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Bourn And Koch电容器
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电容: 47, 22 µF
... 概述
TDK 将 CN 系列多层陶瓷电
容器(MLCC)扩展为新的低电阻软端接类型。设计仅在板装侧覆盖树脂层,使电流可在树脂层外通过,从而较传统软端接 MLCC 降低端子电阻。
要点
- 树脂层仅覆盖 PCB 安装侧
- TDK 独有结构兼顾软端接特性与降低电阻
- 大电容选项:3216 尺寸最高 22 μF,3225 尺寸最高 47 μF
- 提供汽车级(CNA
TDK Electronics Europe
电容: 120 µF - 1,250 µF
电压: 450, 475 V
... 概述
TDK Corporation 推出带插脚的 EPCOS B43657* 系列铝电解电
容器。该系列超紧凑电
容器在最高工作温度105 °C 下可实现至少2000 小时的使用寿命。额定电压覆盖 450 V DC 至 475 V DC,电容值为 120 µF 至 1250 µF。该系列具有高纹波电流能力(最高可达 8.54 A,测试条件:120 Hz,60 °C)。可通过在线 AlCap Tool 对特定工况进行精确寿命计算。
主要卖点
...
TDK Electronics Europe
电容: 0 µF - 0.15 µF
电压: 100 V - 630 V
... 产品概述
- 类型:多层陶瓷贴片电容(MLCC)
- 品牌:TDK
- 安装方式:SMD(表面贴装)
- 电容范围:从pF到低µF
- 介质选项:C0G、X7R、X5R等
技术规格
- 可提供适用于工业应用的多种额定电压和温度特性
- 以标准SMD封装尺寸和常用端接方式供应
- 电气性能依所选介质和封装而定
典型应用
- 电源管理电路中的去耦与滤波
- 信号调理、定时电路及射频电路
- 汽车、通信、消费电子及工业设备
合规性与可靠性
- 符合RoHS;如需符合汽车或行业资质的型号,请提出要求
- 按照TDK质量流程制造—可靠性数据请参考数据表
订购与支持
- 包装选项:卷带、带卷(tape-and-reel)、散装
- 数据表、样品及交期信息:请提供零件号以便供应商提供详细信息
TDK Electronics Europe
电压: 6 V - 630 V
... 产品概述
- TDK生产的多层陶瓷电容(MLCC),带镀锡径向引线,适用于通孔安装。
- 类别:电容器 > 陶瓷 > 带引线MLCC。
- 形状:径向/浸镀引线,适配波峰焊和手工焊接工艺。
- 典型电容范围:从几皮法到数微法不等,取决于介质和封装尺寸。
- 典型额定电压:从低压去耦到更高电压应用(常见范围示例:约16 V至数百伏)。
技术要点
- 介质选项
TDK Electronics Europe
电压: 8 kV - 50 kV
... 产品概述
- 类型:超高压陶瓷电容器(UHV系列)
- 制造商:TDK
- 介电材料:陶瓷(MLCC)
- 功能:用于超高压电路的能量存储与滤波
技术规格
- 电压等级:超高压等级 — 具体数值请参见数据手册
- 电容值:为高压稳定性优化的低电容值;详见数据手册
- 结构:用于高压绝缘的整体陶瓷结构设计
- 可用终端与封装类型:请参阅产品选项
TDK Electronics Europe
电容: 0.47 µF - 10 µF
电压: 6 V
... 概述
TDK 的 YFF Series 3 端子穿通滤波器通过低 ESL 设计和 3 端子布局,提供对电源线高频噪声的紧凑抑制。该器件旨在简化高速电子设计中的去耦策略,并减少实现稳定电源所需的 MLCC 数量。
主要优点
- 低 ESL,在高频段提供更佳衰减
- 3 端子穿通布局,便于在 PCB 上直接滤波
- 有助于减少去耦所需的 MLCC 总数
- 体积紧凑,适合高密度高速布局
应用
- 高速数字与混合信号电路的电源线噪声抑制
- 在
TDK Electronics Europe
电压: 0.3 kV - 6 kV
... 概述
盘式陶瓷电
容器,带引线,适用于高压应用。本条目说明该产品系列及其典型特性。抓取的页面为类别概览,不包含单一型号的具体数据。
技术规格
- 产品系列名称:Disc Type Capacitors with Lead
- 产品类型:盘式陶瓷电容器(带引线)
- 介质 / 结构:陶瓷
- 适用范围:高压应用(如页面所示)
- 品牌:TDK
- 页面类型:产品系列
TDK Electronics Europe
电容: 20, 1, 0.5 µF
电压: 500 V - 900 V
... 概述
CeraLink
电
容器为高频、高温电力电子的苛刻应用提供了紧凑且高电容密度的解决方案,适用于空间受限、高电流及快速开关场景。
摘要
CeraLink 采用 RoHS 兼容的 PLZT(铅钇锆钛酸铋/lead lanthanum zirconium titanate)陶瓷并结合铜内电极。其在指定工作电压下表现出电容峰值(正偏置行为),并针对快速开关的宽禁带(SiC/GaN)半导体进行优化,在小型 ...
TDK Electronics Europe
... 随着智能手机和平板电脑的更多功能和功能,电源效率已成为设计工作的重点。 TDK 的全新 YNA 系列噪声吸收器有效抑制 DC-DC 转换器中的噪声和去耦电路中的抗共振,而不会降低电源的效率。 ...
TDK Electronics Europe
电容: 0.001 µF
电压: 10 kV
... 用于磁控管 HFC 系列的高电压进给陶瓷电 容器 特点 • 有效抑制宽频 范围内的噪声辐射。 • 出色的高频特性。 • 小巧轻便。 • 阻燃剂(相当于 UL94V-1)。 ...
TDK Electronics Europe
电容: 0.001 nF - 470 nF
电压: 25, 4, 10, 16, 6 V
... SCOP E 本规范描述了 无铅 端接的 01005 NP0/X5R 系列芯片电 容器。 应用 移动 模块 功能 带在卷轴上提供 镍屏障端接 RoHS 兼容无卤素 ...
Yageo
电容: 1 µF - 220 µF
电压: 10, 6, 50, 25, 16 V
Yageo
电容: 1 µF - 10 µF
电压: 50, 100 V
Yageo
电容: 0 nF - 100 nF
电压: 50, 100, 250, 500, 630 V
Yageo
电容: 0 nF - 470 nF
电压: 16 V - 3,000 V
Yageo
电容: 0 nF - 0.1 nF
电压: 16, 25, 50, 250 V
Yageo
... 功能 专为节省空间和高密度插入而设计 ,寿命长,高温 低 ESR,高纹波电流 低泄漏电流 应用 相机 音频/视频 照明 电源 智能电表 ...
Yageo
... 具有 低阻抗、低 E.S.R 高纹波电流能力 优异的温度特性: 可选-55 ℃ 至 + 105 ℃ 回流焊接方法 (260 ℃, 10 sec) 耐久性优异 应用 计算机、服务器、外设 游戏机、液晶电视、机顶盒 电信(基站、路由器、网络) ...
Yageo
电容: 10 µF - 600 µF
电压: 250 V - 480 V
... 3xxx - 用于电力电子设备的电 容器 - 直流(AC/DC) - 用于电力电子设备(通常是换向器)中的脉冲、滤波和平滑电 容器。 KNI 20xx - 用于电力电子设备的电 容器 - 直流 (AC/DC) - 它们在电力电子设备(通常在换向器和激光器中)中用作脉冲、滤波和平滑电 容器。 KNI 50xx - 用于电力电子设备的电 容器 ...
Iskra d.d.
电容: 0.33 µF - 10 µF
... 电 容器 KPA 用于抑制汽油发动机(割草机、摩托车、锯床等)起动轴上的无线电干扰。 技术数据 电 容器 KEA 用于抑制机动车辆中由以下电气设备引起的无线电干扰: 启动装置 电动马达 燃油泵 警报器 控制仪器等。 ...
Iskra d.d.
电容: 0.001 nF - 22,000 nF
电压: 63 V - 2,000 V
... 电子产品中使用的电 容器主要用于电子电路。单一类型电 容器的应用取决于电 容器的电介质。 电 容器的结构可包括金属化电介质(自再生)或铝膜。 聚酯、聚碳酸酯和聚丙烯薄膜也可用作电介质。使用聚酯电介质的电 容器主要用于对应用温度范围要求较宽且对电气参数特性要求不高的电子设备中。 铝和铝锌合金等金属可用于电介质的金属化。 ...
Iskra d.d.
电容: 0.33 µF - 10 µF
电压: 275 V - 460 V
... 电动机运行和电动机启动电 容器设计用于为连接到单相的单相和三相电动机提供辅助相位。 KNM 12xx、22xx 和 32xx - 用于在单相电机和连接到单相的三相电机上获得辅助相位。它们还可用于其他用途,例如在工业电子电路中, 电 容器的脉冲负载较低(P0 级)。 ...
Iskra d.d.
电容: 100 µF
电压: 2,000 V
... 电 容器KLS可用于电感加热设备的振荡电路中,这些设备经常用于金属的锻造、回火和熔化。 - 水冷式电 容器 - 空气冷却电 容器 ...
Iskra d.d.
电容: 0.4 mF - 160 mF
... 这些电 容器KLT可以连接到配电站的音频频率遥控系统。 电 容器有时可以在高频率下工作。 - 介质:聚丙烯+纸,铝膜 - 浸渍剂:合成的,NON PCB,生物分解的 - 额定电压:1.0 -35/ 03 kVAC - 额定频率:50 Hz, 183.3, 283.3, 420 Hz - 额定容量:0.4 mF - 160 mF - 电容容差:-5...+10 96 - 气候类别:-30...+50°C - ...
Iskra d.d.
电容: 0 F - 0.082 F
... 圆柱形 V 型芯片结构 高温,延长使用寿命(5000 小时 @ 105° C) ...
NIC Components
电容: 10 µF - 1,000 µF
NIC Components
电容: 0.1 µF - 22 µF
... 具有 高电容(高达 22μF) 宽电压和温度范围(16 ~ 100V、-55° C ~ + 125° C 或 ± 105° C)的 升级性能。 MLCC 的 稳定频率、温度和电压, 无压电效应 是音频应用 典型开路失效模式 + 260° C 回流焊兼容 ...
NIC Components
电容: 0 µF - 1,000 µF
... 特点 • 流化床工艺 • 新型减小尺寸 • 阻燃涂层 • 低泄漏电流和阻抗 • 出色的温度稳定性 ...
NIC Components
电容: 0.001 µF - 4.7 µF
电压: 6.3 V - 250 V
... NIC Components Corp.欣然宣布推出NMC-AP 产品系列的汽车级(AEC-Q200认证)多层陶瓷片式电 容器(MLCC),具有软性聚合物端子(抗裂)结构。NMC-AP系列为标准固体端子结构的MLCC提供了更安全的升级。 适用于需要高可靠性和抗PCB弯曲引起的开裂的应用。 NMC-AP系列有0603、0805、1206和1210外壳尺寸,电压等级从6.3V到250VDC。 250VDC。 - 软端接和AEC-Q200认证 - 由ISO/TS 16949生产设施制造 - ...
NIC Components