MOSFET晶体管 BSC027N10NS5

功率

描述： 英飞凌采用 SuperSo8 封装的 OptiMOS™ BIC MOSFET 扩展了 OptiMs™ 3 和 5 产品组合，并提高了功率密度，满足了降低系统成本和提高性能的需求。 低反向恢复电荷 (Qrr) 可显著降低电压过冲，从而最大限度地减少对缓冲电路的需求，从而降低了工程成本和精力，从而提高了系统可靠性。 关键功能 最低 RDS (on) 可实现最高的功率密度和效率； 工作温度额定为 175° C，提高可靠性； 低 RTHJC，具有出色的热性能；低 反向恢复电 荷 (Qrr) 关键优势低满载温度低并 联性 减少过冲 增加系统功率密度 小尺寸 系统成本降低 工程成本和减少工作量 目标应用 服务器 电信 电动工具 低压驱动 D 类音频应用