陶瓷盘

氮化铝绝缘

氮化铝（AlN）陶瓷具有电绝缘性和出色的导热性，是需要散热的应用领域的理想材料。良好的机械性能，比 Al2O3 和 BeO 陶瓷更高的抗弯强度，耐高温和耐腐蚀性能，高导热性与良好的电绝缘特性相结合，在许多熔盐中具有超强的稳定性，热稳定性至少可达 1500°C。低热膨胀性和抗热震性。特殊的光学和声学特性。特性价值颜色深灰色主要成分96%ALN大体积密度（g/cm3）3.335吸水率0.00抗弯强度（MPa）382.70介电常数（1MHz）8.56线性热膨胀系数(/℃，5℃/min，20-300℃)2.805*10-6导热系数(30 摄氏度)>=170化学耐久性(mg/cm2)0.97抗热震性无裂纹体积电阻率(Ω.cm) (20 摄氏度)1.4*1014介电强度(KV/mm)18.45表面粗糙度Ra(μm)0.3-0.5腔体（长度‰）<=2‰陶瓷注塑成型低压注塑成型冷等静压干压制带铸造精密机械加工AlN高功率系统用陶瓷散热器AlN坩埚、Al蒸发皿和其他耐高温腐蚀部件。直接键合铜基板 (DBC)AlN 陶瓷棒ALN 陶瓷晶片ALN 陶瓷基板AlN 陶瓷加热器定制形状半导体设备组件IC 封装热模块基板高功率晶体管模块基板高频器件基板晶闸管模块用隔热板半导体激光器、用于发光二极管（LED）的固定基板混合集成模块、点火装置模块用于结构陶瓷烧结用于金属熔化和电子香烟的氮化铝坩埚应用于发光材料应用于基板材料氮化铝（AlN）的最大直接带隙宽度为 6.2eV，其光电转换效率高于间接带隙半导体。作为一种重要的蓝光和紫外发光材料，氮化铝可用于超紫外/深紫外发光二极管、紫外激光二极管和紫外探测器。此外，AlN 还能与 GaN 和 InN 等 III 族氮化物形成连续固溶体，其三元或四元合金可实现从可见光波段到深紫外波段的连续可调带隙，是一种重要的高性能发光材料。AlN 晶体是 GaN、AlGaN 和 AlN 外延材料的理想基底。与蓝宝石或碳化硅衬底相比，AlN 与 GaN 具有更高的热匹配性和化学相容性，衬底与外延层之间的应力更小。此外，以 AlN 晶体为高铝成分的 AlGaN 外延材料衬底能有效降低氮化物外延层的缺陷密度，大大提高氮化物半导体器件的性能和使用寿命。ALN 陶瓷基板的常规规格：长度和宽度：25.4mm；50.8mm；63.5mm；76.2mm；101.6mm；114.3mm；127mm；152.4mm.厚度：0.25mm；0.5mm；0.63mm；1mm；1.5mm；2mm。良好的机械性能比 Al2O3 和 BeO 陶瓷具有更高的抗弯强度耐高温和耐腐蚀性高导热性，具有良好的电绝缘性在熔盐中具有超乎寻常的稳定性热稳定性高达 1500°C低热膨胀性和抗热震性特殊的光学和声学特性颜色：深灰色主要成分：96%ALN96%ALNBulk Density： 3.吸水率：335 克/立方厘米 0.00抗折强度：382.70 MPa介电常数：8.56 (1MHz)线性热膨胀系数：2.805*10^-6 (/℃，5℃/分钟，20-300℃)导热系数：≥170 (30°C)化学耐久性：0.97 mg/cm²抗热震性：体积电阻率：1.4*10^14 Ω.cm (20°C)介电强度：18.45 KV/mm表面粗糙度 Ra：0.3-0.5 μm腔体（长度‰）：≤2‰