MOSFET晶体管 IPD900P06NM
功率开关雪崩

MOSFET晶体管
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产品规格型号

类型
MOSFET
类型
功率, 开关
其他特性
雪崩, 汽车应用
电流

-16.4 A

电压

-60 V

产品介绍

普通级和逻辑级的P沟道MOSFET,降低了中、低功率应用的设计复杂性 采用DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级,具有较宽的RDS(on)范围,并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述: 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点: 易于与MCU接口 由于低Qg,在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动

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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。