汽车应用晶体管

电流: -16.4 A
电压: -60 V

... 概述

• IPD900P06NM 是一款面向开关和电源管理应用的 P 沟道功率 MOSFET。
• 技术: OptiMOS™
• 极性: P (P 沟道)
• 典型封装: DPAK (TO-252)

• 最大漏源电压 (VDS max): -60 V
• 最大导通电阻 (RDS(on) max): 90 mΩ

• Manufacturer:

电流: 0.4 A - 45 A
电压: 36 V - 70 V

... 意法半导体提供了大量基于VIPower（垂直智能电源）技术的汽车级智能3和5引脚低端开关（OMNIFET）。这项专有技术允许在同一芯片上集成全部数字和模拟控制与保护电路，以驱动垂直结构功率MOSFET。 具有集成特性的低端开关是一种能够安全处理大电流的电源开关，可用于艰苦的汽车环境。它们只需要1个简单的TTL逻辑输入（或者面向5引脚开关的CMOS 逻辑输入）。此类器件与功率MOSFET引脚兼容，能够确保实时负载控制，具有过热保护功能，因此可以保护整个电路板。最新的5引脚器件还具有诊断特 性。 ...

电流: 1 A
电压: 800 V

R8001CND3FRA是适合开关电源用途的Super Junction MOSFET产品。 本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。

电流: -6 A
电压: -45 V

本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置Pch -45V MOSFET和ESD保护二极管。适合开关用途。

电流: 9.5 A
电压: 45 V

本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置Nch 45V MOSFET和ESD保护二极管。适合开关用途。

电流: -9 A
电压: -30 V

... RRS090P03HZG是一款用于开关电源的功率MOSFET。 低导通电阻 小型表面贴装封装（SOP8） 无铅镀层；符合RoHS标准 无卤素 100%镀锡 通过AEC-Q101认证 ...

电流: 3 A
电压: 80 V

RSQ030N08HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。

电流: 4 A
电压: 20 V

RUR040N02HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。

电流: -3.5 A
电压: -20 V

RTQ035P02HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。

电流: 2 A
电压: 45 V

... RTR020N05HZG是高可靠性的汽车MOSFET，适用于开关应用。 低导通电阻 内置G-S保护二极管 节省空间的小型表面贴装封装(TSMT3) 无铅电镀；符合RoHS标准 通过AEC-Q101认证 ...

电流: 2.5 A
电压: 30 V

... RTR025N03HZG是高可靠性汽车级晶体管，适用于开关应用。 低导通电阻 内置G-S保护二极管 小型表面贴装封装(TSMT3) 无铅镀层；符合RoHS标准 通过AEC-Q101认证 ...

电流: 34 A
电压: 750 V

SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。