氮化铝基板

概要
Cu-AlN-Cu三层结构的基座，作为高功率激光二极管（LD）模块的散热片使用。Cu/AlN/Cu复合结构在保持电气绝缘的同时提供高热导率。通过控制Cu镀层及各层厚度，可实现与LD芯片的热膨胀系数（CTE）匹配，从而提升输出功率并延长模块寿命。关键边缘区域无需预留pullback，为封装与光学设计提供更大自由度。

优点

• Cu + AlN复合材料，实现高热传导率与电气绝缘并存
• 通过调节Cu与AlN厚度实现与LD的CTE匹配
• 厚度控制可针对特定LD材料微调CTE
• 适用于多发射器（multi-emitter）LD配置
• 关键边缘区域无需pullback
• 利于P面向下（P-side-down）安装与紧凑布局
• 支持AuSn / AuGe焊锡真空蒸镀
• 尖锐边角便于精确对准LD
• 边角R < 20 μm

特性比较数据（参考值）
单位 / Cu-AlN-Cu / AlN / CuW（10/20）
材料特性 / − / 绝缘性 / 导电性
热传导率（W/m·K） / 190〜250※ / 170 / 180/200
热膨胀率（CTE, ppm/℃） / 6〜10※ / 4.6 / 6.5/8.3
电阻率（Ω·m） / − / − / 5.3/4.0 (×10-8)
工作电压（V） / <200 / <200 / NA
相对介电常数（@1 MHz） / − / 9 / NA
损耗角正切（Tan δ） / − / 5×10-4 / NA
（※可通过设计控制）

市场 / 应用

• 工业激光：用于熔接、切割、打标、表面处理（退火）等的激光设备
• 医疗激光：眼科、脱毛、内窥镜用激光系统
• 半导体设备：功率器件与激光加工工具
• 数码设备：激光打印机、数码复合机

特性 / 规格（技术摘要）

• 产品类型：绝缘型 Cu-AlN-Cu 三层基座（Cu / AlN / Cu）
• 功能：用于高功率LD模块的散热片，兼顾热导率与电气绝缘
• 热传导率：190〜250 W/m·K（Cu-AlN-Cu，设计可控）
• CTE：6〜10 ppm/℃（设计可控）
• 电阻率：Cu-AlN-Cu未指定（CuW为导电示例）
• 工作电压：<200 V
• 相对介电常数（@1 MHz）：9（参考值）
• 损耗角正切（Tan δ）：5×10-4（参考值）
• 焊接：支持AuSn / AuGe焊锡真空蒸镀
• 边角质量：边角R < 20 μm，以实现精确对准LD
• 设计说明：通过控制Cu镀层厚度实现与LD的热匹配；关键边角无需pullback；可调Cu/AlN厚度以优化CTE
• 推荐用途：多发射器LD及P-side-down结构