开关晶体管

电流: -16.4 A
电压: -60 V

... 概述

• IPD900P06NM 是一款面向开关和电源管理应用的 P 沟道功率 MOSFET。
• 技术: OptiMOS™
• 极性: P (P 沟道)
• 典型封装: DPAK (TO-252)

• 最大漏源电压 (VDS max): -60 V
• 最大导通电阻 (RDS(on) max): 90 mΩ

• Manufacturer:

电流: 150 A - 3,600 A
电压: 1,200, 1,700, 3,300, 4,500, 6,500 V

日立能源的 IGBT 功率模块有单相、双相/相臂、斩波器 IGBT 和双二极管模块，电压范围为 1700 至 6500 伏。高功率 HiPak IGBT 模块具有低损耗、软开关性能和破纪录的安全作业区 (SOA)。新推出的 62Pak 和 LoPak 快速开关中功率 IGBT 模块具有最低的开关损耗、全 175°C 运行、正方形 SOA 以及可插入式更换的标准封装。

电压: 60 V

... NPN 外延硅晶体管 应用 该产品用途广泛，适用于多种不同应用。 ...

电流: 8 A
电压: 600 V

... 这款 IGBT 采用先进的 PowerMESH™ 工艺，在开关性能和低导通特性之间实现了出色的权衡。 所有特性 更低的导通压降（VCE(sat) 非常软的超快速恢复反并联二极管 较低的 CRES / CIES 比率（无交叉传导电感） 短路耐受时间 10µs ...

电流: 95 A
电压: 40 V

... RH6G040BG是一款具有低导通电阻和高功率封装的功率MOSFET，适合用于开关。 低导通电阻 高功率小模具封装(HSMT8) 无铅镀层；符合RoHS标准 无卤素 ...

电流: 0.8 A
电压: 50 V

... 直流电流增益 HFE 最大值：400 直流电流增益 HFE 最小值 ：160 产品描述：TO-92，50V，0.8A，NPN 双极晶体管 IC（A）：0.8P D（W）：0.625 封装：TO-92 极性：NPN 状态：有源 TJ 最大值。 (℃): 150 维也纳中央广播组织 (五): 50 维也纳教育中心星期六. (五): 0.7 职级 首席执行官 (五): 45 VEBO (五): 5 ...

电压: 20, 50 V

... 单封装 N 沟道 MOSFET 和 NPN 晶体管， 低导通电阻，极 低栅极阈值电压，1.0V 最大 低输入电容快速开关速度低输入/输出泄漏， 超小型表面贴装封装 引线，无卤素和锑，符合 RoHS 标准（注 2） ESD 受保护的 MOSFET 栅极高达 2kV “绿色” 器件（注 3） 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性 ...

电压: 50, 60, 7 V

... 中央半导体 CMKT3920（两个单 NPN 晶体管）是一种双通道组合，采用节省空间的 SOT-363 ULTRAmini™ 封装，专为小信号通用放大器和开关应用而设计。 标记代码K20 特性： - ULTRAmini™ 节省空间封装，包含两个 3920 NPN 晶体管 应用： 负载开关 - 负载开关 - 小信号放大 - 灯和继电器驱动器 - MOSFET 栅极驱动 ...

电流: 100 mA
电压: 60, 50 V

... 典型应用 数字控制 开关、信号处理 商用/工业级 后缀 -Q：后缀 -Q: 符合 AEC-Q101 标准） 后缀 -AQ：符合 AEC-Q101 资格标准 x) 特点 集成偏置电阻组合，节省成本和空间 偏置电阻组合，节省成本和空间 符合 RoHS（无豁免）、 REACH、冲突矿产 *) ...

... 特点。 - 现场停止沟槽门IGBT - 短路额定值>10ps - - 低饱和电压 - 低开关损耗 - 100% RBSOA 测试 (2*lc) - 低杂散电感 - 无铅，符合RoHS要求 - 带有PressFIT信号引脚和螺钉电源端子的组装解决方案 应用。 - - 电机驱动 - - 太阳能应用 - - UPS系统 ...