雪崩晶体管

电压: -60 V

... 普通级和逻辑级的P沟道MOSFET，降低了中、低功率应用的设计复杂性 采用DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优点是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述。 大多数产品符合AEC Q101标准 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点。 易于与MCU接口 由于Qg较低，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用。 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电压: -60 V

... 描述： SOT-223 封装的 OptiMOS™ P 通道 60V MOSFET 非常适合负载开关、电池管理以及反向极性保护应用。 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 的主要优势在于简化了中低功耗应用中的设计复杂性。 英飞凌的 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、快速开关和雪崩坚固耐用，使其适合高品质苛刻的应用。 由于低 QG，这些产品提高了低负载时的效率。提供正常和逻辑电平，具有宽的 RDS (on) 范围。 ...

... P 沟道 MOSFET 在正常和逻辑电平，降低了中低功耗应用中的设计复杂性 ： DPAK 封装中的 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 60V 代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。 P 通道器件的主要优点是降低了中低功耗应用中的设计复杂性。 它与 MCU 的简单接口、快速开关以及雪崩坚固耐用，使其适合高品质要求苛刻的应用。 它具有正常电平和逻辑电平，具有宽的 RDS (on) 范围，由于低 Qg，提高了低负载时的效率。 功能概述： 大多数产品符合 ...

... P 沟道 MOSFET 在正常和逻辑电平，降低了中低功耗应用中的设计复杂性 ： SOT-223 封装中的 OptiMOS™ P 沟道 60V MOSFET 非常适合负载开关、电池管理以及反极性保护应用。 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 的主要优势在于简化了中低功耗应用中的设计复杂性。 英飞凌的 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、快速开关和雪崩坚固耐用，使其适合高品质苛刻的应用。 由于低 QG，这些产品提高了低负载时的效率。提供正常和逻辑电平，具有宽的 ...

... P 沟道 MOSFET 在正常和逻辑电平，降低了中低功耗应用中的设计复杂性 ： SOT-223 封装中的 OptiMOS™ P 沟道 60V MOSFET 非常适合负载开关、电池管理以及反极性保护应用。 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 的主要优势在于简化了中低功耗应用中的设计复杂性。 英飞凌的 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、快速开关和雪崩坚固耐用，使其适合高品质苛刻的应用。 由于低 QG，这些产品提高了低负载时的效率。提供正常和逻辑电平，具有宽的 ...

... P 沟道 MOSFET 在正常和逻辑电平，降低了中低功耗应用中的设计复杂性 ： D ² PAK 封装中的 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 60V 代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。 P 通道器件的主要优点是降低了中低功耗应用中的设计复杂性。 它与 MCU 的简单接口、快速开关以及雪崩坚固耐用，使其适合高品质要求苛刻的应用。 它具有正常电平和逻辑电平，具有宽的 RDS (on) 范围，由于低 Qg，提高了低负载时的效率。 功能概述： 大多数产品符合 ...

... 描述： SOT-23 封装的 OptiMOS™ P 通道 60V MOSFET 非常适合负载开关、电池管理以及反向极性保护应用。 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 的主要优势在于简化了中低功耗应用中的设计复杂性。 英飞凌的 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、快速开关和雪崩坚固耐用，使其适合高品质苛刻的应用。 由于低 QG，这些产品提高了低负载时的效率。提供正常和逻辑电平，具有宽的 RDS (on) 范围。 功能概述： 大多数产品符合 ...

... P 沟道 MOSFET 在正常和逻辑电平，降低了中低功耗应用中的设计复杂性 ： SOT-23 封装中的 OptiMOS™ P 沟道 60V MOSFET 非常适合负载开关、电池管理以及反极性保护应用。 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 的主要优势在于简化了中低功耗应用中的设计复杂性。 英飞凌的 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、快速开关和雪崩坚固耐用，使其适合高品质苛刻的应用。 由于低 QG，这些产品提高了低负载时的效率。提供正常和逻辑电平，具有宽的 ...

... P 沟道 MOSFET 在正常和逻辑电平，降低了中低功耗应用中的设计复杂性 ： DPAK 封装中的 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 60V 代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。 P 通道器件的主要优点是降低了中低功耗应用中的设计复杂性。 它与 MCU 的简单接口、快速开关以及雪崩坚固耐用，使其适合高品质要求苛刻的应用。 它具有正常电平和逻辑电平，具有宽的 RDS (on) 范围，由于低 Qg，提高了低负载时的效率。 功能概述： 大多数产品符合 ...

... P 沟道 MOSFET 在正常和逻辑电平，降低了中低功耗应用中的设计复杂性 ： SOT-223 封装中的 OptiMOS™ P 沟道 60V MOSFET 非常适合负载开关、电池管理以及反极性保护应用。 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 的主要优势在于简化了中低功耗应用中的设计复杂性。 英飞凌的 OptiMOS™ P 沟道 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、快速开关和雪崩坚固耐用，使其适合高品质苛刻的应用。 由于低 QG，这些产品提高了低负载时的效率。提供正常和逻辑电平，具有宽的 ...

电压: 50, 100 V

... FMMT413 是一款 NPN 硅平面双极晶体管，专为雪崩模式操作而优化。 紧密的过程控制和低电感封装相结合，可产生具有快速边缘的高电流脉冲，非常适合激光二极管驱动。 特性和优点 • 雪崩模式操作 • 50A 峰值雪崩电流 • 低电感封装 应用 • 激光 LED 驱动器 • 快速边缘生成 • 高速脉冲发生器 ...