光电晶体管

电流: 0.2, 1.65, 0.01 mA

下降时间 tf 典型值 8.0 µs 上升时间 tf 典型值 8.0 µs 响应光谱范围typ. λ10% 最小值 450 nm λ10% 最大值 1100 nm 辐射敏感区 A 典型值 0.11 mm² 光束角 ∢ 典型值 110 ° 尺寸 l 典型值 5.35 mm w 典型值 5.35 mm h 典型值 3.3 mm 工作温度 Top 最小值 -40 °C Top 最大值 80 °C 应用领域 工业 工厂自动化

电流: 50.5, 60, 75 A
电压: 32 V - 300 V

... 光耦合器，光电晶体管输出，带底座连接，高 BVCEO 电压 特点 极高的集电极发射极击穿电压 BVCEO 隔离测试电压：5000 VRMS 低耦合电容 应用 电信 工业控制 电池供电设备 ...

电流: 50, 60 mA
电压: 30 V - 300 V

... 光耦合器，光电二极管输出，高增益，带底座连接 特点 极高的电流传输比，最小 500 %。 高隔离电阻，典型值为 1011 Ω 标准 DIP 塑料封装 ...

电流: 1 mA
电压: 80 mV

电流: 1 mA
电压: 50 mV

电流: 1 mA
电压: 80 mV

电流: 1 mA
电压: 80 mV

电流: 1 mA
电压: 80 mV

... OIT29 3 通道光电晶体管阵列 0.60mm 的 塑料 SMD 封装光学间距 一般说明 OIT29 由三元硅 光电晶体管的单芯片阵列组成。 光电晶体管有一个共同的集电器，每个发射器都可作为垫片使用。硅阵列的间距为 0.6 毫米，而元件的电气间距为 1.27 毫米。每个元件的有效面积为 0.2 x 0.45 毫米。该封装剂是一种高品质的微电子透明硅树脂：其透射值在 300 纳米至 400 纳米之间大于 95%，而在 400-900nm 范围内非常接近 ...

电流: 1 mA
电压: 80 mV

电流: 1 mA
电压: 80 mV

电流: 1 mA
电压: 80 mV

电流: 1 mA
电压: 80 mV

电流: 1 mA
电压: 80 mV

... 传感器由两个光电传感器（光电晶体管），能够从能量计获得光脉冲，并将其转化为电信号-电缆 lenght：三米-IP30 密封。 ...