MOSFET晶体管 BSZ063N04LS6

功率开关电阻

产品概述
BSZ063N04LS6 是一款 40 V 额定的 OptiMOS 6 技术功率 N 沟道 MOSFET，专为开关电源 (SMPS)、电池充电器和 ORing 应用设计。与前代相比，其 RDS(on) 约降低 30%，并符合 RoHS 要求。

主要特性

• 额定电压：40 V
• 工艺：OptiMOS 6
• 器件类型：N 沟道功率 MOSFET
• 导通电阻改进：RDS(on) 约降低 30%（相较前代）
• 合规性：RoHS

识别与订购信息

• Infineon 型号（ISPN）：BSZ063N04LS6
• 可订购型号（OPN）：BSZ063N04LS6ATMA1
• SP 编号：SP001687058
• ispnId：22636

产品状态与系列

• 产品状态：在产且优先
• 产品系列：N-Channel（功率 MOSFET）

典型应用

• 开关电源（SMPS）
• 充电器
• ORing / 电源路径保护（用于冗余电源或电池管理）

规格参数

• 最大漏‑源电压：40 V
• 工艺/系列：OptiMOS 6
• 导通电阻改进：RDS(on) 相较前代降低约 30%
• RoHS：符合
• 相关标识：ispnId = 22636、spNumber = SP001687058、opnName = BSZ063N04LS6ATMA1