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反向电压: 400 V
... 应用范围 - 照相机闪光灯 RoHS 兼容产品 (#) - 可用 ...
Toshiba America Electronics Components
... Noisecom 的噪声二极管是模拟噪声系统的基本构件。它们的性能特点可增强其宽带噪声输出和平坦频谱响应。所有 Noisecom 噪声二极管都能提供对称的白高斯噪声和随频率变化的平坦输出功率*。 可根据要求提供定制电气测试 多种封装和定制配置 用于音频和射频应用的 NC100 和 200 系列 用于微波应用的 NC300 和 400 系列 * 平坦度和输出功率取决于外围电路特性 ...
反向电压: 600 V
... 描述 Qspeed™ 二极管具有任何硅二极管中最低的 QRR。 其恢复特性可提高效率、降低 EMI 并消除缓冲器。 产品亮点 现在 TO-263 (D2PAK) 封装中提供的功能 低 QRR、低 IRRM、低 TRR 高DIF/DT 能力 (1000A/µs) 软恢复 优势 提高了效率， 消除了对缓冲电路的需求， 减小 EMI 滤波器元件尺寸和数量 使器件极快 开关 应用 功率因数校正 (PFC) 升压二极管 电机驱动电路 DC-AC 逆变器 ...
Power Integrations
电压阈值: 1.5 V - 3 V
反向电压: 1,250, 600, 650 V
... Renesas 的快速恢复二极管可为超高频应用中的整流提供快速恢复时间。 ...
电压阈值: 600 V
反向电压: 600 V
车载快速恢复二极管 与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 特点： ・TO-220封装品。 ・高效率、高可靠性。
ROHM Semiconductor/罗姆
反向电压: 200 V - 1,000 V
... 描述： 中央半导体 CMMR1 系列高电流密度整流器采用 SOD-123F 表面贴装封装，专为所有类型的商业、工业计算机和汽车 应用而设计。 ...
Central Semiconductor
... 特性和优势 快速开关速度 超小型无引线表面贴装封装 (0.6 x 0.3mm) 超低规格封装 (0.3mm) 低正向电压 快速反向恢复 低电容 无引线设计 / RoHS 兼容的 “绿色” 器件 ...
反向电压: 0 V - 3,000 V
... 二极管可以细分为两大类。整流二极管（标准恢复）和快速二极管。整流二极管一般用于将AC（交流电）转换为DC（直流电）。整流二极管虽然经过优化，导通损耗较低，但在从导通状态到阻断状态的转换过程中，只能承受适度的动态应力。 另一方面，快速二极管是直流-交流转换中开关的配套器件。每一个开关（GTO、IGCT或IGBT）都需要一个互补二极管（例如用于 "自由旋转 "的无功功率），以便使直流-交流转换系统能够与电感负载一起运行。 快速二极管经过优化，可以接受高动态应力（从导电状态快速过渡到阻断状态）。然而，它们通常比整流二极管具有更高的导通损耗。对于每个开关系列（GTO、IGCT和IGBT），我们都能提供针对开关应用进行优化的快速二极管。 ...
GREEGOO ELECTRIC CO LTD
反向电压: 20 kV
... 简介： 荣科高压硅整流器总成采用优质硅晶片和高可靠性环氧树脂密封结构制成，并通过专业检测设备检验合格后给客户。 特点： 1. 高可靠性设计。 2. 高压设计。 3. 高电流、低正向电压 4. 符合 RoHS 和 SGS 标准。 5. 在真空中成型环氧树脂表面具有抗腐蚀性。 应用： 1. 加速器电源。 2. 高压测试设备电路。 3. 通用高压整流器。 4. 环境脱硫系统。 机械数据： 1. 案例：环氧树脂成型。 2. 端子：螺丝孔。 3. 净重：约 90.0 克。 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
反向电压: 5 V - 440 V
... 瞬态电压抑制器二极管（也称为 TVS 二极管）是一种固态 pn 结器件（二极管），旨在保护电子电路免受电压瞬变和过压威胁，如静电放电（ESD）和快速瞬变（EFT）。 TVS 二极管是硅雪崩器件，具有快速响应时间、低泄漏电流和低结电容。 TVS 二极管能够比其他常见的过压保护元件（如压敏电阻或气体放电管 (GDT)）更快地响应过压。 Frontier 的 TVS 二极管提供单向和双向配置。 在选择 TVS 二极管时，需要考虑一些重要的参数，箝位电压 ...
Frontier Electronics, Corp.
电压阈值: 25 V - 550 V
反向电压: 20 kV - 450 kV
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
电压阈值: 40 V - 60 V
反向电压: 40 V
... 备用电源系统有时需要对电池进行OR-ing。例如，在主电池放电时让系统上线。当电流较低时，使用一个简单的二极管就可以轻松完成。然而，当电流变得更大时，由于二极管的正向电压不可避免，二极管的功率耗散迅速增加到不可接受的水平。更不用说这个正向电压浪费了5%到10%的可用功率（来自12V电池）。 出于这个原因，我们设计了这个有源 "理想 "二极管块。二极管被一个高电流的mosfet所取代。在没有工作电压的情况下，这个mosfet表现得像一个普通的二极管。施加电压后，mosfet驱动器被激活。驱动器启用mosfet，并将正向电压调节到30mV（比典型的普通二极管低30倍），或调节到给定的电流和mosfet的Rds电阻所能达到的最低电压。这个电阻导致每安培的正向电压约为1mV。 性能： 为了说明这一点，在60A的测试装置中，16mm²的电线和它们的终端分别造成85和95mV的电压降！在二极管上的电压降为0！跨越二极管的电压降，在终端螺丝上测量为73mV。 规格： 反向电压等级40V 额定电流600A 封装SOT-227（尺寸25x38mm）。 适用于4mm和5mm环形端子的M4螺丝端子 与金属底座的电气隔离 ...
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