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- Infineon Technologies AG
MOSFET晶体管 IPD900P06NM功率开关雪崩
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产品规格型号
- 类型
- MOSFET
- 类型
- 功率, 开关
- 其他特性
- 雪崩, 汽车应用
- 电流
-16.4 A
- 电压
-60 V
产品介绍
概述
主要电气参数
产品标识与分类
典型封装信息
应用与定位
技术特性 / 规格
- IPD900P06NM 是一款面向开关和电源管理应用的 P 沟道功率 MOSFET。
- 技术: OptiMOS™
- 极性: P (P 沟道)
- 典型封装: DPAK (TO-252)
主要电气参数
- 最大漏源电压 (VDS max): -60 V
- 最大导通电阻 (RDS(on) max): 90 mΩ
产品标识与分类
- Manufacturer: Infineon Technologies
- 制造商零件号 (MPN) / ISPN: IPD900P06NM
- 订购零件号 (OPN): IPD900P06NMATMA1
- ISPN ID: 23206
- SP Number: SP004987258
- 系列: P-Channel
- 产品状态: active
典型封装信息
- 封装: DPAK (TO-252)
应用与定位
- 适用于需要 DPAK 封装 P 沟道 MOSFET 的电路中的 P 通道开关、负载切换和板级电源管理。
技术特性 / 规格
- 器件类型: P 沟道功率 MOSFET
- VDS (max): -60 V
- RDS(on) (max): 90 mΩ
- 封装: DPAK (TO-252)
- 技术: OptiMOS™
- 极性: P
PDF产品目录
IPD900P06NM
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