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反向电压: 650 V
... 更短的恢复时间，实现高速切换。 特点。 减少了对温度的依赖 可实现高速开关 高浪涌电流能力 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
反向电压: 650 V
... 更短的恢复时间，实现高速切换。 特点。 减少了对温度的依赖 可实现高速开关 高浪涌电流能力 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
反向电压: 650 V
... 更短的恢复时间，实现高速切换。 特点。 减少了对温度的依赖 可实现高速开关 高浪涌电流能力 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电压阈值: 5.35 V - 13.8 V
有助于提高输出电压钳位 - 即便是在输入电压很高并且二极管电流较强的情况下。 我们的PolyZen器件为聚合物增强型精密齐纳二极管微组件。 这些器件的先进特色在于将齐纳二极管与电阻非线性PPTC（聚合体正温度系数）层进行了热耦合。 这一PPTC层与器件完全集成，并且与VIN和二极管钳位VOUT之间以电路串联。 这些装置可在无需多瓦特散热片的情况下，针对多瓦特故障提供复位保护。 运用PolyZen器件保护低功耗直流应用，防范感应电压尖峰、电压瞬变、故障电源和反向偏压造成的破坏。 功能与特色: 多瓦特和延时保护 ...
Littelfuse/力特
此系列碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高运行结温。对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言，这些二极管系列是理想选择。 功能与特色: 符合AEC-Q101 正温度系数可确保安全运行，并轻松并联 最高运行结温为175 °C 卓越的浪涌性能 极为迅速、不受温度影响的切换行为 相比硅双极二极管，切换损耗显著减少 应用: ...
Littelfuse/力特
反向电压: max 650.0 V
此系列的碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175 °C的最高工作结温。该二极管系列是需要提高效率、可靠性与热管理的应用的理想选择。 功能与特色: 符合AEC-Q101 正温度系数可确保安全运行，并轻松并联 最高运行结温为175 °C 卓越的浪涌性能 极为迅速、不受温度影响的切换行为 相比硅双极二极管，切换损耗显著减少 应用: 配备PFC或DC/DC级二极管 ...
Littelfuse/力特
反向电压: 650 V
... 1. 应用 • 功率因数校正 • 太阳能逆变器 • 不间断电源 • DC-DC 转换器 2. 特点 (1) 第二代芯片设计。 ( 2) 高浪涌电流能力:IFSM = 79A (最大值 ) (3) 结电容小:Cj=36 pF (典型值) ( 4) 反向电流较小：IR ...
Toshiba America Electronics Components
电压阈值: 30 V - 200 V
反向电压: 0.4 V - 0.9 V
... 呈现革命性的新产品。 意法半导体的汽车级二极管确实是一种类型的产品。 它旨在满足众多的应用和设计理念。 二极管符合 AEC-Q101 标准，适用于多种汽车功能中使用的 DC-DC 转换器，其主要用途是在低至-40 °C 和高达 +150 °C 的结温下运行。给定整流器。 它还具有一个特殊的筛选矩阵。 一个明确的必须有任何人。 ...
STMicroelectronics/意法半导体
... RHRP15120 是一款令人难以置信的快速二极管，具有软恢复性能（trr < 65ns）。 其氮化硅钝化、离子植入、外延平面结构，可在超快二极管恢复时间的一半时间内运行。 在@@ 不同的开关电源和其他电源开关设备中，它最好用作自由轮、箝位二极管和整流器。 该器件还可用于降低各种电源开关电路中的电气噪声，因为其存储电荷极小，且具有超快速的软恢复。 ...
Fairchild Semiconductor/仙童
电压阈值: 1.5 V - 3 V
反向电压: 360 V - 1,250 V
... 瑞萨电子二极管经过创新设计和制造，可支持轻型和小型移动设备的最佳性能。 这些二极管也适用于在电源不足的情况下提供稳压电源，并参照浪涌吸收和电压检测。 这些二极管支持高频率、更低的电容，从而降低损耗并降低导通电阻。 这些器件被称为快速恢复二极管，因为它们是高性能的设备，具有低正向电压和高速反向恢复时间，从而实现器件的最佳效率。 还有另一种相对较新的材料的用法。 这种材料被称为碳化硅，以提高器件的效率而闻名。 这些二极管的另一个吸引力特点是，它们有助于降低功率损耗，并通过较低的导通电阻改善功耗。 ...
... Noisecom 的噪声二极管是模拟噪声系统的基本构件。 它们按性能特征进行分类，可增强宽带噪声输出和平坦频谱响应。 所有噪声通信噪声二极管都能提供对称的白色高斯噪声和平坦的输出功率与频率 *。 快速功能 * 可根据要求提供定制电气测试 * 多种封装和定制配置 * NC100 和 200 系列适用于音频和射频应用 * NC300 和 400 系列适用于微波应用 * 平坦度和输出功率取决于外围电路特征 ...
反向电压: 20 V - 2,000 V
概述 由于行动通讯运算与视听设备市场之小型化需求，半导体产业研发出更小型的电子组件，目前在设计小型电子系统时面临到主机板空间不足的问题，因此加速电子组件替代封装的需求。功能整合与小型化为成功关键！ 为达到小型化需求，Bourns 新一代芯片二极管因应而生，能以最少成本封装提供硅二极管。镀有铜/镍/金接点的小讯号二极管 0603、1005、1206 等芯片二极管为无铅产品，而其它封装(SMA, SMB, SMC, 1408, 1607, 2010, 2419, ...
反向电压: 200 V - 1,000 V
... 描述： 中央半导体 CMMR1 系列高电流密度整流器采用 SOD-123F 表面贴装封装，专为所有类型的商业、工业计算机和汽车 应用而设计。 ...
Central Semiconductor
电压阈值: 5, 3.3 V
... 特点 低夹紧电压 坚固的设计 非常低电容 流通设计，用于简单的布局 轨到轨保护 环氧防火 UL94-V0 RoHS，REACH 和无卤素 应用 非常快速的数据线 USB 2.0 以太网 PoE VGA SIM 卡键盘 ...
电压阈值: 5, 20, 12, 7 V
... 特点 快速接通 低夹紧电压 高 ESD 承受电压 单向或双向保护 小封装 环氧防火 UL94 V-0 应用 直流电源 USB 电源输送 (PD) 耳机及配件 PDA 数码相机 MP3 播放器 触摸面板 笔记本电脑 ESD、EFT 和浪涌 保护 ESD 保护符合 EN 61000-4-2 — 8 kV 触点放电 — 15 kV 空气放电 ...
... 配置: 双向 描述: 1500W, 100V, 10%, 双向电视, 电视 系列: 10.9 IR (μA): 1 PK (W): 1500 封装: DO-201 状态: 有源 TJ 最大. (摄氏度): 175 公差 ± (%): 10 伏特最大值. (五) 段: 110 伏特最小值. (五) 项: 90 万万比勒诺. (V): 100 伏 特夹钳 (V): 144 伏 特威特克 (V): 81 ...
反向电压: 600 V
... 描述 Qspeed™ 二极管具有任何硅二极管中最低的 QRR。 其恢复特性可提高效率、降低 EMI 并消除缓冲器。 产品亮点 现在 TO-263 (D2PAK) 封装中提供的功能 低 QRR、低 IRRM、低 TRR 高DIF/DT 能力 (1000A/µs) 软恢复 优势 提高了效率， 消除了对缓冲电路的需求， 减小 EMI 滤波器元件尺寸和数量 使器件极快 开关 应用 功率因数校正 (PFC) 升压二极管 电机驱动电路 DC-AC 逆变器 ...
Power Integrations
电压阈值: 0.38 V - 0.95 V
反向电压: 20 V - 200 V
... 反向间距电压范围为 1,000V 至 20,000V 的平均正向整流电流范围为 0.2A 至 0.75A ...
Frontier Electronics, Corp.
... 特点 • 高浪涌电流能力 • 螺柱阴极和螺柱阳极版本 • 宽电流范围 • 类型高达 1200 V VRRM • 专为工业和消费类型 • 材料分类：用于符合性定义 典型应用 • 电池充电 •转换器 • 电源 • 机床控制器 ...
VISHAY
... 特点 • 塑料封装具有承销商 实验室可燃性等级 94 V-0 • 用于表面贴装应用 • 玻璃钝化芯片结点 • 低齐纳阻抗 • 低调节系数 • 保证高温焊接： 端子处有 250° C/10 s • 符合 根据《欧洲卫生条例》第2002/95/EC号指令，以及 根据《欧洲卫生条例》2002/96/EC ...
VISHAY
电压阈值: 650 V
反向电压: 650 V
... 在SiC宽带隙材料上使用肖特基技术的多数载流子二极管 正的VF温度系数，易于并联 几乎没有恢复尾巴，没有开关损耗 - 温度不变的开关行为 - 175 °C的最大工作结温 - 采用MPS结构，对正向电流有很强的耐受性 浪涌事件 - 符合JESD 201的1A级晶须测试 - 锡槽温度最高为275°C，每10秒一次 JESD 22-B106 宽带隙SiC基650V肖特基二极管，为高性能和坚固性而设计。是高速硬开关和在宽温度范围内有效运行的最佳选择，它也被推荐用于所有遭受硅超快恢复行为的应用。 超快恢复行为。典型的应用包括AC/DC ...
VISHAY
电压阈值: 0.23 V - 1.18 V
反向电压: 2 V - 250 V
... 低损耗和高电流肖特基二极管和整流器。 ...
ON Semiconductor
反向电压: 0 V - 3,000 V
... 二极管可以细分为两大类。整流二极管（标准恢复）和快速二极管。整流二极管一般用于将AC（交流电）转换为DC（直流电）。整流二极管虽然经过优化，导通损耗较低，但在从导通状态到阻断状态的转换过程中，只能承受适度的动态应力。 另一方面，快速二极管是直流-交流转换中开关的配套器件。每一个开关（GTO、IGCT或IGBT）都需要一个互补二极管（例如用于 "自由旋转 "的无功功率），以便使直流-交流转换系统能够与电感负载一起运行。 快速二极管经过优化，可以接受高动态应力（从导电状态快速过渡到阻断状态）。然而，它们通常比整流二极管具有更高的导通损耗。对于每个开关系列（GTO、IGCT和IGBT），我们都能提供针对开关应用进行优化的快速二极管。 ...
GREEGOO ELECTRIC CO LTD
电压阈值: 12 V
反向电压: 12 kV
... 产品特点 1. 低泄漏、耐冲击性、雪崩击穿 保护等 2. 体积小，安装方便，适合自动生产。 3. 高速开关特性，环 保工艺设计，符合国际标准。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
反向电压: 20 kV
... 简介： 荣科高压硅整流器总成采用优质硅晶片和高可靠性环氧树脂密封结构制成，并通过专业检测设备检验合格后给客户。 特点： 1. 高可靠性设计。 2. 高压设计。 3. 高电流、低正向电压 4. 符合 RoHS 和 SGS 标准。 5. 在真空中成型环氧树脂表面具有抗腐蚀性。 应用： 1. 加速器电源。 2. 高压测试设备电路。 3. 通用高压整流器。 4. 环境脱硫系统。 机械数据： 1. 案例：环氧树脂成型。 2. 端子：螺丝孔。 3. 净重：约 90.0 克。 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
... 高压组件应 用电源系统生产一系列高压脉冲电源组件，适用于各种应用。 我 们利用我们的大功率半导体堆栈、热管理系统、高压 SCR 烧制卡和光纤接口，生产各种配置和输出电流容量范围从 4KV 到 68KV 的单相和多相半导体开关组件。 与 替代开关技术相比，这些基于半导体的高压开关提供了更好的性能和可靠性。 APS 提供的标准高压脉冲功率组件样本如下所示。 APS 拥有多年的设计经验和专业知识，可为脉冲功率应用设计可靠、定制的高压堆栈。 HVD54K 高压二极管箝位堆栈，54kV ...
反向电压: 200, 1,600 V
特點 玻璃鈍化芯片 高浪湧電流承載 隔離電壓高達1600V 螺栓陰極與楊極版本 多種電流規格 符合RoHS規範 應用 電池充放電 轉換器 電源 機床控制
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
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