IGBT晶体管 XPT™ series

功率

这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加经济高效。 因此，这可减少相关的栅极驱动电路、简化设计并提升整体系统的可靠性。 选配的代加工快速恢复二极管具有较短的反向恢复时间，并且经过优化，可产生平滑的开关波形并显著减少电磁干扰(EMI)。 功能与特色: XPT™薄晶圆技术 较低的通态电压VCE(sat) 代加工快速恢复二极管 正温度系数VCE(sat) 国际标准尺寸高压封装 应用: 脉冲电路 激光和X射线发生器 高压电源 高压检测设备 电容放电电路 AC开关 优点: 效率更高 无需串联多个器件 提供电力系统的可靠性