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电压阈值: 12 V
SP1003系列中的产品符合AEC-Q101标准，适合用于汽车应用。 采用专有硅雪崩技术装配的齐纳二极管，保护每一输入/输出引脚，为可能经历破坏性静电放电 （ESD）的电子设备提供高层次保护。 该二极管功能强大，可安全吸收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）时反复性ESD震击，性能无任何降低。 此外，每个二极管还可在很低的箝位电压下安全耗散7A的8/20μs波形浪涌电流（IEC61000-4-5）。 功能与特色: ESD，IEC61000-4-2，±30kV（触点），±30kV（空气） ...
电压阈值: 5.35 V - 13.8 V
有助于提高输出电压钳位 - 即便是在输入电压很高并且二极管电流较强的情况下。 我们的PolyZen器件为聚合物增强型精密齐纳二极管微组件。 这些器件的先进特色在于将齐纳二极管与电阻非线性PPTC（聚合体正温度系数）层进行了热耦合。 这一PPTC层与器件完全集成，并且与VIN和二极管钳位VOUT之间以电路串联。 这些装置可在无需多瓦特散热片的情况下，针对多瓦特故障提供复位保护。 运用PolyZen器件保护低功耗直流应用，防范感应电压尖峰、电压瞬变、故障电源和反向偏压造成的破坏。 功能与特色: 多瓦特和延时保护 ...
电压阈值: 12 V - 51 V
反向电压: 8 V - 40.8 V
... - 平均耗散功率：P = 2 W - 齐纳电压：VZ = 12 至 51 V - 采用小型表面贴装封装 "M-FLATTM"（东芝封装名称），适合紧凑型装配 即使工作条件（即工作温度、电流、电压等）在绝对最大额定值范围内，在重负载下连续使用（如施加高温、高电流、高电压以及温度的显著变化等）可能会导致本产品的可靠性显著降低。请在阅读东芝半导体可靠性手册（"操作注意事项"/"降额概念和方法"）和个别可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）后设计适当的可靠性。 ...
电压阈值: 1.5 V - 3 V
反向电压: 1,250, 600, 650 V
... Renesas 的快速恢复二极管可为超高频应用中的整流提供快速恢复时间。 ...
电压阈值: 3.3 V - 75 V
反向电压: 1 V - 56 V
... 齐纳二极管提供精确的电压调节。提供标准 SMD 封装和用于小型化的新型无引线侧壁电镀 DFN1006-2A 封装，帮助您更高效地应对下一代设计挑战。齐纳二极管的功率范围从小于 350 mW 到大于 500 mW，包括多种符合汽车标准和 P... 要求的部件。 特点 硅平面功率齐纳二极管 用于额定功率较高的稳压和削波电路 标准齐纳电压公差为 ± 5 应用 稳压 ...
反向电压: 1 V
... 描述： 中央半导体 BZV55C2V4 系列是高品质、高可靠的硅齐纳二极管，设计用于所有类型的商业、工业、娱乐、计算机和汽车应用。 标记：阴极带 ...
Central Semiconductor
电压阈值: 3.3 V - 39 V
Diodes Incorporated
反向电压: 0.71 V - 106 V
... 典型应用 稳压和稳压器 (单向和双向过压保护 - 参见 TVS 二极管 TGL34 系列） 商业级 l) 特点 高功率耗散 符合 RoHS 和 REACH 标准、 冲突矿产 *) ...
Diotec
电压阈值: 3.3 V - 330 V
... 齐纳二极管是一种独特的二极管，它允许电流在正向方向流动，并且当电压高于某一值时，电流可以向反向流动。 该击穿电压称为齐纳电压 (VZ)。 在非齐纳二极管中，齐纳电压很高，如果允许高于 ZV 的反向电流通过，则二极管将永久损坏。 齐纳二极管的设计使得 ZV 处于低得多的值，允许控制击穿，当齐纳电压以上的反向电流通过时，不会损坏二极管。 齐纳二极管通常用于电压稳定器/稳压器、浪涌抑制器、峰值剪刀、开关操作、基准元件和许多其他应用。 齐纳二极管的恒定反向电压使其成为一个非常有用的元件，用于调节输出电压，防止负载电阻的变化或来自非稳压电源的输入电压变化。 ...
Frontier Electronics, Corp.
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