Infineon/英飞凌雪崩晶体管

电流: -16.4 A
电压: -60 V

... 负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及 雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...

电压: -60 V

... 英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和 雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 大多数产品符合AEC Q101标准 宽广的RDS(on)范围 提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -6.5 A
电压: -60 V

... 负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优点是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及 雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -1.9 A
电压: -60 V

... 英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和 雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 大多数产品符合AEC Q101标准 宽广的RDS(on)范围 提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业 ...

... 低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和 雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供逻辑电平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -100 A
电压: -60 V

... 负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及 雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -0.18 A
电压: -60 V

... 低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和 雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -0.3 A
电压: -60 V

... 低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和 雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -6.5 A
电压: -60 V

... 负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及 雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...

电流: -1.9 A
电压: -60 V

... 低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和 雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 目标应用： 电池 消费者 工业自动化 工业驱动 ...