MOSFET晶体管 IPD380P06NM
功率开关雪崩

MOSFET晶体管 - IPD380P06NM - Infineon Technologies AG - 功率 / 开关 / 雪崩
MOSFET晶体管 - IPD380P06NM - Infineon Technologies AG - 功率 / 开关 / 雪崩
MOSFET晶体管 - IPD380P06NM - Infineon Technologies AG - 功率 / 开关 / 雪崩 - 图像 - 2
添加到我的收藏夹
添加到产品对比表

产品规格型号

类型
MOSFET
类型
功率, 开关
其他特性
雪崩
电流

-35 A

电压

-60 V

产品介绍

OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 60 V 采用 DPAK 封装,适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用,降低中低功率应用的设计复杂性。具有与 MCU 的简单接口、快速切换以及雪崩强度高的特点,适用于高质量要求的应用。它具有宽 RDS(on) 范围的逻辑电平,并可提高低负载下的效率。 产品优势 轻松连接 MCU 低负载、低 Qg 时效率提升 快速开关 雪崩耐受性

PDF产品目录

Infineon Technologies AG 的其他产品

Power MOSFET

* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。