栅极驱动器

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IGBT栅极驱动器
IGBT栅极驱动器
C044BG400 series

C044BG400 IGBT门极驱动器是一款低功率驱动器,具有板载VCE去饱和检测功能,适合用于对可靠性要求较高的应用。 该驱动器具有用于驱动、状态和切换反馈信号的光纤通信接口。 具有EMI滤波、低耦合电容和高局部放电水平、可全面监控的DC/DC转换器已集成到电路板中。 高压集电器感应和门极接口位于单独的卡上,以实现与IGBT紧密耦合。 可提供一系列预配置板来对Littelfuse压装IGBT系列进行补充——可应要求提供其他应用。

IGBT栅极驱动器
IGBT栅极驱动器
L63xE, TD35x, L639x series

... 意法半导体功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器配备单路和多路栅极驱动器,具有低电压和集成高压半桥。 MOSFET 和 IGBT 驱动器可实现高科技集成,从而降低 BOM 成本和应用尺寸。 它增加了它的噪音免疫力和坚固性。 ...

MOSFET栅极驱动器
MOSFET栅极驱动器
MAX25615

... MAX25615 是一款适用于汽车应用的高速 MOSFET 驱动器 IC。 该驱动器能够吸收 7A 并采集 3A 峰值电流。 该 IC 与 MAX5048 器件相比增强,具有反相和非相输入,在控制 MOSFET 方面提供了更大的灵活性。 它还具有两个在互补模式下工作的独立输出,在控制开关和关闭开关速度方面具有灵活性。 该 IC 具有内部逻辑电路,可在输出状态变化期间防止射通。 无论 V+ 电压如何,逻辑输入都可提供高达 +16V 的电压峰值保护。 传播延迟时间最小化,并在反相输入和非反相输入之间进行匹配。 ...

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Maxim Integrated
绝缘栅极驱动器
绝缘栅极驱动器
ADUM4221-1

... ADuM4221/ADuM4221-1 是 4 A 隔离式半桥栅极驱动器,采用模拟器件公司的 iCoupler® 技术,提供独立、隔离的高侧和低侧输出。ADuM4221/ADuM4221-1在一个增加了爬电的宽体、16引脚的SOIC_IC中提供5700 V rms隔离。这些隔离元件结合了高速CMOS和单片变压器技术,提供了优于脉冲变压器和栅极驱动器组合等替代产品的出色性能特性。 这些隔离器的逻辑输入电压范围为2.5 V至6.5 V,可与低电压系统兼容。与采用高电压电平转换方法的栅极驱动器相比,ADuM4221/ADuM4221-1具有输入和每个输出之间真正电隔离的优点。 ADuM4221/ADuM4221-1各自具有内置的重叠保护功能,并允许死区时间调整。在死区时间引脚(DT)和GND1引脚之间的一个电阻设置了高侧和低侧输出之间二次侧的死区时间。 如果ADuM4221/ADuM4221-1的内部温度超过TSD温度,内部热关断(TSD)将输出设置为低电平。因此,ADuM4221/ADuM4221-1可在很宽的正或负开关电压范围内对绝缘栅双极晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性进行可靠控制。 应用 开关电源 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器 工业变频器 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)相容性 ...

绝缘栅极驱动器
绝缘栅极驱动器
ADUM4221

ADuM4221 是 4 A 隔离式半桥式栅极驱动器,采用 ADI公司的 iCoupler® 技术食先独立且隔离的高端和低端输出。ADuM4221 增加爬电距离d的宽体 16 引脚 SOIC_IC 封装可提供 5700 kV rms 的隔离。这些隔离元件集高速 CMOS 和单片变压器技术于一身,性能比其他选择更优,的如兼备脉冲变压器和栅极驱动器特点。 隔离器采用 2.5 V 到 6.5 V 的逻辑输入电压范围,兼容较低的电压系统。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比, ...

IGBT栅极驱动器
IGBT栅极驱动器
SKHIT 01 R

... 零件编号 L5009002 产品状态在生产 外壳中即插即用 开关 3 级 VCE528 在 A- ...

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SEMIKRON
IGBT栅极驱动器
IGBT栅极驱动器

... 描 述 LH1262CB、LH1262CAC 光伏 MOSFET 驱动器 由两个光耦合到两个光电二极管 阵列的 LED 组成。 光电二极管阵列提供了一个具有 足够电压和电流的浮动源,以驱动大功率 MOSFET 晶体管。 光耦合提供高 I/O 隔离 电压。 为了关闭 MOSFET,栅极 放电需要一个外部电阻(栅极到源)。 特点 • 高开路电压 • 高短路电流 • 隔离测试电压 5300 VRMS • 逻辑兼容输入 • 高可靠性 应用 • 高侧驱动器 • 固态继电器 • ...

MOSFET栅极驱动器
MOSFET栅极驱动器
ZXGD Series

... ZXGD3001E6 是一款高速非反相单个 MOSFET 栅极驱动器,能够从高达 12V 的电源电压驱动高达 9A 至 MOSFET 或 IGBT 栅极电容性负载。 该器件的典型传播延迟时间低至 3ns,上升/下降时间低至 11ns,可确保功率 MOSFET 或 IGBT 的快速切换,从而最大限度地降低高电流快速开关应用中的功率损耗和失真。 ZXGD3001E6 本质上坚固耐用,可进行闩锁和射通,其宽电源电压范围可实现全面增强,以最大限度地减少功率 MOSFET ...

IGBT栅极驱动器
IGBT栅极驱动器
FOD series

... IGBT/MOSFET 栅极驱动光耦合器系列具有快速开关特性,允许设计人员使用更小的转速,从而降低了系统总功耗。 这些器件可用于太阳能逆变器、电机驱动和感应加热应用。 Fairchilds 光耦合器提供同类最佳的共模抑制 (CMR),使应用更能抵御噪声。 这些器件具有严格的脉宽失真和改进的功率效率,还提供 1,414V 峰值工作电压,以适应 1200V IGBT 的开关。 栅极驱动器输出级由一个 PMOS 和 NMOS 对组成,便于接近轨到轨输出摆幅。 该特性允许在导通状态和短路条件下严格控制栅极电压。 ...

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Fairchild Semiconductor/仙童
绝缘栅极驱动器
绝缘栅极驱动器
ADUM series

... 与使用光耦合器或脉冲变压器的设计相比,ADI 的隔离栅极驱动器产品组合为设计人员提供了性能和可靠性优势。 隔离式栅极驱动器系列采用 ADI 成熟的 iCoupler® 技术,具有最大传播延迟 50 ns、通道间匹配小于 5 ns、50 ns、400 V rms 工作电压和电流隔离的优势。 ...

IGBT栅极驱动器
IGBT栅极驱动器

... MOSFET 驱动器和 IGBT 驱动器,用于低侧、高压侧和半桥驱动电路。 ...

MOSFET栅极驱动器
MOSFET栅极驱动器
Si82xx series

... Silicon Labs iSiODriver 产品系列具有超快的传播延迟,可实现更好的时序裕度,在温度和时间范围内保持坚固的运行,以及无与伦比的尺寸和成本效益。 提供 1、2.5、3.75 和 5.0 kV 的隔离额定值。 驱动器至驱动器承受电压为 ± 1500 VDC,驱动器可以接地相同或独立的接地,或连接到浮动电压。 ...

MOSFET栅极驱动器
MOSFET栅极驱动器
A3946 series

... A3946 专为需要高功率单向直流电机、三相无刷直流电机或其他电感负载的应用而设计。 A3946 提供两个高电流栅极驱动输出,能够驱动宽范围的功率 N 沟道 MOSFET。 高压侧栅极驱动器切换一个 N 沟道 MOSFET,用于控制负载的电流,而低压侧栅极驱动器则将 N 沟道 MOSFET 作为同步整流器进行切换。 自举电容器提供 N 沟道 MOSFET 所需的高于电池电源电压。 高压侧的内部自上自下充电泵允许半桥直流(100% 占空比)操作。 ...

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ALLEGRO MICROSYSTEMS
MOSFET栅极驱动器
MOSFET栅极驱动器
DIP8

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Liteon
栅极驱动器
栅极驱动器
iC-MFL

IGBT栅极驱动器
IGBT栅极驱动器
BAP-1551

... BAP-1551 半桥 IGBT 驱动 栅极驱动板应用说明和数据手册 功能包 括 • 包括驱动半桥电路所需的所有电源 • 短路和过电流保护 • 过压和欠压锁定保护 • 过温保护 • 直流链路电压检测 • I/O 连接器提供的全套保护和传感信息 • 内置死时产生 B AP-1551 绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 栅极驱动板 (GDB) 在本数据表/应用说明中提供了一个安全、可靠、隔离的控制逻辑和基于 IGBT 的功率级之间的接口。 以最小的开发时间和成本,可以使用下述技术设计和制造一个单相半桥逆变器,并联多达三个双 ...

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Applied Power Systems, Inc