钨溅射靶材

产品简介
钨层是 TFT-LCD 屏幕薄膜晶体管 (TFT) 的组成部分，适用于大屏幕格式、极高图像清晰度和优化对比度的应用。钨靶也被用于微电子工业（例如在频率滤波器 SAW/BAW 中形成涂层）、作为扩散阻挡层（氮化钨）、微电子部件中的导体轨道，以及作为由氧化钨制成的透明反应溅射层，应用于 OLED 显示器和电化学领域。

优势

• 高纯度：≥ 99.97%（常规可达 99.99%，半导体应用可达 ≥ 99.999%）
• 高密度：> 99.5%
• 同质微观结构：通过专门成形工艺实现均匀且有纹理的微观结构，保证一致的溅射速率和薄膜厚度
• 适用于特定应用的理想质地：可根据溅射与薄膜要求调整材料微观结构
• 新涂层解决方案专业开发：与系统制造商及科研机构合作，快速开发客户特定的薄膜体系

涂层与制备工艺（概述）
在磁控溅射（PVD）工艺中，溅射靶释放金属原子，这些原子在衬底上沉积形成薄膜。该工艺经济、快速，但要求靶材与工艺参数满足严格质量标准，以减少颗粒形成并保证涂层性能一致。

最高纯度
溅射靶中的金属和非金属杂质会转移到沉积的功能膜中，影响膜的性能或导致产生颗粒（击穿放电）。因此，溅射靶必须满足极高的纯度要求。Plansee 保证钨靶最低纯度为 99.97%（3N7）；典型纯度为 99.99%。对于半导体行业应用，可保证最低纯度为 99.999%（5N）。

高致密度与均匀微观结构
钨溅射靶通过特殊成形工艺实现高度致密化，以在 PVD 工艺中获得更高且均匀的沉积速率并改善涂层性能。制造工艺允许有针对性地调整微观结构。具有均匀微观结构和纹理的靶材可确保稳定的溅射速率和膜厚度。

联合开发新涂层解决方案
Plansee 与系统制造商和研究机构合作开发并优化膜系和涂层材料。开发团队对膜系进行详细分析，以便与客户和开发伙伴快速合作开发新材料。

一站式高质量交付
溅射靶的增值链由一体化体系覆盖：无冲突原材料采购、粉末半成品、粉末冶金工艺、热轧（平面靶）、专用成形工艺（转动靶）、机械加工及在本地粘接车间完成的最终粘接。链条整合保证产品质量和可追溯性的一致性。

产品规格
Plansee 钨溅射靶的详细产品规格载于产品文档（技术规格表）。

caractéristiques / spécifications techniques

• 化学纯度：保证最低值 ≥ 99.97%（3N7），典型 99.99%，半导体级可达 ≥ 99.999%（5N）
• 致密度：> 99.5%
• 微观结构：高度同质化、可控纹理，保证均匀溅射速率与膜厚
• 适配工艺：专为磁控溅射（PVD）优化
• 生产能力：涵盖粉末制备、压制、烧结、成形（旋转与平面）、机械加工、焊接与热处理的完整供应链
• 质量控制：针对颗粒生成、电弧效应与薄膜性能的严格检测与规范