二极管

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PN结二极管
PN结二极管
2CL20KV/2A

反向电压: 20 kV

... 简介: 荣科高压硅整流器总成采用优质硅晶片和高可靠性环氧树脂密封结构制成,并通过专业检测设备检验合格后给客户。 特点: 1. 高可靠性设计。 2. 高压设计。 3. 高电流、低正向电压 4. 符合 RoHS 和 SGS 标准。 5. 在真空中成型环氧树脂表面具有抗腐蚀性。 应用: 1. 加速器电源。 2. 高压测试设备电路。 3. 通用高压整流器。 4. 环境脱硫系统。 机械数据: 1. 案例:环氧树脂成型。 2. 端子:螺丝孔。 3. 净重:约 90.0 克。 ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
功率二极管
功率二极管
HVD54K

... 高压组件应 用电源系统生产一系列高压脉冲电源组件,适用于各种应用。 我 们利用我们的大功率半导体堆栈、热管理系统、高压 SCR 烧制卡和光纤接口,生产各种配置和输出电流容量范围从 4KV 到 68KV 的单相和多相半导体开关组件。 与 替代开关技术相比,这些基于半导体的高压开关提供了更好的性能和可靠性。 APS 提供的标准高压脉冲功率组件样本如下所示。 APS 拥有多年的设计经验和专业知识,可为脉冲功率应用设计可靠、定制的高压堆栈。 HVD54K 高压二极管箝位堆栈,54kV ...

通孔二极管
通孔二极管
GP0, HV0 series

电压阈值: 0.38 V - 0.95 V
反向电压: 20 V - 200 V

... 反向间距电压范围为 1,000V 至 20,000V 的平均正向整流电流范围为 0.2A 至 0.75A ...

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Frontier Electronics, Corp.
雪崩二极管
雪崩二极管
DA

电压阈值: 10 V - 18 V

... DA 系列-碟形和螺柱设计的雪崩二极管。 雪崩二极管是一种二极管,设计用于在指定的反向偏置电压下分解和导行。 我们的二极管特点: • 半导体元件直径:24 — 80 毫米 • 久经考验的质量 • 标称电流:200-5000A • 行业标准设计 • 广泛和流行的器件类型 • 改进的热循环能力和坚固性 • 功率端子和 互连 • 真空焊接 • 由于压封结构,对循环负载具有高抵抗性 • 封闭式金属玻璃和金属陶瓷盘壳 体 • 保证在雪崩击穿模式下最大功耗 选项: • ...

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Proton-Electrotex, JSC
PN结二极管
PN结二极管
2CLXKV/20mA

电压阈值: 25 V - 550 V
反向电压: 20 kV - 450 kV

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Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
快恢复二极管
快恢复二极管

插入二极管
插入二极管
GUVA-T11GD

电压阈值: 5 V

... - 氮化镓基材料 - 肖特基型光电二极管 - 光电模式操作 - 良好的可见盲性 - 高响应度和低暗电流 - 紫外线固化 - 紫外线杀菌 - 紫外线光谱 - 紫外线指数监测 - 紫外线 A 灯/LED 监测 ...

PN结二极管
PN结二极管

电压阈值: 40 V - 60 V
反向电压: 40 V

... 备用电源系统有时需要对电池进行OR-ing。例如,在主电池放电时让系统上线。当电流较低时,使用一个简单的二极管就可以轻松完成。然而,当电流变得更大时,由于二极管的正向电压不可避免,二极管的功率耗散迅速增加到不可接受的水平。更不用说这个正向电压浪费了5%到10%的可用功率(来自12V电池)。 出于这个原因,我们设计了这个有源 "理想 "二极管块。二极管被一个高电流的mosfet所取代。在没有工作电压的情况下,这个mosfet表现得像一个普通的二极管。施加电压后,mosfet驱动器被激活。驱动器启用mosfet,并将正向电压调节到30mV(比典型的普通二极管低30倍),或调节到给定的电流和mosfet的Rds电阻所能达到的最低电压。这个电阻导致每安培的正向电压约为1mV。 性能: 为了说明这一点,在60A的测试装置中,16mm²的电线和它们的终端分别造成85和95mV的电压降!在二极管上的电压降为0!跨越二极管的电压降,在终端螺丝上测量为73mV。 规格: 反向电压等级40V 额定电流600A 封装SOT-227(尺寸25x38mm)。 适用于4mm和5mm环形端子的M4螺丝端子 与金属底座的电气隔离 ...

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