“ 应用\ t
5个V逻辑水平N FETs的操作从3.3 V系统当中
特点\ t
8 \/对5个V产品电压的12折叠平实转移
产品的安全低状态以唯一缺点
施密特与两阶段下拉的潮流的触发脉冲输入与有限的功率耗散的改进的抗扰度的
输入适合的TTL和的CMOS (1.8到3.3到5 V)
当前有限和短路证明推挽式的产品
驾驶FET晶体管的推挽式的当前来源
防电压的产品18个V (搏动)
地面和电源电压显示器
集成电路MFL QFN24在典型的锡勒\ /ASIL应用合格根据AEC Q100。
ESD保护
-40到+125 °C \ /html的温度范围”
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