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电流: -16.4 A
电压: -60 V
... 概述
- IPD900P06NM 是一款面向开关和电源管理应用的 P 沟道功率 MOSFET。
- 技术: OptiMOS™
- 极性: P (P 沟道)
- 典型封装: DPAK (TO-252)
主要电气参数
- 最大漏源电压 (VDS max): -60 V
- 最大导通电阻 (RDS(on) max): 90 mΩ
产品标识与分类
- Manufacturer:
Infineon Technologies AG
电压: -60 V
... 采用SOT-223封装的OptiMOS™ P沟道60V MOSFET非常适用于负载开关、电池管理以及反极性保护应用。OptiMOS™ P沟道MOSFET的主要优点是简化了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 大多数产品符合AEC Q101标准 宽广的RDS(on)范围 提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG
电流: -6.5 A
电压: -60 V
... DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优点是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG
电流: -3.2 A
电压: -60 V
... 采用 SOT223 封装的工业级 P 沟道功率 MOSFET，可降低中低功率应用中的设计复杂度 OptiMOS™ P 沟道功率 MOSFET 非常适合用于负载开关、电池管理和反向极性保护等应用。 OptiMOS™ P沟道功率MOSFET的主要优势在于简化了中低功率应用的设计复杂度。其与微控制器（MCU）的便捷接口、快速开关性能以及雪崩耐受能力，使英飞凌的OptiMOS™功率MOSFET非常适合对质量要求较高的应用。 特点 低导通电阻 100% 经过雪崩测试 逻辑电平 ...
Infineon Technologies AG
... 采用SOT-223封装的OptiMOS™ P沟道60V MOSFET非常适用于负载开关、电池管理以及反极性保护应用。OptiMOS™ P沟道MOSFET的主要优点是简化了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供逻辑电平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG
电流: -100 A
电压: -60 V
... D²PAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG
电流: -0.29 A
电压: -60 V
... OptiMOS ™ P 通道功率 MOSFET 非常适合负载开关、电池管理和反极性保护应用。OptiMOS ™ P 沟道功率 MOSFET 的主要优势在于简化了中低功率应用中的设计复杂性。英飞凌 OptiMOS ™功率 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、切换速度快、抗雪崩能力强，适合要求高质量的应用。 特性 100% 雪崩测试 逻辑级别 无铅电镀；符合 RoHS 规定 符合工业应用要求 产品优势 轻松与 MCU 接口 低负载下效率提高 ...
Infineon Technologies AG
电流: -0.55 A
电压: -60 V
... OptiMOS ™ P 通道功率 MOSFET 非常适合负载开关、电池管理和反极性保护应用。OptiMOS ™ P 沟道功率 MOSFET 的主要优势在于简化了中低功率应用中的设计复杂性。英飞凌 OptiMOS ™功率 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、切换速度快、抗雪崩能力强，适合要求高质量的应用。 特性 100% 雪崩测试 逻辑级别 无铅电镀；符合 RoHS 规定 符合工业应用要求 产品优势 轻松与 MCU 接口 低负载下效率提高 ...
Infineon Technologies AG
电流: -3.2 A
电压: -60 V
... OptiMOS ™ P 通道功率 MOSFET 非常适合负载开关、电池管理和反极性保护应用。OptiMOS ™ P 沟道功率 MOSFET 的主要优势在于简化了中低功率应用中的设计复杂性。英飞凌 OptiMOS ™功率 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、切换速度快、抗雪崩能力强，适合要求高质量的应用。 特性 低导通电阻 100% 雪崩测试 逻辑级别 无铅电镀；符合 RoHS 规定 符合工业应用要求 产品优势 轻松与 MCU ...
Infineon Technologies AG
电流: -22 A
电压: -60 V
... DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG
电压: 50, 100 V
... FMMT413 是一款 NPN 硅平面双极晶体管，专为雪崩模式操作而优化。 紧密的过程控制和低电感封装相结合，可产生具有快速边缘的高电流脉冲，非常适合激光二极管驱动。 特性和优点 • 雪崩模式操作 • 50A 峰值雪崩电流 • 低电感封装 应用 • 激光 LED 驱动器 • 快速边缘生成 • 高速脉冲发生器 ...
电流: 3.2 A
电压: 650 V
... 典型应用 直流/直流转换器 电源 直流驱动器 电动工具 商业/工业级 后缀 -Q：后缀 -Q: 符合 AEC-Q101 标准x) 后缀 -AQ：符合 AEC-Q101 标准 *) 特点 先进的沟槽技术 低导通电阻 开关时间快 栅极电荷低 雪崩额定值 符合 RoHS 规范（示例 7a）、 REACH、冲突矿物 l) ...
Diotec
电流: 2.3, 3.2 mA
电压: 650 V
... 典型应用 直流/直流转换器 电源 直流驱动器 电动工具 商业/工业级 后缀 -Q：后缀 -Q: 符合 AEC-Q101 标准x) 后缀 -AQ：符合 AEC-Q101 标准 *) 特点 先进的沟槽技术 低导通电阻 开关时间快 栅极电荷低 雪崩额定值 符合 RoHS 规范（示例 7a）、 REACH、冲突矿物 l) ...
Diotec
电流: 50, 20 A
电压: 60 V
... 典型应用 直流/直流转换器 电源 直流驱动器 电动工具 商用级 *) 特点 先进的沟槽技术 低导通电阻 开关时间快 栅极电荷低 雪崩额定值 符合 RoHS 和 REACH 标准、 冲突矿物 *) ...
Diotec
电流: 5 A - 150 A
电压: 1,200, 650 V
... 直流/直流转换器 直流/交流逆变器 电源 直流驱动器 电动工具 商业/工业级 后缀 -Q：后缀 -Q: 符合 AEC-Q101 标准*) 后缀 -AQ：符合 AEC-Q101 标准 *) 特性 碳化硅宽带隙材料 较大的间隙和爬电空间 开尔文源可实现快速开关并降低 降低 Gâte 时的噪音水平 低导通电阻 开关时间快 Gâte 电荷低 雪崩额定值 符合 RoHS 规范（示例 7a）、 REACH、Conflict Minerais l) 机械数据 1) 胶带和卷轴 - 2000 / 13" 重量约 ...
Diotec