钼底盘

镍制金质钨

简介
钼（Mo）和钨（W）制成的半导体底板为功率二极管、晶闸管和晶体管提供热兼容的基底。相近的热膨胀系数可减少半导体与承载体之间的机械应力，高纯度材料保证可靠的热导率，从而提升模块稳定性。

优势一览

• 按要求定制设计（圆形、方形、矩形、深度/台阶形状）
• 涂层选项：超纯PVD或电镀
• 涂层后提供客户指定的无尘室包装
• 从原型到批量生产的一体化支持（内部能力）

热兼容性与可靠性
匹配的热膨胀系数可在热循环过程中将应力降至最低，延长模块寿命。超纯PVD涂层能够形成均匀膜层；根据应用可选用电镀工艺。内部PVD靶材生产与工艺控制确保纯度与性能一致性。

设计灵活性
可提供多种几何形状（圆形、方形、矩形、深/阶梯型），并可根据应用需求调整厚度与涂层。支持原型制造与量产，并提供定制工艺流程。

质量与供应链
从成熟供应商处采购原材料，确保钼与钨粉末/氧化物的可追溯性与稳定质量。与专业加工商的长期合作保证生产量级的供应能力。

涂层选项

• 钌 (Ru)
• 镍 (Ni)
• 铬 (Cr)
• 银 (Ag)
• 金 (Au)

典型材料性能（对比）
钼 (Mo) vs 钨 (W)：
纯度 [%]：Mo 99.97 ; W 99.99
20°C 时热膨胀系数 [ppm/K]：Mo ≈ 5.2 ; W ≈ 4.2
20°C 时热导率 [W/(m·K)]：Mo ≈ 142 ; W ≈ 164

典型尺寸（示例）
钼圆盘：厚度 0.1 mm 起至 ≥ 7.0 mm；直径 2.5 mm 起至 ≥ 150.0 mm
钨圆盘：厚度 0.4 mm 起至 ≥ 7.0 mm；直径 2.5 mm 起至 ≥ 150.0 mm
方形/矩形 Mo：厚度 0.1 mm ≥ 5.0 mm；长边 1.0 mm ≥ 70.0 mm；短边 0.2 mm ≥ 10.0 mm
方形/矩形 W：厚度 0.4 mm ≥ 5.0 mm；长边 1.0 mm ≥ 70.0 mm；短边 0.2 mm ≥ 10.0 mm

工艺与服务

• 原材料与氧化物处理（混合合金、还原工艺）
• 压制、烧结与热处理
• 成形与精密机械加工
• 表面涂层处理（PVD 与电镀）及无尘室包装
• 质量检验、测试、回收与生命周期支持

技术规格

• 材料：钼（Mo）、钨（W）
• 纯度：Mo ≈ 99.97%；W ≈ 99.99%
• 热膨胀系数（20°C）：Mo ≈ 5.2 ppm/K；W ≈ 4.2 ppm/K
• 热导率（20°C）：Mo ≈ 142 W/(m·K)；W ≈ 164 W/(m·K)
• 可选涂层金属：Ru、Ni、Cr、Ag、Au
• 涂层工艺：PVD（超纯）与电镀
• 包装：按客户要求的无尘室包装
• 生产支持：从原型到量产、内部PVD靶材制造及相关工艺