MOSFET晶体管 ISS17EP06LM
功率开关雪崩

MOSFET晶体管
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产品规格型号

类型
MOSFET
类型
功率, 开关
其他特性
雪崩
电流

-0.3 A

电压

-60 V

产品介绍

SOT-23封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET非常适用于负载开关、电池管理以及反极性保护应用。OptiMOS™ P沟道MOSFET的主要优点是简化了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元(MCU)连接,具有快速开关和雪崩坚固性,因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低,该产品在低负载时可提高效率,并有正常和逻辑电平两种类型,具有较宽的RDS(on)范围。 特点概述: 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点: 易于与MCU接口 由于低Qg,在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用: 电池 消费者 工业自动化 工业驱动

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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。