电子元件二极管

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管
瞬态电压抑制管(TVS)二极管
TLPA series

电压阈值: 17 V - 64.5 V
反向电压: 10 V - 40 V

... TLPA系列采用行业标准的高可靠性P600轴向引线式封装,设计用于为敏感型电子设备提供精确的过电压保护。 功能与特色: • 高可靠性应用 • P600包装内有钝化玻璃芯片接点 • 快速的响应时间: 从0伏特至VBR最小值通常小于1.0ps • 出色的箝位能力 • 典型的故障模式是因超过指定电压或电流而造成的短路 • 锡丝测试基于JEDEC JESD201A的4a和4c表进行。 • 数据线路ESD保护符合IEC 61000-4-2,30kV(空气),30kV(接触) ...

瞬态电压抑制管(TVS)二极管
瞬态电压抑制管(TVS)二极管
1.5SMC series

电压阈值: 6.12 V - 630 V
反向电压: 5.8 V - 512 V

... 1.5SMC系列专门用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响。 特征和优势: • 10×1000μs波形时的峰值脉冲功率为1500W,重复频率(工作循环): 0.01% • 出色的箝位能力 • 增量浪涌电阻较低 • 正常情况下,当VBR最小值>12V时,IR小于1μA • 可优化电路板空间的表面贴装型产品 • 小尺寸封装 • 内置式应力消除 • 典型的故障模式是因超过指定电压或电流而造成的短路 • 锡丝测试基于JEDEC JESD201A的4a和4c表进行。 • ...

瞬态电压抑制管(TVS)二极管
瞬态电压抑制管(TVS)二极管
SMF series

反向电压: 5 V - 250 V

... TVS二极管用于保护敏感电路免受高压瞬变的影响。它们的p-n结比普通二极管有更大的截面积,这使得它们可以在不损坏的情况下将大电流传导到地。 赛尔特 (SETsafe | SETfuse) 提供峰值功率从200 W到30 kW的TVS二极管,反向电压从5.0 V到512 V。 ● 过压保护+过热保护+状态指示 ● 过载时泄放电流,保护后备电路 ● 失效时断开电路,避免火灾隐患 ● 断开时状态指示,提醒更换器件 ● 空间小、残压低、响应快、不易劣化 ● 通信设备 ● ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管
瞬态电压抑制管(TVS)二极管
SPCL15 series

反向电压: 58 V - 380 V

... TVS二极管用于保护敏感电路免受高压瞬变的影响。它们的p-n结比普通二极管有更大的截面积,这使得它们可以在不损坏的情况下将大电流传导到地。 赛尔特 (SETsafe | SETfuse) 提供峰值功率从200 W到30 kW的TVS二极管,反向电压从5.0 V到512 V。 ● 极低的钳位电压 ● 急速击穿响应 ● 低斜率电阻 ● 双向 ● 采用叠层技术具有优异的钳位因子 ● 引脚宽度对称,便于组装焊接 ● IEC 61000-4-2 防静电:30 ...

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SMD二极管
SMD二极管
ASMA series

反向电压: 5.8 V - 468 V

... 安装形式 表面贴装(Surface Mount) 端接类型 贴片(SMD) ● 通信设备 ● 安防 ● 工控设备 ● 电源 ● 汽车电子 ● 新能源设备 ● 防雷保护 ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管
瞬态电压抑制管(TVS)二极管
P4SMF series

反向电压: 5 V - 85 V

... P4SMF 系列专为保护敏感电子设备免受瞬态电压影响而设计。 P4SMF 系列专为保护敏感电子设备免受瞬态电压 雷电和其他瞬态电压事件的影响。 与 SMA 封装相比,P4SMF 封装的占地面积小 50%。 与 SMA 封装相比,P4SMF 封装的占地面积小 50%,而且高度低(1.2 毫米)。 1.2 mm)。 特点 在 10/1000 μs 波形下具有 400 W 峰值脉冲能力、 重复率(占空比):0.01 与工业标准封装 SOD-123FL 兼容 外形小巧:最大高度为 1.2 毫米。 低电感,出色的箝位能力 适用于表面贴装应用,以优化电路板空间 保证回流焊接的高温:260°C ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管
瞬态电压抑制管(TVS)二极管
SMAJ series

反向电压: 5 V - 440 V

... 瞬态电压抑制器 (TVS) 是一种电路保护元件,可衰减(降低)或过滤瞬态电压。 是一种电路保护元件,可衰减(降低)或过滤瞬态电压尖峰(过电压)。 瞬态电压尖峰(过电压)。 通过雪崩击穿 TVS 二极管可在击穿后不超过几纳秒的时间内进入雪崩击穿状态,从而提供关键保护、 箝位瞬态电压,并将其电流导向地线。 接地。 功能特点 低增量浪涌电阻 出色的夹紧能力 扁平封装,内置应力消除器 12 V 以上典型 IR 小于 1.0 μA 400 W 峰值脉冲功率能力,10/1000 μs 波形、重复率(占空比): ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管
瞬态电压抑制管(TVS)二极管
SMBJ series

反向电压: 5 V - 440 V

... 瞬态电压抑制器 (TVS) 是一种电路保护元件,可衰减(降低)或过滤瞬态电压。 是一种电路保护元件,可衰减(降低)或过滤瞬态电压尖峰(过电压)。 瞬态电压尖峰(过电压)。 通过雪崩击穿 TVS 二极管可在击穿后不超过几纳秒的时间内进入雪崩击穿状态,从而提供关键保护、 箝位瞬态电压,并将其电流导向地线。 接地。 功能特点 低增量浪涌电阻 出色的夹紧能力 扁平封装,内置应力消除器 12 V 以上典型 IR 小于 1.0 μA 峰值脉冲功率 600 W,10/1000 μs 波形、重复率(占空比): ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管
瞬态电压抑制管(TVS)二极管
1.5SMC series

反向电压: 5.8 V - 512 V

... 瞬态电压抑制器(TVS)是一种电路保护元件,可衰减(降低)或过滤瞬态电压。 是一种电路保护元件,可衰减(降低)或过滤瞬态电压尖峰(过电压)。 瞬态电压尖峰(过电压)。 通过雪崩击穿 TVS 二极管可在击穿后不超过几纳秒的时间内进入雪崩击穿状态,从而提供关键保护、 箝位瞬态电压,并将其电流导向地线。 接地。 功能特点 低增量浪涌电阻 出色的夹紧能力 扁平封装,内置应力消除器 12 V 以上典型 IR 小于 1.0 μA 峰值脉冲功率为 1500 W,10/1000 μs 波形、重复率(占空比): ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管
瞬态电压抑制管(TVS)二极管
SMDJ series

反向电压: 5 V - 440 V

... 瞬态电压抑制器(TVS)是一种电路保护元件,可衰减(降低)或过滤瞬态电压。 是一种电路保护元件,可衰减(降低)或过滤瞬态电压尖峰(过电压)。 瞬态电压尖峰(过电压)。 通过雪崩击穿 TVS 二极管可在击穿后不超过几纳秒的时间内进入雪崩击穿状态,从而提供关键保护、 箝位瞬态电压,并将其电流导向地线。 接地。 功能特点 低增量浪涌电阻 出色的夹紧能力 扁平封装,内置应力消除器 12 V 以上典型 IR 小于 2.0 μA 峰值脉冲功率 3000 W,10/1000 μs 波形、重复率(占空比): ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管
瞬态电压抑制管(TVS)二极管
5.0SMDJ series

反向电压: 12 V - 170 V

... 瞬态电压抑制器 (TVS) 是一种电路保护元件,可衰减(降低)或过滤瞬态电压。 是一种电路保护元件,可衰减(降低)或过滤瞬态电压尖峰(过电压)。 瞬态电压尖峰(过电压)。 通过雪崩击穿 TVS 二极管可在击穿后不超过几纳秒的时间内进入雪崩击穿状态,从而提供关键保护、 箝位瞬态电压,并将其电流导向接地。 接地 功能特点 低增量浪涌电阻 出色的夹紧能力 扁平封装,内置应力消除器 22 V 以上典型 IR 小于 5.0 μA 5000 W 峰值脉冲功率能力,10/1000 μs 波形、重复率(占空比): ...

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瞬态电压抑制管(TVS)二极管
瞬态电压抑制管(TVS)二极管
SPC1 series

反向电压: 380, 430 V

... SPC1 采用 SMTO-218 封装,与典型的通孔 TVS 相比,质量更高、制造更简便。 质量、易于制造。 元件相比,SPC1它们可以串联和/或 并联,以创建各种功能和灵活的保护 解决方案。 特点 双向 低夹紧和斜坡阻力 适用于自动取放装配和回流焊工艺,以降低制造成本,提高焊接效率。 与轴向引线封装相比,可降低制造成本,提高焊接质量 与轴向引线封装相比,可降低制造成本并提高焊接质量 正在申请专利的封装设计 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级标准,LF 最大峰值为 245 °C 无铅 ...

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