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KLA测量系统
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... Axion® T2000 X 射线尺寸量测 系统可对先进的3D NAND 和 DRAM 芯片中使用的高深宽比结构进行高分辨率、快速、准确、精确、无损的 3D 形状 测量。利用创新的 X 射线技术,Axion T2000 可识别可能影响存储器件性能和良率的细微结构变化(弯曲、突出、CD 轮廓、蚀刻深度、椭圆率、倾斜等)。Axion T2000 采用非破坏性在线 测量,可帮助存储器制造商在研发期间达到快速学习周期,以替代 ...
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... AcuShape®:先进的建模软件,解析来自SpectraShape 系统的信号,从而有助于加快构建强大的3D形状模型的过程。 SpectraShape 10K:光学CD和形状量测 系统,可 测量1Xnm逻辑和高级存储IC器件的复杂功能。 SpectraShape 9000:光学CD和形状量测 系统,可以 测量20nm及以下设计节点的IC器件的复杂功能。 SpectraShape ...
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... 薄膜量测 系统 SpectraFilm™ F1薄膜 测量 系统可以为各种薄膜层提供高精度薄膜 测量,从而在7nm一下的逻辑和领先内存设计节点上协助实现严格的工艺允许误差。高亮度光源驱动光谱椭偏仪技术,信号足以精确 测量带隙并且可以比电子测试提早数周了解电性能。新的FoG™(光栅上的薄膜)算法可以在类似器件的光栅结构上实现薄膜 测量,从而进一步提高 测量值与器件的相关性。随着产量的提高,SpectraFilm ...
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... 薄膜量测 系统 Aleris® 薄膜量测 系统可为32nm节点及以下节点提供可靠的、精确的薄膜厚度、折射率、应力以及成分 测量。 利用宽带光谱椭偏仪(BBSE)技术,Aleris薄膜 测量 系统提供全面的薄膜厚度 测量和量测解决方案,帮助晶圆厂对各种薄膜层进行鉴定和监控。 Aleris 8330 Aleris ...
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... 主要应用 制程监控,在线监控,光刻套刻控制 相关产品 PWG5 with XT Option: 新增的技术扩展了 PWG5 图案化晶圆几何量测 系统的晶圆处理和量测能力,以支持晶圆级先进封装应用的晶圆间键合的量测。 PWG3™: 第三代图案化晶圆几何尺寸 测量 系统,支持在线监控晶圆厂范围的制程,在2X / 1Xnm设计节点上对一系列存储器和逻辑器件类型进行监控。 ...
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... 等离子蚀刻晶圆温度(20° 至 140°C) 测量 系统 EtchTemp Series 晶圆温度 测量 系统,可用于 300mm 和 200mm 配置,记录等离子蚀刻工艺环境对真实工艺条件下生产晶圆的影响。 EtchTemp-HD 测量 系统包含高密度传感器,能够实现晶圆整体温度监测,而这与导体蚀刻工艺的 ...
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... HighTemp™ 系列原位晶圆温度 测量 系统提供 300 毫米和 200 毫米两种配置,旨在优化和监控先进的薄膜工艺(FEOL 和 BEOL ALD、CVD 和 PVD)以及其他高温工艺。 HighTemp 无线晶圆 测量制程设备的热均匀性,可以让您全面了解实际生产工艺条件下实时收集的时间和空间温度数据。在特定应用条件下(如等离子体环境)的温度变化,会影响工艺窗口和图案化性能。HighTemp 系列通过 测量温度变化,帮助 ...
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... 湿法工艺晶圆温度(15° 至 140°C) 测量 系统 WetTemp 晶圆温度 测量 系统提供 300mm 和 200mm 两种配置,支持湿法清洁和其他湿法工艺的监测。 WetTemp Series 晶圆与大多数单晶圆湿法清洁工艺 系统兼容,以帮助工程师验证湿法清洁设备、优化湿法清洁工艺和改进湿法清洁 系统性能。 主要应用 工艺开发、工艺验证、工艺设备监测、工艺设备验证、工艺设备匹配 湿法蚀刻,湿法清洁 ...
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... 300mm UV Wafer™ 紫外线 (UV) 光强 测量 系统利用无线传感器晶圆技术,可 测量薄膜沉积工艺设备晶圆表面的紫外线光剂量和强度。UV Wafer 实现了先前无法实现的工艺优化和监控,可提供从用于退火或固化 FCVD(可流动)氧化物和低介电系数薄膜的紫外灯到达晶圆表面的光强度的相关时空信息。UV Wafer 还可以识别灯泡老化引起的漂移或灯强度的其他变化,而这些变化会导致薄膜性能不均匀。UV ...
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... 出厂光罩质量检查,光罩写入仪认证和监控,光罩工艺监控,晶圆图案化控制 相关产品 LMS IPRO6: 用于10nm设计节点的光罩量测 系统,能够 测量标准定位标记和器件上图形特征。 LMS IPRO4: 用于32nm / 28nm设计节点的光罩 测量 系统。 LMS IPRO4在行业内独具灵活的4寸至8寸的光罩尺寸处理能力。 有关全新和翻新 系统的更多信息,请点击“联系我们”。 ...
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