研究开发测试系统

... 原始设备制造商和电池供应商必须为不断发展的汽车市场不断开发新的电池组。对于电池电动汽车（BEV）来说，续航里程是一个关键因素，因此电池芯和电池组的容量至关重要。除了容量，电流和电压也是电池开发的核心。因此，用于验证电池组的测试系统必须是最先进的。 我们的 AVL 解决方案可在不同环境条件下测量所有重要参数。此外，它还配备了多功能接口，可连接电池测试所需的其他工具。AVL 拥有封闭的硬件和软件工具链，可满足电池开发过程中的各种可能需求。AVL 将为客户提供开发服务与独立开发测试设备相结合，能够全面应对电池测试领域所面临的挑战。 安全与集成，实现最高可靠性 AVL ...

... 制氢是世界许多地区能源路线图的核心。难以消减的工业领域依赖于绿色氢气的供应，因此电解槽技术在 AVL 起着至关重要的作用。 凭借对氢技术的明确承诺，我们已将我们的专业知识和解决方案组合扩展到该领域。AVL 采用整体方法，提供从电池到系统的测试解决方案。 电解槽测试的现状如何？ 目前，碱性或 PEM（聚合物电解质膜）电解技术已经非常成熟，可以进行工业化生产。但 AEM（阴离子交换膜）或 SOEC（固体氧化物电解槽）等新技术也在酝酿之中。 为了满足绿色氢气的需求，行业需要经过验证的可靠解决方案，这就需要最先进的开发方法和全面的测试工具。 AVL ...

... 产品概述
DMT EVO 是一款紧凑型混合信号与数字自动测试设备（ATE），用于在研发、实验室、试产前与量产后阶段对集成电路进行高效的表征与验证。模块化主框架支持最多 5 个插槽，可将电源、数字模块、AWG/数字化仪和测量单元组合为一体化且可扩展的平台。系统通过直观的图形化界面控制，并配备 Kronos 自动生成优化测试程序。

主要优势

• 占地面积极小，在有限空间内实现高密度资源集成，适合实验室与试产环境。
• Kronos

... version v5.51 or later | Linux controller (included) and ipWORKS version v5.51 or later
System — Certifications | CE, SEMI S2, S8, ISO 9001 | CE, SEMI S2, S8, ISO 9001

特性 / 规格（摘要）

• 支持器件：Si、GaN、SiC

... 产品概述 FTI‑1000 Wafer HV 是一款面向晶圆级高覆盖测试的 ATE 系统，适用于功率分立器件和宽禁带（wide‑bandgap）技术。Wafer HV 版本配备高压 DC/AC 源，适用于单点探针（single‑site probe）应用，可满足最多 6 kV DC 和 5.5 kV AC 的要求。

推荐理由

• 配置灵活 — 模块化 Tester‑per‑Channel Board 架构，支持独立资源和可扩展扩展
• 电气覆盖全面

... 概述

UHV-340变压器Tan Delta测试仪是用于发电厂和变电站变压器及其他高压设备的高精度全自动仪器，用于测量介质损耗正切（tgδ）和电容（Cx）。仪器采用频率变换抗干扰技术与数字分析，确保在强电场环境下的测量准确性与稳定性。

主要特性

• 频率变换抗干扰：在高达200%干扰下仍保持稳定测量，适合现场试验。
• 高精度测量：频率浮动、数字波形分析、桥路自校准及高精度三端标准电容，顺/逆接测量结果一致。
• 全量程输入电阻<

... 产品概述
PST6747Ai 系列为半导体测试系统，用于精确测量与分析功率半导体器件的静态参数。标配支持 3 kV（可选 10 kV）与 2200 A，支持快速脉冲操作与 fA 级电流检测，可用于 IGBT、GaN、SiC 等现代器件的表征。

型号

• PST6747Ai：高精度，面向研发；测试报告包含详细的特性曲线与参数。
• PST6747Ai-F：高精度，适用于出厂交付前的产品测试；报告可用于用户手册。
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... DX-300自动霍尔效应测试系统是一款电磁式全自动测量平台，用于半导体与导电材料的表征，通过自动化Van der Pauw/Hall测量和数据分析获取电学与磁输运参数。

主要特点

• 自动计算实验结果：体载流子浓度、表面载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、磁阻等。
• 集成硬件：电磁铁及电源、高精度恒流源、高精度电压表、System SourceMeter、矩阵卡、霍尔样品夹、3D微探针台、视频显微镜、标准样品。
• 一键自动测量与自动Van

... 该仪器系统包括：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源、高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦、温度控制器和系统软件。 可测试材料： - 半导体材料：SiGe、SiC、InAs、InGaAs、InP、AlGaAs、HgCdTe 和铁氧体材料等； - 低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁半导体材料、TMR 材料等； - 高阻抗材料：半绝缘砷化镓、氮化镓、碲化镉等。 技术指标 - 磁场：10mm 间距为 2T，30mm 间距为 1T； - 采样电流：0.05uA~50mA（可调 ...