陶瓷电容器 LP, SP series

模块串联当量弱电阻缓冲回路

概述
CeraLink 电容器为高频、高温电力电子的苛刻应用提供了紧凑且高电容密度的解决方案，适用于空间受限、高电流及快速开关场景。

摘要
CeraLink 采用 RoHS 兼容的 PLZT（铅钇锆钛酸铋/lead lanthanum zirconium titanate）陶瓷并结合铜内电极。其在指定工作电压下表现出电容峰值（正偏置行为），并针对快速开关的宽禁带（SiC/GaN）半导体进行优化，在小型 SMD 封装中实现高电容密度和大电流能力。

主要优势

• 在 0 V 至 Vop 的直流偏置下容量增加（正偏置行为），在工作点（Vop & Top）具有行业领先的电容密度。
• 能够承受极高的纹波电流。
• 基于 AEC-Q200 的资格认证，可靠性高。
• 符合 RoHS。
• 铜内电极在高频下损耗低，支持快速 dV/dt 与高 Imax。
• 自发热一般较低，具有良好的热自我调节特性，性能稳定。
• 可采用标准 MLCC 回流工艺进行表面贴装。

在高频下

• 最佳频率范围：100 kHz 至 1 MHz。
• 由于低损耗铜电极和适合高频的后端工艺，等效串联电阻（ESR）极低。
• 低损耗，允许实现非常高的 dV/dt 性能。
• 适用于快速开关电源的高瞬态需求。

在高温下

• 工作温度可达 +150 °C（适用于 SiC / GaN）。
• 损耗低；ESR 随温度升高通常显著下降。
• 由于材料选择，漏电流极低。
• 在规范条件下不会发生热失控。

应用
CeraLink 非常适合用于吸收电路（snubber）、滤波、飞行电容和 DC-link 等紧凑应用。与传统陶瓷电容不同，CeraLink 在其指定的工作点达到最大电容（正偏置行为），且随纹波电压份额增加时电容可按比例上升——非常适合 SiC 和 GaN 的快速开关场景。

典型使用场景

• 汽车：xEV 高压应用、辅助逆变器（HV 压缩机/泵/加热器）、车载充电器（OBC）、DC/DC 变换器。
• 工业：驱动器、储能系统、电源变换器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）及隔离电源。
• 功率模块：作为逆变器功率模块中的吸收电容或 DC-link 电容集成，以提升效率并降低系统体积/成本。

产品组合
产品组合基于 PLZT 和铜内电极，提供 LP（低矮型）、FA（柔性组装）及 2220（优化电容密度）三种芯片元件方案。器件额定工作温度 -40 °C 至 +150 °C，提供多种电压等级（示例：500 V / 700 V / 900 V）；端接形式包括标准 SMD、软端接以及 LP/FA 的镀银外电极或镀银铜引框。

特殊需求（对比表）
Design | MLCC class I | MLCC class II | CeraLink
谐振电容，C 稳定 | ✔ | x | x
T >125 °C | ✔ | 有限供应 (X8R/定制) | ✔
V >630 V | ✔ | 有限供应 | ✔
交流应用 | ✔ | ✔ | x

电容行为 / 性能说明
CeraLink 在工作电压处显示电容峰值并具有特征性的 C–V 曲线。其高电流处理能力与电容密度的结合可降低相对于 MLCC 的器件数量，从而支持系统级小型化并实现成本/性能提升。

特性 / 技术规格

• 材料：PLZT 陶瓷，铜内电极；LP 与 FA 使用银外电极 / 镀银铜引框。
• 工作温度范围：-40 °C 至 +150 °C。
• 电压等级（示例）：页面示例为 350 V；产品组合包括 500 V、700 V、900 V（部分设计对一些型号支持峰值电压 ≈1300 V）。
• 系列：CeraLink LP（低矮型）、FA（柔性组装）、2220（面向电容密度优化的 SMD）。
• 代表性电容示例：2220 – 0.47 µF @ 350 V；2220 – 0.056 µF @ 900 V；FA 系列在不同电压等级下约 0.5 µF 至 10 µF；LP 示例包括 0.5 µF @ 700 V 和 1 µF @ 500 V（详见数据表）。
• 典型工作电流（示例，105 °C RMS）：请参阅数据表（例如某些 2220 变体为 2.3–5 A；部分 FA 变体为 7–38 A）。
• 最佳频率区间：约 100 kHz – 1 MHz；铜电极带来最低 ESR 与低 HF 损耗。
• 资格认证：基于 AEC-Q200 的资格认证。
• 焊接 / 安装：采用标准 MLCC 回流曲线进行 SMD 安装；端接形式：标准 SMD、软 SMD、带引框的 SMD（LP/FA）。
• 合规性：兼容 RoHS。