{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
电压: 1,700, 2,500, 4,500 V
这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加经济高效。 因此，这可减少相关的栅极驱动电路、简化设计并提升整体系统的可靠性。 选配的代加工快速恢复二极管具有较短的反向恢复时间，并且经过优化，可产生平滑的开关波形并显著减少电磁干扰(EMI)。 功能与特色: XPT™薄晶圆技术 较低的通态电压VCE(sat) 代加工快速恢复二极管 正温度系数VCE(sat) 国际标准尺寸高压封装 应用: 脉冲电路 激光和X射线发生器 高压电源 高压检测设备 电容放电电路 AC开关 优点: 效率更高 无需串联多个器件 提供电力系统的可靠性
电流: 600 A
电压: 1,200 V
Littelfuse IGBT模块采用现代IGBT技术，能够可靠、灵活地提供高效率和极快的开关速度。 Littelfuse用于电源控制应用，提供广泛的IGBT模块组合，适用于灵活高效的电机控制和逆变器应用。 标准和定制解决方案均可准确符合电路设计师要求的性能标准 功能与特色: 沟槽栅视场光阑IGBT技术 低饱和电压和正温度系数 快速切换和短拖尾电流 具有快速、软反向恢复功能的续流二极管 包括温感 ...
电流: -16.4 A
电压: -60 V
... 普通级和逻辑级的P沟道MOSFET，降低了中、低功率应用的设计复杂性 采用DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电流: 25 mA
电压: 13 V
... 特点 - 内置隔离式DC-DC电源；单电源。 供电驱动拓扑结构 - 3750VAC的高隔离电压 - 输入信号频率高达20kHz - 内置故障电路，有一个用于故障反馈的引脚 - 在阻塞时间内，驱动信号被忽略，故障。 堵截结束后，电路复位 - 可调节的故障检测电路控制时间 - 可调节的保护性软断电时间 - SIP包 - EN62368认证 ...
电流: 5 A
电压: 500 V
... 功率晶体管插座 5.45 毫米/0.215 英寸间距 高温 低放气 高可靠性圆形触点，具有良好的电气和机械性能。功率晶体管测试插座适用于各种封装，可在高温环境下使用。 适用封装：TO-3、TO-247、TO-264 等 绝缘体 - 高温热塑性塑料 触点 - 高温铜合金 套管 - 黄铜 镍镀金 额定电流 接触电阻 介电强度 (AC3000V 最大值 *) 绝缘体电阻 工作温度 间距 ...
电流: 5 A
... 功率晶体管插座 用于 TO-247（4 针） 高温℃ 低排气 这款功率晶体管测试插座采用 TO-247(4pin)封装，可用于高温环境。其高可靠性的 圆形触点 额定电流 接触电阻 绝缘强度 绝缘体电阻 工作温度 1：漏极 2：源（电源） 3：信号源 4：栅极 * 由于制造原因，形状 A 和形状 B 混合在一起，但尺寸相同。 ...
电压: 110, 265 V
... 产品描述： TopSwitch-Hx 在单芯片器件上集成了一个 700 V 功率 MOSFET、高压开关电流源、PWM 控制、振荡器、热关断电路、故障保护和其他控制电路。 更低的系统成本，更高的设计灵活性， 多模式操作可最大限度地提高所有负载的效率， 新的 ESIP-7C 和 ESIP-7F 封装基于 PI 经验，具有高功率和高可靠性封装 无需高达 35 W（230 VAC 时高达 48 W）的散热器，采用 P、G 或 M 封装 输出 过压保护 (OVP) 是用户可编程的，用于锁存/非锁存关断，具有快速交流复位 线路欠压 ...
Power Integrations
电流: 800 A
电压: 1,200 V
... NXH800H120L7QDSG 是一款额定半桥 IGBT 功率模块。集成的场截止沟道 7 IGBT 和第 7 代二极管可降低传导损耗和开关损耗，使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。 应用 直流-交流转换 直流-直流转换 交流-直流转换 终端产品 储能系统 太阳能逆变器 电机驱动器 不间断电源系统 (UPS) 功能 现场停止沟槽 7 IGBT 和 Gen.7 二极管 2 合 1 半桥配置 IGBT 电源模块 隔离底板 NTC 热敏电阻 可焊接引脚 低电感布局 ...
Fairchild Semiconductor/仙童
电压: 7.5 V
专为频率范围在136至941 MHz之间的手持双向对讲机应用而设计。这些器件具有高增益、耐用性、宽带性能，适用于手持对讲机设备中的大信号、共源放大器应用。 特征 运行频率在136到941 MHz之间 未匹配的输入和输出，可适用更宽的频率范围 集成的ESD保护 集成的稳定性增强功能 宽带 - 整个频段全功率 卓越的热性能 非常耐用 高线性度：TETRA、SSB 符合RoHS规范 输出级VHF频段手持无线电 ...
电流: 95 A
电压: 40 V
... RH6G040BG是一款具有低导通电阻和高功率封装的功率MOSFET，适合用于开关。 低导通电阻 高功率小模具封装(HSMT8) 无铅镀层；符合RoHS标准 无卤素 ...
ROHM Semiconductor/罗姆
电流: 0.4 A - 45 A
电压: 36 V - 70 V
意法半导体提供了大量基于VIPower（垂直智能电源）技术的汽车级智能3和5引脚低端开关（OMNIFET）。这项专有技术允许在同一芯片上集成全部数字和模拟控制与保护电路，以驱动垂直结构功率MOSFET。 具有集成特性的低端开关是一种能够安全处理大电流的电源开关，可用于艰苦的汽车环境。它们只需要1个简单的TTL逻辑输入（或者面向5引脚开关的CMOS 逻辑输入）。此类器件与功率MOSFET引脚兼容，能够确保实时负载控制，具有过热保护功能，因此可以保护整个电路板。最新的5引脚器件还具有诊断特 ...
STMicroelectronics/意法半导体
电流: 150 A - 3,600 A
电压: 1,200, 1,700, 3,300, 4,500, 6,500 V
日立能源的 IGBT 功率模块有单相、双相/相臂、斩波器 IGBT 和双二极管模块，电压范围为 1700 至 6500 伏。高功率 HiPak IGBT 模块具有低损耗、软开关性能和破纪录的安全作业区 (SOA)。新推出的 62Pak 和 LoPak 快速开关中功率 IGBT 模块具有最低的开关损耗、全 175°C 运行、正方形 SOA 以及可插入式更换的标准封装。
电流: 3,000, 1,300, 2,000 A
电压: 4,500, 5,200 V
StakPak IGBT模块系列来源于久经考验的IGBT压接技术： • 简单易行的机电串联 • 简单的压接设计，得益于不均匀压接力下的高公差要求 • 保证多层堆叠下芯片压力一致性 • 提供可靠的失效后短路功能 因此， 我们的半导体StakPak IGBT模块用于高压直流输电（HVDC）及柔性交流输电（FACTS）上可谓是天生一对。 欲下载和打印PDF数据表，请点击零件号。
电压: -400 V - 1,000 V
... Vishay 是全球第一的低功耗 MOSFET 制造商。 Vishay 硅胶功率 MOSFET 产品线包括超过 30 种封装类型的器件，包括芯片级微型 FOT® 和热先进的 PowerPak® 系列。 配置选项包括共封装和单芯片 MOSFET 以及肖特基二极管组合器件，以及将优化的高侧 MOSFET 和低侧 MOSFET 集成在一个封装中的非对称 PowerPaby® 器件。 ...
电流: 5, 20, 30, 50 A
电压: 600 V
Bourns® BID 离散式 IGBT 系列结合了 MOS 栅极和双极晶体管的技术，为高压和大电流应用创造了合适的组件。 Bourns® BID IGBT 系列采用先进的沟槽栅极场截止技术，提供更好的动态特性控制，同时降低集极-射极饱和电压 (VCE(sat)) 和开关损耗。此外，这种结构增加了器件的稳健性并提供更低的热阻 RTH，使其成为开关模式电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS)、感应加热和功率因子校正 (PFC) 应用的理想解决方案。
电压: 45 V
... 描述： 中央半导体 BCX51、BCX52 和 BCX53 型号是 由外延平面工艺制造的 PNP 硅晶体管，采用表面贴装封装成型的环氧树脂，专为高电流通用放大器应用而设计。 ...
Central Semiconductor
电流: 0.8 A
电压: 50 V
... 直流电流增益 HFE 最大值：400 直流电流增益 HFE 最小值 ：160 产品描述：TO-92，50V，0.8A，NPN 双极晶体管 IC（A）：0.8P D（W）：0.625 封装：TO-92 极性：NPN 状态：有源 TJ 最大值。 (℃): 150 维也纳中央广播组织 (五): 50 维也纳教育中心星期六. (五): 0.7 职级 首席执行官 (五): 45 VEBO (五): 5 ...
GaN HEMTs、GaAs FETs 、MMICs等产品，实现包括LTE在内的移动通信、卫星通信、基站通信等宽带大容量无线通信系统以及高分辨率气象观测、航空管制雷达系统。
电流: 150 A
电压: 600 V
... IGBT 模块 AMM145GB066D AS ENERGITM 是 IGBT 模块 SKM145GB066D SEMIKRON（SEMITRANS 封装）的替换、模拟、替代和等效产品。标称集电极电流 ICnom - 150 安培，持续集电极电流 IC - 195 安培，集电极-发射极电压 VCES - 600V。开关 - 半桥。IGBT 模块安装在标准的工业外壳中，便于将设备集成到现有设备中。IGBT 模块（绝缘栅双极晶体管）用作电机变速驱动器、交流逆变驱动器、UPS、电子焊机、制动斩波器、不间断电源等电源转换器的开关元件。可用的拓扑结构包括半桥、单开关、六组、三电平等，涵盖了各个应用领域。由于 ...
... Avago 拥有广泛的硅双极射频晶体管和 GaAs FET 产品组合。 GaAs FET 射频晶体管是基站 LNA 第一级或第二级的理想选择，因为它具有低噪声系数和增强的线性度。 Avagos 双极射频晶体管提供高性能，在低电压操作时针对最大 FT 进行了优化，使其成为无线市场电池供电应用的理想选择。 ...
电压: 20, 50 V
... 单封装 N 沟道 MOSFET 和 NPN 晶体管， 低导通电阻，极 低栅极阈值电压，1.0V 最大 低输入电容快速开关速度低输入/输出泄漏， 超小型表面贴装封装 引线，无卤素和锑，符合 RoHS 标准（注 2） ESD 受保护的 MOSFET 栅极高达 2kV “绿色” 器件（注 3） 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性 ...
Diodes Incorporated
电流: 25 mA
电压: 20 V
... 集电极发射极电压 - Vceo 20 V 直流集电极电流 - Ic - 25 mA 极性 - pol - NPN 功率耗散 - Ptot - 0.200 W 结温 - Tjmax - 150 °C 直流电流增益 - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA 集电极饱和电压 - VcEsat - mV - Ic - mA - Ib - mA 增益带宽积 - ft - 450 MHz - Ic - 5 mA - VcE - 10V ...
Diotec
电流: 10 A - 1,600 A
电压: 600 V - 1,700 V
... Greegoo提供不同拓扑结构、电流和电压等级的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块。从15A到1600A，电压等级从600V到1700V，IGBT模块可用于各种应用，并采用了关键技术，如烧结、弹簧或压接式触点，以实现快速和简单的组装。有不同的拓扑结构，如CIB（变流器逆变器制动器）、半桥、H桥、6组和3电平，几乎涵盖所有的应用领域。如逆变焊接机；逆变电源、变频器、UPS；电动汽车；光伏逆变器、工业伺服服务；开关磁阻电机、斩波器调速；感应加热等。 ...
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