半导体树脂 KrF

高耐拉力光敏高热敏

概述
适用于多种电路图形形成用途的正性KrF光刻胶。GKR系列涵盖从高厚度膜到高分辨率配方等多种等级，以满足不同工艺需求。

产品阵容
GKR系列产品家族:

• GKR-46xx/32xx系列（用于 Implant）
• GKR-53xx系列（用于 C/H）
• GKR-63xx系列（用于 L/S）

相关产品

• EUV（13.5 nm）— 用于负型成像的EUV材料
• NIL（Nanoimprint Lithography）— 用于半导体光刻工艺的NIL材料
• ArF（193 nm）— 用于正性干法和浸没曝光成像，以及负性成像（NTI）的材料
• i-Line、g-Line 和 Broadband — 中紫外光敏光刻胶，覆盖 <0.30 µm 到 >1.0 µm 的分辨率范围
• 负型（聚异戊二烯基）— 多系列聚异戊二烯基负性光刻胶体系
• e-Beam — 适用于各类电子束成像的正负性光刻胶

特性 / 技术规格

• 波长：248 nm（KrF）
• 光刻类型：正性
• 主要产品系列：GKR系列
• 可用变体：GKR-46xx/32xx（Implant）、GKR-53xx（C/H）、GKR-63xx（L/S）
• 产品范围包括高厚度膜和高分辨率配方，以满足不同工艺需求