MOSFET晶体管 max. 550 W | HiperTFS™

功率

描述 HiperTFS™设备家庭成员合并一台威力强大的二开关向前交换器和中间力量回扫(备用)交换器到一个唯一，低调eSIP™力量包裹里。 唯一芯片解答为二开关向前和回扫交换器，高和低边司机，全部三高压力量MOSFETs提供控制器，并且消灭对昂贵的外在脉冲变压器的交换器的需要。 设备对要求一台主权交换器的大功率应用是理想的(今后二开关) 414 W，并且备用交换器(回扫) 20 W. HiperTFS包括力量综合化的标准套全面保护特点，例如联合软开始，缺点和超载保护和hysteretic热量停工。 HiperTFS运用先进的简化二开关向前布局、架置和热量管理的复杂，当提供非常在一个唯一紧凑包裹时的大功率能力的力量包装技术。 设备经营在一个宽输入电压范围，并且可以使用跟随一个力量因素更正阶段例如HiperPFS。