IGBT晶体管 RGA60TS65HR

绝缘栅双极晶体管IGBT沟槽栅场截止式IGBT

概述
RGA60TS65HR是一款第4代650V场截止沟槽型IGBT，针对车载辅助系统与工业变频器优化。通过改进器件结构与边缘终端，提高电流密度并降低导通与开关损耗，从而提升效率与可靠性。符合AEC-Q101汽车可靠性标准，在Tj＝25°C下实现7 μs的短路耐受时间。

产品摘要
兼具低开关损耗与低导通损耗的IGBT，适用于车载电动压缩机、车载HV加热器及工业变频器，平衡低损耗与高短路耐受能力。

应用示例

• 车载电动压缩机
• 车载HV加热器（PTC加热器、冷却液加热器）
• 工业设备用变频器（逆变器）

主要特性

• 符合AEC-Q101（汽车级）
• 短路耐受时间（tsc）：7 μs
• 低集电极-发射极饱和电压（低VCE(sat)）
• 降低开关损耗和导通损耗
• 无铅电镀，符合RoHS

规格

• 型号：RGA60TS65HRC11
• 系列：A: For inverter (tsc 7-10 μs)
• VCES（额定耐压）：650 V
• IC（100°C）：34 A
• VCE(sat)（典型）：1.55 V
• tf（典型）：82 ns
• tsc（最小）：7 μs
• Pd：170 W
• BV(CES)（最小）：650 V
• 储存温度范围：-55 °C 至 175 °C
• 封装：TO-247N
• 包装形式：Tube
• 包装数量：450
• 最小包装数量：30
• 封装尺寸：21.0 x 16.0 mm (t = 5.2)
• RoHS：Yes
• 通用标准：AEC-Q101（汽车级）

包装
标准封装为TO-247N，包装形式为管装（Tube），标准包装数量450件，最小包装数量30件。有关搬运和热设计请参阅外形及包装图纸。

开发背景
尽管高压牵引逆变器逐步采用SiC，650V IGBT在功率较小的辅助设备中仍被广泛采用。本产品为满足更高能效、更小体积及更高短路耐受能力的需求而开发。