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电流: -16.4 A
电压: -60 V
... 普通级和逻辑级的P沟道MOSFET，降低了中、低功率应用的设计复杂性 采用DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优势是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述： 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点： 易于与MCU接口 由于低Qg，在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动 ...
Infineon Technologies AG
电流: 40 A
电压: 40 V
... OptiMOS™ 6功率MOSFET结合了同类最佳的RDS(on)和卓越的开关性能 OptiMOS™ 6功率MOSFET 40V系列针对各种应用和电路进行了优化，如服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器和ORing电路中开关模式电源（SMPS）的同步整流。通态电阻(RDS(on))和优点数字(FOM - RDS(on) x Qg和Qgd)的改进使设计人员能够提高效率，使热设计更容易，并减少并联，从而降低系统成本。 主要特点 与其他产品相比： RDS(on)减少30%。 FOM Qg x RDS(on)提高了29%。 FOM ...
Infineon Technologies AG
电流: 61 A
电压: 600 V
... 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...
Infineon Technologies AG
电流: 61 A
电压: 600 V
... 优化超结 MOSFET 兼具高能效和易用性 CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 ...
Infineon Technologies AG
电流: 61 A
电压: 600 V
... 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...
Infineon Technologies AG
电流: 20 A
电压: 600 V
... 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...
Infineon Technologies AG
电流: 18 A
电压: 600 V
... 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...
Infineon Technologies AG
电流: 9 A
电压: 600 V
... 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...
Infineon Technologies AG
电流: 101 A
电压: 600 V
... 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...
Infineon Technologies AG
电流: 101 A
电压: 600 V
... 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 600V P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 ...
Infineon Technologies AG
电压: 1,700, 2,500, 4,500 V
... 这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加经济高效。 因此，这可减少相关的栅极驱动电路、简化设计并提升整体系统的可靠性。 选配的代加工快速恢复二极管具有较短的反向恢复时间，并且经过优化，可产生平滑的开关波形并显著减少电磁干扰(EMI)。 功能与特色: XPT™薄晶圆技术 较低的通态电压VCE(sat) 代加工快速恢复二极管 正温度系数VCE(sat) 国际标准尺寸高压封装 应用: 脉冲电路 激光和X射线发生器 高压电源 高压检测设备 电容放电电路 AC开关 优点: 效率更高 无需串联多个器件 提供电力系统的可靠性 ...
Littelfuse
电流: 600 A
电压: 1,200 V
... Littelfuse IGBT模块采用现代IGBT技术，能够可靠、灵活地提供高效率和极快的开关速度。 Littelfuse用于电源控制应用，提供广泛的IGBT模块组合，适用于灵活高效的电机控制和逆变器应用。 标准和定制解决方案均可准确符合电路设计师要求的性能标准 功能与特色: 沟槽栅视场光阑IGBT技术 低饱和电压和正温度系数 快速切换和短拖尾电流 具有快速、软反向恢复功能的续流二极管 包括温感 最大TJ = 175 °C 应用: ...
Littelfuse
