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反向电压: 650 V
... 恢复时间更短，可实现高速切换。 特点 恢复时间更短 降低温度依赖性 可实现高速开关 高浪涌电流能力 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
反向电压: 600 V
... 描述 Qspeed™ 二极管具有任何硅二极管中最低的 QRR。 其恢复特性可提高效率、降低 EMI 并消除缓冲器。 产品亮点 现在 TO-263 (D2PAK) 封装中提供的功能 低 QRR、低 IRRM、低 TRR 高DIF/DT 能力 (1000A/µs) 软恢复 优势 提高了效率， 消除了对缓冲电路的需求， 减小 EMI 滤波器元件尺寸和数量 使器件极快 开关 应用 功率因数校正 (PFC) 升压二极管 电机驱动电路 DC-AC 逆变器 ...
Power Integrations
Diodes Incorporated
反向电压: 70 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR CMDD6263 是一款高压、低 VF、硅肖特基二极管，采用表面贴装封装，专为要求低正向压降的快速开关应用而设计。 特点 - 低正向电压 ...
Central Semiconductor
电压阈值: 10 V - 45 V
反向电压: 8 kV - 15 kV
... ※ 特点： 高速开关特性，TRR 50-150ns。 低泄漏，抗浪涌，抗冲击。 出 色的雪崩电压击穿保护功能。 耐热性高，PN 结温峰 150℃ 环保工艺，国际标准 采用环氧树脂成型真空封装，具有耐腐蚀表面 ※ 用途： 监控 FBT、负离子发生器 VTR 相机高压电源静电涂层、植绒、高压发生器 高压检测、小型 X 射线机、电棍 高频双整流器电路、其他电压电源电路。 ...
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
... 特点 M iniPak HMPS-282x 系列肖特基二极管是目前最一致和最佳的全方位器件，适用于在高达 6 GHz 的频率下进行混合、检测、开关、采样、箝位和波形整形等应用。 与传统的带铅二极管相比，MiniPak 封装具有更低的寄生性，并且更低的热阻性。 VBR = 15 伏特，Ct = 1.0pF，RD = 10 欧姆，VF @ 1 毫安 = 340 毫伏 ...
Broadcom