MOSFET晶体管 IPD380P06NM
功率开关雪崩

MOSFET晶体管 - IPD380P06NM - Infineon Technologies AG - 功率 / 开关 / 雪崩
MOSFET晶体管 - IPD380P06NM - Infineon Technologies AG - 功率 / 开关 / 雪崩
MOSFET晶体管 - IPD380P06NM - Infineon Technologies AG - 功率 / 开关 / 雪崩 - 图像 - 2
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产品规格型号

类型
MOSFET
类型
功率, 开关
其他特性
雪崩
电流

-35 A

电压

-60 V

产品介绍

OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 60 V 采用 DPAK 封装,适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用,降低中低功率应用的设计复杂性。具有与 MCU 的简单接口、快速切换以及雪崩强度高的特点,适用于高质量要求的应用。它具有宽 RDS(on) 范围的逻辑电平,并可提高低负载下的效率。 产品优势 轻松连接 MCU 低负载、低 Qg 时效率提升 快速开关 雪崩耐受性

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展厅

该卖家将出席以下展会

ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 11月 2026 Munich (德国) 展会 C3 - 展台 501, 502

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