霍尔效应测量系统 DX-1000T

同心度电阻率用于半导体

该仪器系统包括：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源、高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦、温度控制器和系统软件。 可测试材料： - 半导体材料：SiGe、SiC、InAs、InGaAs、InP、AlGaAs、HgCdTe 和铁氧体材料等； - 低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁半导体材料、TMR 材料等； - 高阻抗材料：半绝缘砷化镓、氮化镓、碲化镉等。 技术指标 - 磁场：10mm 间距为 2T，30mm 间距为 1T； - 采样电流：0.05uA~50mA（可调 0.1nA）； - 测量电压：0.1uV~30V； - 提供各种测试标准材料、各种级别的硅和砷化镓（不同的灵敏度和精度）； - 最小分辨率： 0.1GS； - 磁场范围：0-1T; - 配合高斯计或数字采集板与计算机通信； - I-V 曲线和 I-R 曲线测量等； - 霍尔系数和载流子浓度等参数随温度变化的曲线； - 电阻率范围：电阻率范围：10-7~1012 欧姆*厘米； - 电阻范围：电阻范围：10 m Ohms~ 6MOhms； - 载流子浓度：103~1023cm-3； - 迁移率：0.1~108cm2/伏*秒； - 温度调节 0.1K； - 温区：77K-470K； - 全自动测试，一键处理； - 可实现同温差间连续测量。 各组件参数： 高精度电磁铁 - 磁极直径 100 毫米