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IGBT晶体管
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
电流: 25 mA
电压: 13 V
... 特点 - 内置隔离式DC-DC电源;单电源。 供电驱动拓扑结构 - 3750VAC的高隔离电压 - 输入信号频率高达20kHz - 内置故障电路,有一个用于故障反馈的引脚 - 在阻塞时间内,驱动信号被忽略,故障。 堵截结束后,电路复位 - 可调节的故障检测电路控制时间 - 可调节的保护性软断电时间 - SIP包 - EN62368认证 ...
电流: 3,000, 1,300, 2,000 A
电压: 4,500, 5,200 V
StakPak IGBT模块系列来源于久经考验的IGBT压接技术: • 简单易行的机电串联 • 简单的压接设计,得益于不均匀压接力下的高公差要求 • 保证多层堆叠下芯片压力一致性 • 提供可靠的失效后短路功能 因此, 我们的半导体StakPak IGBT模块用于高压直流输电(HVDC)及柔性交流输电(FACTS)上可谓是天生一对。 欲下载和打印PDF数据表,请点击零件号。
电压: 1,700, 2,500, 4,500 V
这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数,这些高压IGBT可用于并联,相比串联低电压器件更加经济高效。 因此,这可减少相关的栅极驱动电路、简化设计并提升整体系统的可靠性。 选配的代加工快速恢复二极管具有较短的反向恢复时间,并且经过优化,可产生平滑的开关波形并显著减少电磁干扰(EMI)。 功能与特色: ...
电流: 600 A
电压: 1,200 V
Littelfuse IGBT模块采用现代IGBT技术,能够可靠、灵活地提供高效率和极快的开关速度。 Littelfuse用于电源控制应用,提供广泛的IGBT模块组合,适用于灵活高效的电机控制和逆变器应用。 标准和定制解决方案均可准确符合电路设计师要求的性能标准 功能与特色: 沟槽栅视场光阑IGBT技术 ...
电流: 28 A
电压: 650 V
是 硬开关TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT,它采用小尺寸TO-220封装,用于10 kHz-40 kHz之间的硬开关应用,可提高电流密度、增加效率、缩短上市时间、减轻电路设计的复杂程度以及优化物料清单成本。 特征描述 25°C时极低VCEsat (1.5 V) 4倍Ic 脉冲电流(100°C Tc) 无拖尾电流 对称低电压过冲 栅极电压受控(无震荡)。不存在器件意外导通的风险,无需栅极钳位元件 最高结温Tvj = 175°C 符合JEDEC标准 优势 达到TO-220尺寸下的最大功率密度 ...
Infineon Technologies AG/英飞凌
电流: 150 A - 3,600 A
电压: 1,200, 1,700, 3,300, 4,500, 6,500 V
日立能源的 IGBT 功率模块有单相、双相/相臂、斩波器 IGBT 和双二极管模块,电压范围为 1700 至 6500 伏。高功率 HiPak IGBT 模块具有低损耗、软开关性能和破纪录的安全作业区 (SOA)。新推出的 62Pak 和 LoPak 快速开关中功率 IGBT 模块具有最低的开关损耗、全 175°C 运行、正方形 ...
电流: 5, 20, 30, 50 A
电压: 600 V
Bourns® BID 离散式 IGBT 系列结合了 MOS 栅极和双极晶体管的技术,为高压和大电流应用创造了合适的组件。 Bourns® BID IGBT 系列采用先进的沟槽栅极场截止技术,提供更好的动态特性控制,同时降低集极-射极饱和电压 (VCE(sat)) 和开关损耗。此外,这种结构增加了器件的稳健性并提供更低的热阻 RTH,使其成为开关模式电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS)、感应加热和功率因子校正 ...
... 汽车光耦合器(晶体管输出、集成电路输出)采用小型封装,介电强度高(3.75KV),可在高达 135 °C 的高温下工作。这便于客户进行设计,包括安全保证和温度特性。 注意事项 我们将产品的质量等级分为 "标准质量 "和 "高质量等级",此处列出的所有产品均为 "高质量等级"。 使用前请阅读数据表中的 "注意事项"。 ...
电流: 50 A
电压: 650 V
RGWxx65C系列是650V耐压IGBT,采用SiC肖特基势垒二极管作为续流二极管,实现了更低损耗。本产品还符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”,即使在xEV车载充电器、DC-DC转换器、太阳能发电用的功率调节器、不间断电源装置(UPS)等严苛环境下也可放心使用。
ROHM Semiconductor/罗姆
... SLLIMM 智能电源模块属于 IPM 系列,可组合优化的硅芯片,并集成了 3 个主逆变器模块:功率级(短路坚固的 IGBT 和自由轮流二极管)、驱动网络(分立栅电阻、高压栅极驱动器和集成 自举二极管)以及保护和可选功能(智能停机功能、用于控制温度的 NTC 传感器、用于短路和过流故障保护的比较器,以及用于高级电流检测的运算放大器)。 这些器件采用基于 DBC 的 SDIP 封装,具有极高的低热阻,但具有最高水平的质量和成本效益。 ...
STMicroelectronics/意法半导体
SEMIKRON
电流: 10 A - 1,600 A
电压: 600 V - 1,700 V
... Greegoo提供不同拓扑结构、电流和电压等级的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块。从15A到1600A,电压等级从600V到1700V,IGBT模块可用于各种应用,并采用了关键技术,如烧结、弹簧或压接式触点,以实现快速和简单的组装。有不同的拓扑结构,如CIB(变流器逆变器制动器)、半桥、H桥、6组和3电平,几乎涵盖所有的应用领域。如逆变焊接机;逆变电源、变频器、UPS;电动汽车;光伏逆变器、工业伺服服务;开关磁阻电机、斩波器调速;感应加热等。 ...
电流: 10, 25 A
电压: 1,200 V
... 特点 • 沟槽 + 立式 IGBT 技术 • 10ps 短路能力 • Versât),具有正温度系数 • 低电感外壳 • 快速 & 软反向恢复反并联 FWD • 采用 DBC 技术的隔离铜基板 典型应用 • 电机逆变器 驱动器 • 空调 • 不间断电源 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IXYS
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