{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
电压: 230, 400, 440 V
... 具有自动开关保护功能的 CSBA 电容器是固定补偿单元，专为电机和变压器具有恒定负载水平的无功能补偿而设计。 包括带电容器自动开关的一般保护系统。 ...
电容: 20, 1, 0.5 µF
电压: 500 V - 900 V
... 应用 • 专为 900V 半导体模块设计 • 电源转换器和逆变器 • 用于电源转换器和逆变器的直流链路/缓冲电容器 特点 • 高纹波电流能力 • 低等效串行电感 (ESL) • 低等效串行电阻 (ESR) • 低功耗 • 低介质吸收 • 针对高达几个 MHz 的高频率进行了优化 • 在直流偏置至工作电压的情况下增加电容 • 高电容密度 • 在高温下最大限度地减少介质损耗 • 高可靠性 • 基于 AEC-Q200Rev 的认证。 D • 适用于回流焊接 ...
电容: 0.047 µF - 10 µF
电压: 700, 850, 1,250, 2,500 V
... 低串联电感和电阻 - 高峰值和均方根电流 为半导体提供保护和开关帮助 ...
电容: 0.33 µF - 6.8 µF
电压: 700 V - 2,500 V
产品广泛应用于UPS、逆变器、电焊机、电源、感应加热等设备的IGBT模块高频纹波吸收保护，尖峰电压钳位等场合。 一般技术参数： 参考标准：IEC 61071-2007 GB/T 17702-2013 电介质：金属化聚丙烯薄膜 填充料：环氧树脂 结构：无感卷制
Sheng Ye Electric Co.,ltd
电容: 0 µF - 330 µF
电压: 2.5 V - 3,150 V
我公司的主打产品引进了超高端的技术，并且是以小型化、大容量化为目标进行研发的。 要用途 - 1. 额定电压100V以下 高介电常数型・・・去耦、平滑电路用 温度补偿型・・・调谐电路、振荡电路、高频滤波电路用 2. 额定电压200V以上 高介电常数型・・・钳位缓冲电路、平滑电路用 温度补偿型・・・电源缓冲阻尼器
电容: 6.8 nF - 10,000 nF
电压: 630 V - 4,000 V
... IGBT Snubber； 广泛应用于电力电子设备当峰值电压、峰值电流吸收保护。 塑料。用环氧树脂密封； 镀锡铜插入引线；IGBT 安装方便；耐高压；低；低温上升；低 ESL 和 ESR； 高脉冲电流。 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
... 阻尼电容器是极具机智的器件，旨在保护半导体和 IGBT 晶体管。 这些器件具有极高的峰值电流，因此不断充电和放电。 电容器被封装在一个坚固的塑料缸中，并用 PU 树脂密封固定。 根据 MKP 涂层系统，它们由金属增强的 PP 薄膜构成。 这使得电容器能够以最小的串联电阻和自电感进行极高的电流。 ...
请说明：
您的建议是我们进步的动力：
剩余字数