QFN测试座 HC-C

QFPSOP

Seiken的HC-C IC插座专为高电流应用而设计，采用专有的叶片弹簧结构，每个端子提供卓越的电流承载能力。HC-C设计稳定可靠，即使在苛刻条件下也能确保一致的电气性能。 - 与传统插座中端子嵌入树脂外壳不同，Seiken在高电流区域（如发射极电极周围）提供金属外壳选项。这一创新有效地散热和电流，最大限度地减少端子退化（例如负载损失），延长插座寿命。此外，插座设计可以定制，以允许发射极和栅极端子的单独信号提取，即使在复杂的外围电极布局中也是如此。 - Seiken提供完全定制的IC插座和检测夹具，以满足精确的测试要求。 一般规格 - 标准端子通常安装在树脂外壳中。然而，对于需要高电流的发射极电极，可以使用金属外壳。这提高了电流处理和散热能力，降低了端子退化的风险，例如弹簧力减小。此外，提供了将信号提取与发射极和栅极端子分开的配置，允许灵活的电极设计。 测试条件 - 支持的间距0.3：电流容量（树脂/金属）25A / 40A - 支持的间距0.4：电流容量（树脂/金属）50A / 75A 关键特性和优势 - 优越的高电流和散热设计：有效地散热和电流，实现耐用性，并在高强度高电流操作下保持稳定性能。 - 一站式定制设计：Seiken提供从初始设计到最终制造的端到端服务，基于设备的特定尺寸、形状和测试条件。灵活的生产从单个单元开始，即使在原型开发阶段也能轻松采用。 HC-C（高电流立方体）块 - 为了提高多功能性和成本效益，Seiken提供通用的HC-C块作为标准产品。尽管其紧凑的尺寸（长边约10毫米），每个块支持多达八个高电流端子，每个块处理的总电流容量高达400A。 特性和应用（用于功率模块）： - 自由安排块以适应设备的布局和测试要求。 - 组合多个块以处理400A × 块数的电流。 - 轻松适应传统插座设计难以处理的非标准引线间距。 - 提高功率模块和定制应用的测试灵活性。 Seiken可以将HC-C块集成到完全定制的IC插座设计中，为您的检测环境提供理想的灵活性和性能组合。 应用示例： - 晶体管 - SON - SOP - QFN - QFP封装 - 功率模块 特性/技术规格： - 每个端子的高电流容量：高达75A（金属外壳） - 标准和金属外壳选项的端子 - 可定制的单独信号提取（发射极/栅极） - 通用HC-C块：每块高达400A，每块8个端子 - 支持的间距：0.3mm（25A树脂/40A金属），0.4mm（50A树脂/75A金属） - 适用于功率模块、晶体管、SON、SOP、QFN、QFP封装 - 定制设计和灵活生产（从单个单元到批量生产）