雪崩晶体管

电流: -16.4 A
电压: -60 V

... 普通级和逻辑级的P沟道MOSFET，降低了中、低功率应用的设计复杂性 采用DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...

电压: -60 V

... 采用SOT-223封装的OptiMOS™ P沟道60V MOSFET非常适用于负载开关、电池管理以及反极性保护应用。OptiMOS™ P沟道MOSFET的主要优点是简化了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 大多数产品符合AEC ...

电流: -6.5 A
电压: -60 V

... DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优点是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -1.9 A
电压: -60 V

... 采用SOT-223封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET非常适用于负载开关、电池管理以及反极性保护应用。OptiMOS™ P沟道MOSFET的主要优点是简化了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 大多数产品符合AEC Q101标准 宽广的RDS(on)范围 提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业 ...

... 采用SOT-223封装的OptiMOS™ P沟道60V MOSFET非常适用于负载开关、电池管理以及反极性保护应用。OptiMOS™ P沟道MOSFET的主要优点是简化了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供逻辑电平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -100 A
电压: -60 V

... D²PAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -0.18 A
电压: -60 V

... SOT-23封装的OptiMOS™ P沟道60V MOSFET非常适用于负载开关、电池管理以及反极性保护应用。OptiMOS™ P沟道MOSFET的主要优点是简化了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -0.3 A
电压: -60 V

... SOT-23封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET非常适用于负载开关、电池管理以及反极性保护应用。OptiMOS™ P沟道MOSFET的主要优点是简化了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -6.5 A
电压: -60 V

... DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -1.9 A
电压: -60 V

... 采用SOT-223封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET非常适用于负载开关、电池管理以及反极性保护应用。OptiMOS™ P沟道MOSFET的主要优点是简化了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电流: 3.2 A
电压: 650 V

... 典型应用 直流/直流转换器 电源 直流驱动器 电动工具 商业/工业级 后缀 -Q：后缀 -Q: 符合 AEC-Q101 标准x) 后缀 -AQ：符合 AEC-Q101 标准 *) 特点 先进的沟槽技术 低导通电阻 开关时间快 栅极电荷低 雪崩额定值 符合 RoHS 规范（示例 7a）、 REACH、冲突矿物 l) ...

电流: 2.3, 3.2 mA
电压: 650 V

... 典型应用 直流/直流转换器 电源 直流驱动器 电动工具 商业/工业级 后缀 -Q：后缀 -Q: 符合 AEC-Q101 标准x) 后缀 -AQ：符合 AEC-Q101 标准 *) 特点 先进的沟槽技术 低导通电阻 开关时间快 栅极电荷低 雪崩额定值 符合 RoHS 规范（示例 7a）、 REACH、冲突矿物 l) ...

电流: 50, 20 A
电压: 60 V

... 典型应用 直流/直流转换器 电源 直流驱动器 电动工具 商用级 *) 特点 先进的沟槽技术 低导通电阻 开关时间快 栅极电荷低 雪崩额定值 符合 RoHS 和 REACH 标准、 冲突矿物 *) ...

电压: 50, 100 V

... FMMT413 是一款 NPN 硅平面双极晶体管，专为雪崩模式操作而优化。 紧密的过程控制和低电感封装相结合，可产生具有快速边缘的高电流脉冲，非常适合激光二极管驱动。 特性和优点 • 雪崩模式操作 • 50A 峰值雪崩电流 • 低电感封装 应用 • 激光 LED 驱动器 • 快速边缘生成 • 高速脉冲发生器 ...