热压氮化铝陶瓷是通过真空热压烧结而成。氮化铝的纯度高达 99.5%(不含任何烧结添加剂),热压后的密度达到 3.3g/cm3,还具有优异的导热性和高电气绝缘性。导热系数可从 90 W/(m-k) 到 210 W/(m-k)。
高温高压后产品的氮化铝陶瓷机械强度和硬度优于胶带铸造法、干压法和冷等静压法。
热压氮化铝陶瓷具有耐高温和耐腐蚀性能,不会被各种熔融金属和熔融盐酸侵蚀。
氮化铝(AlN)的典型应用
冷却罩和磁共振成像设备
作为高频表面声波器件的基板、大尺寸和大功率散热绝缘基板
半导体和集成电路的静电吸盘和加热盘
红外和微波窗口材料
化合物半导体单晶生长坩埚
高纯氮化铝薄膜靶材
特点
高导热性
膨胀系数可与半导体硅芯片匹配
高绝缘电阻和耐压强度
低介电常数和低介电损耗
机械强度高
适合分接铸造成型工艺
热压烧结的最大尺寸。
长 500 x 宽 500 x 高 < 350 毫米
外径 500 x 高度 < 500 毫米
我们可根据需要提供热压氮化铝 (HPAN)。
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