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半导体树脂 GKR高耐拉力光敏高热敏
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产品规格型号
- 用途
- 用于半导体
- 技术特性
- 高耐拉力, 光敏, 高热敏
产品介绍
概述
适用于多种电路图形形成用途的正性KrF光刻胶。GKR系列涵盖从高厚度膜到高分辨率配方等多种等级，以满足不同工艺需求。
产品阵容
GKR系列产品家族:
相关产品
特性 / 技术规格
适用于多种电路图形形成用途的正性KrF光刻胶。GKR系列涵盖从高厚度膜到高分辨率配方等多种等级，以满足不同工艺需求。
产品阵容
GKR系列产品家族:
- GKR-46xx/32xx系列（用于 Implant）
- GKR-53xx系列（用于 C/H）
- GKR-63xx系列（用于 L/S）
相关产品
- EUV（13.5 nm）— 用于负型成像的EUV材料
- NIL（Nanoimprint Lithography）— 用于半导体光刻工艺的NIL材料
- ArF（193 nm）— 用于正性干法和浸没曝光成像，以及负性成像（NTI）的材料
- i-Line、g-Line 和 Broadband — 中紫外光敏光刻胶，覆盖 <0.30 µm 到 >1.0 µm 的分辨率范围
- 负型（聚异戊二烯基）— 多系列聚异戊二烯基负性光刻胶体系
- e-Beam — 适用于各类电子束成像的正负性光刻胶
特性 / 技术规格
- 波长：248 nm（KrF）
- 光刻类型：正性
- 主要产品系列：GKR系列
- 可用变体：GKR-46xx/32xx（Implant）、GKR-53xx（C/H）、GKR-63xx（L/S）
- 产品范围包括高厚度膜和高分辨率配方，以满足不同工艺需求
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* 显示价格为参考价，此价格不含税、不含运费、不含关税，也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。