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电流: -0.5 A
电压: -50 V
... 50A02CH 是双极 晶体 管，-50V，-0.5A，低 VCE(sat)，PNP 单，适用于低频率通用放大器应用。 ...
Onsemi
电流: 0.4 A - 45 A
电压: 36 V - 70 V
... 意法半导体提供了大量基于VIPower（垂直智能电源）技术的汽车级智能3和5引脚低端开关（OMNIFET）。这项专有技术允许在同一芯片上集成全部数字和模拟控制与保护电路，以驱动垂直结构功率MOSFET。 具有集成特性的低端开关是一种能够安全处理大电流的电源开关，可用于艰苦的汽车环境。它们只需要1个简单的TTL逻辑输入（或者面向5引脚开关的CMOS 逻辑输入）。此类器件与功率MOSFET引脚兼容，能够确保实时负载控制，具有过热保护功能，因此可以保护整个电路板。最新的5引脚器件还具有诊断特 性。 ...
STMicroelectronics
电压: 7.5 V
... 卓越的热性能 非常耐用 高线性度：TETRA、SSB 符合RoHS规范 输出级VHF频段手持无线电 输出级UHF频段手持无线电 输出级700-800 MHz手持无线电 面向ISM和广播末级 晶体 管的通用6 W驱动器 ...
电压: 110, 265 V
... 产品描述： TopSwitch-Hx 在单芯片器件上集成了一个 700 V 功率 MOSFET、高压开关电流源、PWM 控制、振荡器、热关断电路、故障保护和其他控制电路。 更低的系统成本，更高的设计灵活性， 多模式操作可最大限度地提高所有负载的效率， 新的 ESIP-7C 和 ESIP-7F 封装基于 PI 经验，具有高功率和高可靠性封装 无需高达 35 W（230 VAC 时高达 48 W）的散热器，采用 P、G 或 M 封装 输出 过压保护 (OVP) 是用户可编程的，用于锁存/非锁存关断，具有快速交流复位 线路欠压 ...
Power Integrations
电流: 0.8 A
电压: 50 V
... 直流电流增益 HFE 最大值：400 直流电流增益 HFE 最小值 ：160 产品描述：TO-92，50V，0.8A，NPN 双极 晶体 管 IC（A）：0.8P D（W）：0.625 封装：TO-92 极性：NPN 状态：有源 TJ 最大值。 (℃): 150 维也纳中央广播组织 (五): 50 维也纳教育中心星期六. (五): 0.7 职级 首席执行官 (五): 45 VEBO (五): 5 ...
电压: 20, 50 V
... 单封装 N 沟道 MOSFET 和 NPN 晶体 管， 低导通电阻，极 低栅极阈值电压，1.0V 最大 低输入电容快速开关速度低输入/输出泄漏， 超小型表面贴装封装 引线，无卤素和锑，符合 RoHS 标准（注 2） ESD 受保护的 MOSFET 栅极高达 2kV “绿色” 器件（注 3） 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性 ...
Diodes Incorporated
电压: 45 V
... CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51、BCX52 和 BCX53 型是 PNP 硅 晶体 管，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模压，表面贴装封装。 采用外延平面工艺制造，环氧树脂模压，表面贴装封装，专为大电流通用放大器应用而设计。 标记代码：参见下页的标记代码表 ...
Central Semiconductor
... Avago 拥有广泛的硅双极射频 晶体 管和 GaAs FET 产品组合。 GaAs FET 射频 晶体 管是基站 LNA 第一级或第二级的理想选择，因为它具有低噪声系数和增强的线性度。 Avagos 双极射频 晶体 管提供高性能，在低电压操作时针对最大 FT 进行了优化，使其成为无线市场电池供电应用的理想选择。 ...