晶体管

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IGBT晶体管模块
IGBT晶体管模块
QC962-8A

IGBT晶体管模块
IGBT晶体管模块
QP12W05S-37

IGBT晶体管模块
IGBT晶体管模块
QP12W08S-37A

电压: 13 V
电流: 25 mA

... 特点 - 内置隔离式DC-DC电源;单电源。 供电驱动拓扑结构 - 3750VAC的高隔离电压 - 输入信号频率高达20kHz - 内置故障电路,有一个用于故障反馈的引脚 - 在阻塞时间内,驱动信号被忽略,故障。 堵截结束后,电路复位 - 可调节的故障检测电路控制时间 - 可调节的保护性软断电时间 - SIP包 - EN62368认证 ...

MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
HS8K11

电压: 30 V
电流: 0 A - 44 A

... HS8K11 是用于开关应用的标准 MOSFET。 特点 · 低导通电阻。 · 无铅铅电镀;符合 RoHS 标准。 · 无卤素。 规格 封装代码:HSML3030L10 端子数:10 极性:Nch + Nch 漏极源电压:VDSS [V] 30 漏极电流:ID [A] 7.0 RDS (on) [Ω] VGS=4.5V(典型值):0.0208 ...

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ROHM Semiconductor/罗姆
双极晶体管
双极晶体管

电压: 0 V - 120 V
电流: 0 A - 5 A

... 提供具有小信号、薄和高功率等特性的各种封装,广泛覆盖市场。 ...

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ROHM Semiconductor/罗姆
双极晶体管
双极晶体管
DTA series

电压: 12, 50, 60 V
电流: 0.1, 0.5, 1 A

... 数字晶体管是 Rohm 在市场上最先发明的,它是结合内置电阻器的晶体管,方便数字电路。 该产品细分正在变得越来越广泛,因为采用超小型封装,节省空间,同时具有各种电阻布局/电阻值组合。 ...

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ROHM Semiconductor/罗姆
双极晶体管
双极晶体管

电压: 20 V
电流: 100, 82 A

东芝提供一系列适合各种应用的双极晶体管,包括射频(RF)和电源设备。 注入增强型绝缘栅晶体管(IEGT)是用来开关大电流的电压驱动型器件。IEGT非常适合于支持当今社会基础设施的工业电机控制应用,包括工业驱动系统和功率转换器。

IGBT晶体管
IGBT晶体管
XPT™ series

电压: 1,700, 2,500, 4,500 V

这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数,这些高压IGBT可用于并联,相比串联低电压器件更加经济高效。 因此,这可减少相关的栅极驱动电路、简化设计并提升整体系统的可靠性。 选配的代加工快速恢复二极管具有较短的反向恢复时间,并且经过优化,可产生平滑的开关波形并显著减少电磁干扰(EMI)。 功能与特色: XPT™薄晶圆技术 较低的通态电压VCE(sat) ...

IGBT晶体管模块
IGBT晶体管模块
MG12600WB-BR2MM series

电压: 1,200 V
电流: 600 A

Littelfuse IGBT模块采用现代IGBT技术,能够可靠、灵活地提供高效率和极快的开关速度。 Littelfuse用于电源控制应用,提供广泛的IGBT模块组合,适用于灵活高效的电机控制和逆变器应用。 标准和定制解决方案均可准确符合电路设计师要求的性能标准 功能与特色: 沟槽栅视场光阑IGBT技术 低饱和电压和正温度系数 快速切换和短拖尾电流 具有快速、软反向恢复功能的续流二极管 包括温感 ...

MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
IPD900P06NM

... P 沟道 MOSFET 在正常和逻辑电平,降低了中低功耗应用中的设计复杂性 : DPAK 封装中的 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 60V 代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。 P 通道器件的主要优点是降低了中低功耗应用中的设计复杂性。 它与 MCU 的简单接口、快速开关以及雪崩坚固耐用,使其适合高品质要求苛刻的应用。 它具有正常电平和逻辑电平,具有宽的 RDS (on) 范围,由于低 Qg,提高了低负载时的效率。 功能概述: 大多数产品符合 ...

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Infineon Technologies - Sensors/英飞凌
NPN晶体管
NPN晶体管
HD1750FX

电压: 1,700 V
电流: 24 A

... 用于高清晰度和新型超薄CRT显示器的高压NPN功率晶体管 该器件在平面技术中使用扩散式集电极,采用为适应高清晰度CRT显示器而开发的 "增强型高压结构"(EHVS1)。新的高清产品系列显示了改进的硅效率,为水平偏转阶段带来了更新的性能。 最先进的技术:扩散式集电极 "增强型一代 "EHVS1 对工作温度的变化不那么敏感 更大范围的最佳驱动条件 符合U.L标准的全绝缘电源封装 ...

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STMicroelectronics/意法半导体
IGBT晶体管
IGBT晶体管
StakPak

电压: 4,500, 5,200 V
电流: 3,000, 1,300, 2,000 A

StakPak IGBT模块系列来源于久经考验的IGBT压接技术: • 简单易行的机电串联 • 简单的压接设计,得益于不均匀压接力下的高公差要求 • 保证多层堆叠下芯片压力一致性 • 提供可靠的失效后短路功能 因此, 我们的半导体StakPak IGBT模块用于高压直流输电(HVDC)及柔性交流输电(FACTS)上可谓是天生一对。 欲下载和打印PDF数据表,请点击零件号。

NPN晶体管
NPN晶体管

电流: 0 A - 10 A

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Renesas Electronics
MOSFET晶体管
MOSFET晶体管
700 V | TOPSwitch-HX

电压: 110, 265 V

... 产品描述: TopSwitch-Hx 在单芯片器件上集成了一个 700 V 功率 MOSFET、高压开关电流源、PWM 控制、振荡器、热关断电路、故障保护和其他控制电路。 更低的系统成本,更高的设计灵活性, 多模式操作可最大限度地提高所有负载的效率, 新的 ESIP-7C 和 ESIP-7F 封装基于 PI 经验,具有高功率和高可靠性封装 无需高达 35 W(230 VAC 时高达 48 W)的散热器,采用 P、G 或 M 封装 输出 过压保护 (OVP) 是用户可编程的,用于锁存/非锁存关断,具有快速交流复位 线路欠压 ...

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Power Integrations
双极晶体管
双极晶体管
BCX51

电压: 45 V

... 描述: 中央半导体 BCX51、BCX52 和 BCX53 型号是 由外延平面工艺制造的 PNP 硅晶体管,采用表面贴装封装成型的环氧树脂,专为高电流通用放大器应用而设计。 ...

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Central Semiconductor
NPN晶体管
NPN晶体管
CMKT3920

电压: 50 V

... 描述: 中央半导体 CMKT3920(两个单 NPN 晶体管)是一种双组合,采用 节省空间的 SOT-363 UltraMini™ 封装,专为小信号通用放大器和开关应用而设计。 标记代码:K20 特点: • UltraMini™ 节省空间封装,包含两个 3920 NPN 晶体管 应用: • 负载开关 • 小信号放大 • 灯具和继电器驱动器 • MOSFET 栅极驱动 ...

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Central Semiconductor
双极晶体管
双极晶体管
CMPT5086

电压: 50 V

... 产品说明: 中央半导体 CMPT5086、 CMPT5086B和 CMPT5087 是由外延平面工艺制造的硅 PNP 晶体管,采用 表面贴装封装,专为 要求高增益和低噪声的应用而设计。 标记代码 : ...

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Central Semiconductor
IGBT晶体管模块
IGBT晶体管模块
SK 9 BGD 065 ET

... 零件编号 24912000 产品状态不适合新设计 采用 A6 技术的 V600 国际交换机 ...

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SEMIKRON
MOSFET晶体管
MOSFET晶体管

... Vishay 是全球第一的低功耗 MOSFET 制造商。 Vishay 硅胶功率 MOSFET 产品线包括超过 30 种封装类型的器件,包括芯片级微型 FOT® 和热先进的 PowerPak® 系列。 配置选项包括共封装和单芯片 MOSFET 以及肖特基二极管组合器件,以及将优化的高侧 MOSFET 和低侧 MOSFET 集成在一个封装中的非对称 PowerPaby® 器件。 ...

双极晶体管
双极晶体管
DMB series

电压: 20, 50 V

... 单封装 N 沟道 MOSFET 和 NPN 晶体管, 低导通电阻,极 低栅极阈值电压,1.0V 最大 低输入电容快速开关速度低输入/输出泄漏, 超小型表面贴装封装 引线,无卤素和锑,符合 RoHS 标准(注 2) ESD 受保护的 MOSFET 栅极高达 2kV “绿色” 器件(注 3) 符合 AEC-Q101 标准,具有高可靠性 ...

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Diodes Incorporated
FET晶体管
FET晶体管

... Avago 拥有广泛的硅双极射频晶体管和 GaAs FET 产品组合。 GaAs FET 射频晶体管是基站 LNA 第一级或第二级的理想选择,因为它具有低噪声系数和增强的线性度。 Avagos 双极射频晶体管提供高性能,在低电压操作时针对最大 FT 进行了优化,使其成为无线市场电池供电应用的理想选择。 ...

RF无线电频率晶体管
RF无线电频率晶体管
AT-32011

电压: 2.7 V
电流: 1 mA - 20 mA

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Broadcom
IGBT晶体管
IGBT晶体管

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IXYS
IGBT晶体管
IGBT晶体管
FG, ISL9 series

电压: 250, 500 V
电流: 10, 43 A

... FAILCILCILE 展示他们最新的汽车点火线 IGBT。 该器件经过专门设计,具有市面上所有器件中最高钳位能量密度和低饱和电压。 提供最佳性能并迎合众多汽车应用。 包中包含了全面的手册。 ...

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Fairchild Semiconductor/仙童
功率晶体管模块
功率晶体管模块
AFM906N

电压: 7.5 V

... 概 述 AFM906N 专为具有 136 至 941 MHz 频率的手持式双向无线电应用而设计。 该器件 具有高增益、坚固耐用和宽带性能,非常适合手持式无线电设备中的大信号共源放大器应用。AFM906N 专为频率为 136 至 941 MHz 的手持式双向无线电应用而设计。 该器件具有高增益、坚固耐用和宽带性能,非常适合手持式无线电设备中的大信号、共源放大器应用。 较少的 特性,工作范围为 136 至 941 MHz 无与伦比的输入和输出,允许广频率范围使用 集 成 ...

双极晶体管
双极晶体管
BC337-25

电压: 50 V
电流: 0.8 A

... 直流电流增益 HFE 最大值:400 直流电流增益 HFE 最小值 :160 产品描述:TO-92,50V,0.8A,NPN 双极晶体管 IC(A):0.8P D(W):0.625 封装:TO-92 极性:NPN 状态:有源 TJ 最大值。 (℃): 150 维也纳中央广播组织 (五): 50 维也纳教育中心星期六. (五): 0.7 职级 首席执行官 (五): 45 VEBO (五): 5 ...

双极晶体管
双极晶体管

电压: 0.24 V - 3.5 V

功率晶体管模块
功率晶体管模块
HRC12

电压: 8 V - 35 V

HRC12蓝牙通信模块是一款手机和发电机组数据通信的转换模块,HRC12蓝牙模块通过RS485与发电机组控制器进行连接,通过手机APP获取发电机组信息,且控制发电机组开停机。 产品代码:6120012 工作电源:DC(8-35)V 外形尺寸:80*65*35.5(mm) 工作温度:(-25~+70)℃ 重量:0.07kg HRC12蓝牙通信模块是一款手机和发电机组数据通信的转换模块,HRC12蓝牙模块通过RS485与发电机组控制器进行连接,通过手机APP获取发电机组信息,且控制发电机组开停机。 性能特点 手机蓝牙远距离监控机组状态,通信距离大于50米; 手机端可控制机组控制器电源或者唤醒机组控制器; 模块供电电源范围宽DC ...

IGBT晶体管模块
IGBT晶体管模块

电压: 1,200 V
电流: 10, 25 A

... 特点 • 沟槽 + 立式 IGBT 技术 • 10ps 短路能力 • Versât),具有正温度系数 • 低电感外壳 • 快速 & 软反向恢复反并联 FWD • 采用 DBC 技术的隔离铜基板 典型应用 • 电机逆变器 驱动器 • 空调 • 不间断电源 ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,