功率晶体管

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HEMT晶体管
HEMT晶体管
GNP1070TC-Z

电流: 20 A
电压: 650 V

... GNP1070TC-Z是一款650V的GaN HEMT,达到了业界最高等级的FOM(Ron*Ciss、Ron*Coss)。它是EcoGaN™系列的产品,通过充分利用低导通电阻和高速开关,有助于提高功率转换效率和缩小尺寸。内置ESD保护功能,实现了高可靠性的设计。此外,高度通用的封装提供了良好的散热性,便于安装。 概述 该产品在RDS(ON)×Ciss/RDS(ON)×Coss方面具有行业领先的性能,这是GaN HEMT的优点,可转化为电源系统的更高效率。同时,内置的ESD保护元件提高了抗静电击穿能力,最高可达3.5kV,从而实现了更高的应用可靠性。氮化镓HEMT的高速开关特性也有助于外围元件的进一步小型化。 应用实例 是工业设备和消费设备中广泛的电源系统的理想选择,包括服务器和AC适配器 ...

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ROHM Semiconductor/罗姆
MOSFET晶体管模块
MOSFET晶体管模块
HT8KB5

电流: 12 A
电压: 40 V

... HT8KB5 是一种低导通电阻 MOSFET,非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 高功率小型模具封装 (HSMT8) 无铅电镀;符合 RoHS 规范 无卤素 ...

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ROHM Semiconductor/罗姆
MOSFET晶体管模块
MOSFET晶体管模块
HT8KC5

电流: 10 A
电压: 60 V

... HT8KC5 是一种低导通电阻 MOSFET,非常适合开关应用。 特点 低导通电阻 高功率小型模具封装 (HSMT8) 无铅电镀;符合 RoHS 规范 无卤素 ...

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ROHM Semiconductor/罗姆
IGBT晶体管
IGBT晶体管
XPT™ series

电压: 1,700, 2,500, 4,500 V

这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数,这些高压IGBT可用于并联,相比串联低电压器件更加经济高效。 因此,这可减少相关的栅极驱动电路、简化设计并提升整体系统的可靠性。 选配的代加工快速恢复二极管具有较短的反向恢复时间,并且经过优化,可产生平滑的开关波形并显著减少电磁干扰(EMI)。 功能与特色: XPT™薄晶圆技术 较低的通态电压VCE(sat) ...

双极晶体管
双极晶体管

... 东芝提供各种适用于各种应用的双极晶体管,包括射频(RF)和电源设备。 ...

MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
IPD900P06NM

电流: -16.4 A
电压: -60 V

... 普通级和逻辑级的P沟道MOSFET,降低了中、低功率应用的设计复杂性 采用DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级,具有较宽的RDS(on)范围,并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述: 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点: 易于与MCU接口 由于低Qg,在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...

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Infineon Technologies AG/英飞凌
IGBT晶体管
IGBT晶体管
5SN series

电流: 150 A - 3,600 A
电压: 1,200, 1,700, 3,300, 4,500, 6,500 V

日立能源的 IGBT 功率模块有单相、双相/相臂、斩波器 IGBT 和双二极管模块,电压范围为 1700 至 6500 伏。高功率 HiPak IGBT 模块具有低损耗、软开关性能和破纪录的安全作业区 (SOA)。新推出的 62Pak 和 LoPak 快速开关中功率 IGBT 模块具有最低的开关损耗、全 175°C 运行、正方形 SOA 以及可插入式更换的标准封装。

功率晶体管
功率晶体管
PDHS545-NB195-S03-T3

电流: 5 A
电压: 500 V

... 功率晶体管插座 5.45 毫米/0.215 英寸间距 高温 低放气 高可靠性圆形触点,具有良好的电气和机械性能。功率晶体管测试插座适用于各种封装,可在高温环境下使用。 适用封装:TO-3、TO-247、TO-264 等 绝缘体 - 高温热塑性塑料 触点 - 高温铜合金 套管 - 黄铜 镍镀金 额定电流 接触电阻 介电强度 (AC3000V 最大值 *) 绝缘体电阻 工作温度 间距 ...

功率晶体管
功率晶体管
PDSA-NB195-S0504-GG

电流: 5 A

... 功率晶体管插座 用于 TO-247(4 针) 高温℃ 低排气 这款功率晶体管测试插座采用 TO-247(4pin)封装,可用于高温环境。其高可靠性的 圆形触点 额定电流 接触电阻 绝缘强度 绝缘体电阻 工作温度 1:漏极 2:源(电源) 3:信号源 4:栅极 * 由于制造原因,形状 A 和形状 B 混合在一起,但尺寸相同。 ...

功率晶体管
功率晶体管
M-L245-BK-T30-P

电流: 5 A

... 功率晶体管测试插座,定制间距 大电流 间距 标准型/通孔型 低排气 如果您想评估标准规格不支持的设备,您将不得不花费大量的时间和金钱。 但是,我们可以降低成本、缩短交货时间并进行小批量生产,因为我们备有 树脂外壳毛坯(无孔)。 支持各种封装和高温环境。 可用于测量评估、检查和安装等各种用途。 接触部分采用高可靠性的圆形引脚插座。 额定电流 接触电阻 绝缘电阻 温度范围 套管 - 黄铜,镍镀金 触点 - 高温铜合金,镍镀金 绝缘体 - 高温,热塑性塑料 绝缘体适用于定制或不规则间距。 仅绝缘体不出售。 ...

双极晶体管
双极晶体管
2N39 series

电流: 200 mA
电压: 40 mV

... 典型应用 信号处理 开关、放大 商业级 l) 特点 通用型 符合 RoHS 和 REACH 标准、 冲突矿产 *) ...

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Diotec
双极晶体管
双极晶体管
BFS20

电流: 25 mA
电压: 20 V

... 集电极发射极电压 - Vceo 20 V 直流集电极电流 - Ic - 25 mA 极性 - pol - NPN 功率耗散 - Ptot - 0.200 W 结温 - Tjmax - 150 °C 直流电流增益 - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA 集电极饱和电压 - VcEsat - mV - Ic - mA - Ib - mA 增益带宽积 - ft - 450 MHz - Ic - 5 mA - VcE - 10V ...

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Diotec
双极晶体管
双极晶体管
BC55 series

电流: 100 mA
电压: 65, 45, 30 V

... 典型应用 信号处理 开关 放大 商用/工业级 后缀 -Q:后缀 -Q: 符合 AEC-Q101 标准 *) 后缀 -AQ:符合 AEC-Q101 标准 *) 特点 通用型 三个电流增益组 符合 RoHS(无豁免)、 REACH、冲突矿产 *) ...

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Diotec
MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
700 V | TOPSwitch-HX

电压: 110, 265 V

... 产品描述: TopSwitch-Hx 在单芯片器件上集成了一个 700 V 功率 MOSFET、高压开关电流源、PWM 控制、振荡器、热关断电路、故障保护和其他控制电路。 更低的系统成本,更高的设计灵活性, 多模式操作可最大限度地提高所有负载的效率, 新的 ESIP-7C 和 ESIP-7F 封装基于 PI 经验,具有高功率和高可靠性封装 无需高达 35 W(230 VAC 时高达 48 W)的散热器,采用 P、G 或 M 封装 输出 过压保护 (OVP) 是用户可编程的,用于锁存/非锁存关断,具有快速交流复位 线路欠压 ...

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Power Integrations
FET晶体管
FET晶体管

... Avago 拥有广泛的硅双极射频晶体管和 GaAs FET 产品组合。 GaAs FET 射频晶体管是基站 LNA 第一级或第二级的理想选择,因为它具有低噪声系数和增强的线性度。 Avagos 双极射频晶体管提供高性能,在低电压操作时针对最大 FT 进行了优化,使其成为无线市场电池供电应用的理想选择。 ...

IGBT晶体管
IGBT晶体管

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IXYS
IGBT晶体管
IGBT晶体管
RV1S series

... 汽车光耦合器(晶体管输出、集成电路输出)采用小型封装,介电强度高(3.75KV),可在高达 135 °C 的高温下工作。这便于客户进行设计,包括安全保证和温度特性。 注意事项 我们将产品的质量等级分为 "标准质量 "和 "高质量等级",此处列出的所有产品均为 "高质量等级"。 使用前请阅读数据表中的 "注意事项"。 ...

功率晶体管模块
功率晶体管模块
AFM906N

电压: 7.5 V

专为频率范围在136至941 MHz之间的手持双向对讲机应用而设计。这些器件具有高增益、耐用性、宽带性能,适用于手持对讲机设备中的大信号、共源放大器应用。 特征 运行频率在136到941 MHz之间 未匹配的输入和输出,可适用更宽的频率范围 集成的ESD保护 集成的稳定性增强功能 宽带 - 整个频段全功率 卓越的热性能 非常耐用 高线性度:TETRA、SSB 符合RoHS规范 输出级VHF频段手持无线电 ...

双极晶体管
双极晶体管
50A02CH

电流: -0.5 A
电压: -50 V

50A02CH 是双极晶体管,-50V,-0.5A,低 VCE(sat),PNP 单,适用于低频率通用放大器应用。

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Fairchild Semiconductor/仙童
MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
L9338

电流: 0.4 A - 45 A
电压: 36 V - 70 V

意法半导体提供了大量基于VIPower(垂直智能电源)技术的汽车级智能3和5引脚低端开关(OMNIFET)。这项专有技术允许在同一芯片上集成全部数字和模拟控制与保护电路,以驱动垂直结构功率MOSFET。 具有集成特性的低端开关是一种能够安全处理大电流的电源开关,可用于艰苦的汽车环境。它们只需要1个简单的TTL逻辑输入(或者面向5引脚开关的CMOS 逻辑输入)。此类器件与功率MOSFET引脚兼容,能够确保实时负载控制,具有过热保护功能,因此可以保护整个电路板。最新的5引脚器件还具有诊断特 ...

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STMicroelectronics/意法半导体
MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
IRF series

电压: -400 V - 1,000 V

... Vishay 是全球第一的低功耗 MOSFET 制造商。 Vishay 硅胶功率 MOSFET 产品线包括超过 30 种封装类型的器件,包括芯片级微型 FOT® 和热先进的 PowerPak® 系列。 配置选项包括共封装和单芯片 MOSFET 以及肖特基二极管组合器件,以及将优化的高侧 MOSFET 和低侧 MOSFET 集成在一个封装中的非对称 PowerPaby® 器件。 ...

双极晶体管
双极晶体管

电压: 0.24 V - 3.5 V

双极晶体管
双极晶体管
BCX51

电压: 45 V

... 描述: 中央半导体 BCX51、BCX52 和 BCX53 型号是 由外延平面工艺制造的 PNP 硅晶体管,采用表面贴装封装成型的环氧树脂,专为高电流通用放大器应用而设计。 ...

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Central Semiconductor
双极晶体管
双极晶体管

电流: 1 A - 5 A
电压: 12 V - 400 V

... 在双极晶体管方面,二极管是市场领导者。 凭借其广泛的内部封装和卓越的硅技术,Diodes 处于理想的位置,可满足您对双极晶体管的应用需求。 持续创新 双极晶体管产品组合基于我们一系列创新矩阵发射器工艺。 多年的专业知识、前沿设计和工艺创新,扩大了我们在构建超低饱和度、快速开关晶体管方面的领先地位。 同类最佳性能专注于优化工艺以实现最低的饱和电压、减少芯片面积并随后提高开关性能,从而降低了功耗,从而实现了更小的表面贴装封装,这些封装仍能满足目标 应用程序。 ...

IGBT晶体管模块
IGBT晶体管模块
RT25PI120B9H

电流: 10, 25 A
电压: 1,200 V

... 特点 • 沟槽 + 立式 IGBT 技术 • 10ps 短路能力 • Versât),具有正温度系数 • 低电感外壳 • 快速 & 软反向恢复反并联 FWD • 采用 DBC 技术的隔离铜基板 典型应用 • 电机逆变器 驱动器 • 空调 • 不间断电源 ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
功率晶体管模块
功率晶体管模块
HRC12

电压: 8 V - 35 V

蓝牙通信模块是一款手机和发电机组数据通信的转换模块,HRC12蓝牙模块通过RS485与发电机组控制器进行连接,通过手机APP获取发电机组信息,且控制发电机组开停机。 性能特点 手机蓝牙远距离监控机组状态,通信距离大于50米; 手机端可控制机组控制器电源或者唤醒机组控制器; 模块供电电源范围宽DC (8~35)V,可直接使用发动机自带的起动蓄电池; 模块面板具有电源和通信状态指示灯,模块工作状态一目了然; 采用标准35mm导轨安装、螺丝(M4)固定安装; 模块化结构设计,阻燃ABS外壳,重量轻,结构紧凑,安装方便。

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