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MOSFET晶体管 BSP171I功率开关雪崩
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产品规格型号
- 类型
- MOSFET
- 类型
- 功率, 开关
- 其他特性
- 雪崩
- 电流
-3.2 A
- 电压
-60 V
产品介绍
采用 SOT223 封装的工业级 P 沟道功率 MOSFET，可降低中低功率应用中的设计复杂度
OptiMOS™ P 沟道功率 MOSFET 非常适合用于负载开关、电池管理和反向极性保护等应用。 OptiMOS™ P沟道功率MOSFET的主要优势在于简化了中低功率应用的设计复杂度。其与微控制器（MCU）的便捷接口、快速开关性能以及雪崩耐受能力，使英飞凌的OptiMOS™功率MOSFET非常适合对质量要求较高的应用。
特点
低导通电阻
100% 经过雪崩测试
逻辑电平
无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
通过工业应用认证
优势
与 MCU 接口简便
低负载下效率更高
快速开关
具备雪崩耐受能力
业界领先的质量与可靠性
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