表面粗糙度 (μm): Al₂O₃: 0.2–0.6;ZTA: 0.2–0.5;AlN: 0.2–0.75;Si₃N₄: 0.2–0.75
- 尺寸、厚度与表面粗糙度可定制
技术规格- 提供材料:96%氧化铝 (Al₂O₃)、氮化铝 (AlN)、氧化锆增强氧化铝 (ZTA)、氮化硅 (Si₃N₄)。
- 精密加工:微米级尺寸控制,采用先进磨削/抛光可实现纳米级表面Ra。
- 制造工艺:带状铸造、干压、等静压及复杂形状的定制成形。
- 研发与定制:超过40项专利,能根据客户要求调节厚度及电热性能。
- 质量与认证:全流程质量控制并通过IATF16949认证;配备精密检测与分析设备。