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电容: 20, 1, 0.5 µF
电压: 500 V - 900 V
... 概述
CeraLink 电容器为高频、高温电力电子的苛刻应用提供了紧凑且高电容密度的解决方案，适用于空间受限、高电流及快速开关场景。
摘要
CeraLink 采用 RoHS 兼容的 PLZT（铅钇锆钛酸铋/lead lanthanum zirconium titanate）陶瓷并结合铜内电极。其在指定工作电压下表现出电容峰值（正偏置行为），并针对快速开关的宽禁带（SiC/GaN）半导体进行优化，在小型 SMD 封装中实现高电容密度和大电流能力。
主要优势
- 在
电压: 230, 400, 440 V
... 具有自动开关保护功能的 CSBA 电容器是固定补偿单元，专为电机和变压器具有恒定负载水平的无功能补偿而设计。 包括带电容器自动开关的一般保护系统。 ...
电容: 0.047 µF - 10 µF
电压: 700, 850, 1,250, 2,500 V
... 凭借数十年的经验，CEFEM 已开发出至少三种薄膜电容器产品，可满足您的特定需求：功率因数校正、谐波滤波器、电机运行、放电、UPS 技术、直流链路以及许多其他交流和直流应用。我们的团队致力于为您提供个性化支持，以找到最适合您需求的解决方案。 电源 交流电容器 直流链路 缓冲器 牵引 共振 放电 放电 H.T 聚酯 H.T 聚丙烯 高温 电机运行 铝质 AC AC 塑料 MKP 箱型 S3 高温 我们的电容器是如何制造的 CEFEM 是一家专业开发和制造薄膜电容器的法国企业。我们的工程师和博士将他们的全部技能用于生产满足您的需求和期望的产品。多年来，我们的研发团队一直紧跟该领域的所有技术进步。这使得 ...
电容: 0.33 µF - 6.8 µF
电压: 700 V - 2,500 V
... 产品广泛应用于UPS、逆变器、电焊机、电源、感应加热等设备的IGBT模块高频纹波吸收保护，尖峰电压钳位等场合。 一般技术参数： 参考标准：IEC 61071-2007 GB/T 17702-2013 电介质：金属化聚丙烯薄膜 填充料：环氧树脂 结构：无感卷制 ...
Sheng Ye Electric Co.,ltd
电容: 0 µF - 330 µF
电压: 2.5 V - 3,150 V
... 我公司的主打产品引进了超高端的技术，并且是以小型化、大容量化为目标进行研发的。 要用途 - 1. 额定电压100V以下 高介电常数型・・・去耦、平滑电路用 温度补偿型・・・调谐电路、振荡电路、高频滤波电路用 2. 额定电压200V以上 高介电常数型・・・钳位缓冲电路、平滑电路用 温度补偿型・・・电源缓冲阻尼器 ...
电容: 6.8 nF - 10,000 nF
电压: 630 V - 4,000 V
... IGBT Snubber； 广泛应用于电力电子设备当峰值电压、峰值电流吸收保护。 塑料。用环氧树脂密封； 镀锡铜插入引线；IGBT 安装方便；耐高压；低；低温上升；低 ESL 和 ESR； 高脉冲电流。 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
... 阻尼电容器是极具机智的器件，旨在保护半导体和 IGBT 晶体管。 这些器件具有极高的峰值电流，因此不断充电和放电。 电容器被封装在一个坚固的塑料缸中，并用 PU 树脂密封固定。 根据 MKP 涂层系统，它们由金属增强的 PP 薄膜构成。 这使得电容器能够以最小的串联电阻和自电感进行极高的电流。 ...
