电话线包装

工业用途电子工业用用于电子设备

产品描述
密封型光电封装为光子与光电器件提供密闭的机械与热学界面。我们提供从设计、试制到试产与量产的一体化封装服务，覆盖金属、HTCC 与 LTCC 外壳，以满足通信（5G）、LiDAR、医学成像和电力电子等领域的光学、热学与环境要求。

产品

• 金属封装
• 金属外壳通过玻璃‑金属与陶瓷‑金属结合形成密封外壳，稳定芯片工作环境并实现高效散热，保护器件免受湿度、温度循环及腐蚀性环境影响。典型应用：基站雷达模块、电子对抗设备、测控仪器与设备信号电源。

技术优势（金属封装）

• 支持材料：Kovar、碳钢、不锈钢、钨铜、铝合金
• 支持焊接/封装方式：储能焊、并列缝焊、锡焊、激光封焊等
• 绝缘电阻 ≥ 5000 MΩ（500 V DC 测量）
• 气密性（He）：R1 ≤ 1×10⁻³ Pa·cm³/s
• 盐雾耐腐蚀：可满足 24 h / 48 h / 72 h 腐蚀性测试
• 覆盖从研发设计到生产制造的完整产业链，提供定制服务

产品型号

• 信号处理器外壳
• 功率模块封装
• 电机驱动及 PWM 封装
• 离散器件陶瓷封装
• 回放封装
• 盖板与密封盖
• 功率贴片封装

HTCC 陶瓷封装外壳

• Ceramic Dual In-line Package (CDIP)
• Ceramic Flat Pack / Ceramic Quad Flat Pack (CFP / CQFP)
• Ceramic Quad Flat Non-leaded Package (CQFN)
• Ceramic Pin Grid Array (CPGA)
• Ceramic Small Outline Package (CSOP)
• Ceramic Leadless Chip Carrier (CLCC)

技术优势（HTCC）

• 电镀为自控过程
• 采用先进设计与仿真技术优化外壳/基板结构、布线、热行为与可靠性
• 完整产业链能力并提供定制化服务

LTCC 陶瓷封装外壳
LTCC（低温共烧陶瓷）以氧化铝与玻璃为主，使用金、银、铜等高导电浆料在约 850–900°C 的较低温度下共烧成多层陶瓷基板。LTCC 基板/外壳因导体低电阻与低介电常数，特别适用于射频、微波与毫米波器件封装。

技术优势（LTCC）

• 最小线宽/间距：100 µm
• 最小通孔/开口：100 µm
• 最小孔距：为开口的 2.5 倍
• 最大层数：40 层
• 为客户提供两类产品体系：高频低损耗型与高强度型

材料体系
基材性能

• 铁‑镍‑钴合金 | 4J29 | 密度 8.2 g/cm³ | CTE 5.3 ×10⁻⁶/°C (20–300°C) | 导热率 17 W/m·K
• 镍‑铁合金 | 4J42 | 密度 7.12 g/cm³ | CTE 4.8 ×10⁻⁶/°C | 导热率 13 W/m·K
• 普通碳钢 | 10# | 密度 7.8 g/cm³ | CTE 13.0 ×10⁻⁶/°C | 导热率 46 W/m·K
• OFHC (TU1) | TU1 | 密度 8.9 g/cm³ | CTE 17.6 ×10⁻⁶/°C | 导热率 ≈ 390 W/m·K
• W/Cu | WCu85/15 | 密度 16.4 g/cm³ | CTE 7.2 ×10⁻⁶/°C | 导热率 ≈ 180 W/m·K
• 不锈钢 | 304 / 316 | 密度 7.93 / 7.98 g/cm³ | CTE 17.2 / 20 ×10⁻⁶/°C | 导热率 16 / 16.29 W/m·K

引脚材料性能

• 铁‑镍‑钴合金 | 4J29 | 电阻率 48 µΩ·cm | CTE 5.3 ×10⁻⁶/°C
• 镍‑铁合金 | 4J50 | 电阻率 43 µΩ·cm | CTE 9.5 ×10⁻⁶/°C
• 铜包芯 52 合金 | 4J50 | 电阻率 12 µΩ·cm | CTE 11.5 ×10⁻⁶/°C
• 铜合金 (Tul) | Tul | 电阻率 1.7 µΩ·cm | CTE 17.6 ×10⁻⁶/°C

典型应用

• 大功率激光 TO 包装
• 汽车继电器密封
• 离散半导体器件封装
• 多层陶瓷基板
• 表面贴装功率封装
• 光通信：400G 收发器的气密封装
• 汽车电子：自动驾驶 LiDAR 发射器封装
• 新能源：电池管理系统（BMS）绝缘端子

技术规范

• 绝缘电阻：≥ 5000 MΩ（500 V DC 测量）
• 气密性（氦）：R1 ≤ 1×10⁻³ Pa·cm³/s
• 盐雾耐腐蚀：可配置以满足 24 h / 48 h / 72 h 测试
• 金属封装支持材料：Kovar、碳钢、不锈钢、钨铜、铝合金
• 支持的焊接/密封方法：储能焊、并列缝焊、锡焊、激光封焊
• HTCC 封装类型：CDIP、CFP/CQFP、CQFN、CPGA、CSOP、CLCC
• LTCC 能力：最小线宽/间距 100 µm、最小 via/aperture 100 µm、最小孔距 2.5×aperture、最多 40 层、提供 HF 低损耗与高强度产品选项
• 代表性热导率示例：OFHC (TU1) ≈ 390 W/m·K；WCu85/15 ≈ 180 W/m·K